trapping characteristicとは 意味・読み方・使い方

The unipolar carbon nanotube contains the carrier-trapping material, which is sealed in the carbon nanotube and may readily transform an ambipolar characteristic of the carbon nanotube into a unipolar characteristic by doping the carbon nanotube.例文帳に追加

炭素ナノチューブの内部に密封されたキャリアトラッピング物質は、炭素ナノチューブをドーピングさせて両極性特性を単極性特性に容易に変換させるキャリアトラッピング物質を含む単極性炭素ナノチューブである。 - 特許庁

To allow a superconductor with superior trapped magnetic field characteristic for trapping a high magnetic field using a compact device.例文帳に追加

捕捉磁場特性の優れた超電導体に，コンパクトな装置で高い磁場を捕捉させることができる，超電導体の着磁方法及び超電導磁石装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a nonvolatile memory device having a charge trapping layer, which prevents device characteristic deterioration due to etching damage and restrains leak current.例文帳に追加

エッチングダメージから生じる素子特性の劣化を防止し、漏洩電流の発生を抑制する電荷トラップ層を有する不揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To enhance conductivity by preventing impurity levels from being formed in the band gap of a metal oxide semiconductor which constitutes a photoelectric converter so that characteristic deterioration or carrier mobility reduction does not occur caused by trapping.例文帳に追加

光電変換装置を構成する金属酸化物半導体のバンドギャップ内に不純物準位を形成せず、トラップによる特性劣化やキャリア移動度の低下が無く、導電性の向上を図ること。 - 特許庁

In particular, a TFT 30 is an N channel transistor that easily generates unpaired coupling hand and carrier trapping than a P channel transistor, and a predetermined treatment such as annealing or the like effectively suppresses the degradation of operational characteristic or reliability after BT testing caused by the unpaired coupling hand or carrier trapping.例文帳に追加

特に、ＴＦＴ３０は、Ｐチャネル型トランジスタより不対結合手及びキャリアトラップが発生し易いＮチャネル型トランジスタであり、アニール処理等の所定の処理によって、不対結合手及びキャリアトラップに起因して生じるＢＴ試験後のおける動作特性及び信頼性の低下が効果的に抑制されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory and a manufacturing method thereof which so improves its charge trapping/discharging characteristic by reforming an insulating film as to be adapted to electric-field relaxing, charge writing/erasing/holding, and charge excessive erasing.例文帳に追加

絶縁膜の改質により電荷捕獲・放出特性を改善し、電界緩和、電荷書込み／消去／保持、電荷の過消去、それぞれに対応することのできる半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor quantum dot which has a dot-like favorable shape characteristic capable of achieving a three-dimensional electron trapping on a Si substrate and has a favorable crystallinity.例文帳に追加

化合物半導体量子ドットの製造方法に関し、Ｓｉ基板上で３次元電子閉じ込めを実現できるドット状の良好な形状特性をもち、且つ、結晶性良好な化合物半導体量子ドットを実現させようとする。 - 特許庁