tunneling electronとは 意味・読み方・使い方

The electron source A irradiates electron tunneling through a surface electrode 3 from the electron passing layer 4 by making an electric field act on the electron passing layer 4, by impressing a voltage between the surface electrode 3 formed on a main surface of the electron passing layer 4 and a lower electrode 2 facing the surface electrode 3 in a manner of making the voltage of the surface electrode 3 higher than that of the lower electrode 2.例文帳に追加

電子源Ａは、電子通過層４の主表面に設けた表面電極３と表面電極３と対向する下部電極２との間に表面電極３を下部電極２よりも高電位とするように電圧を印加し電子通過層４に電界を作用させることにより電子通過層４から表面電極３をトンネルする電子を放射する。 - 特許庁

A cell is programmed by hot channel electron injection and erased by Fowler Nordheim tunneling of electrons from the floating gate to the gate electrode.例文帳に追加

セルはホット・チャンネル電子注入でプログラムされ、浮遊ゲートからゲート電極への電子ファウラー・ノルデハイム・トンネリングで消去される。 - 特許庁

A cell is programmed by hot channel electron injection and erased by Fowler Nordheim tunneling of electrons from the floating gate to the gate electrode.例文帳に追加

セルはホット・チャンネル電子注入によりプログラムされ、浮遊ゲートからゲート電極への電子のファウラー・ノルデハイム・トンネリングにより消去される。 - 特許庁

The method of operating the flash memory device is one that devices are selectively programmed by using a channel hot electron injection and devices are erased by Fowler-Nordheim tunneling and hot hole injection.例文帳に追加

チャンネルホット電子注入を利用して素子を選択的にプログラムし、ファウラー・ノルドハイム・トンネリング及びホットホールの注入によって素子をイレースする動作方法である。 - 特許庁

Optionally, an insulator layer is formed on the electron supply layer and has openings defined within a region in which the tunneling layer is formed.例文帳に追加

オプションでは、電子供給層上に絶縁体層が形成され、絶縁体層は、その中にトンネル層が形成される領域内で画定される開口部を有する。 - 特許庁

According to the programming method of the NAND flash memory device of the invention, a selection transistor is programmed by a thermal electron injection system, and a selected memory cell is programmed by using F-N tunneling.例文帳に追加

本発明のＮＡＮＤフラッシュメモリ装置のプログラム方法は、選択トランジスタを熱電子注入方式でプログラムし、選択されたメモリセルをＦ−Ｎトンネルリングを用いてプログラムする。 - 特許庁

An electron injected from the n-type silicon substrate 1 to the strong field drift layer 6 is drifted toward its surface in the strong field drift layer 6, and is emitted by tunneling the thin gold film 7.例文帳に追加

ｎ形シリコン基板１から強電界ドリフト層６に注入された電子は、強電界ドリフト層６内を表面に向かってドリフトし金薄膜７をトンネルして放出される。 - 特許庁

An electron injected into the high field drift layer 6 from the n-type silicon substrate 1 drifts toward an internal surface through the high field drift layer 6 and is emitted by tunneling the conductive thin film 7.例文帳に追加

ｎ形シリコン基板１から強電界ドリフト層６に注入された電子は、強電界ドリフト層６内を表面に向かってドリフトし導電性薄膜７をトンネルして放出される。 - 特許庁