tunneling processとは 意味・読み方・使い方

MANUFACTURING PROCESS AND ASSEMBLING METHOD FOR SEGMENT USED IN SHIELD TUNNELING METHOD, AND SEGMENT例文帳に追加

シールド工法に用いるセグメントの製造方法と組立方法及びセグメント - 特許庁

A volatile memory element manufacturing method includes a process to form a tunneling insulating film on a substrate, and a process to form a crystalline charge trap layer on the tunneling insulating membrane.例文帳に追加

基板上にトンネリング絶縁膜を形成する工程と、トンネリング絶縁膜上に結晶質電荷トラップ層を形成する工程と、を含む不揮発性メモリ素子の製造方法である。 - 特許庁

The second tunneling junction possesses an anti-fuse characteristic different from the first tunnel junction, which is short-circuitted with a write process.例文帳に追加

第２のトンネル接合は、第１のトンネル接合とは異なるアンチ・ヒューズ特性を有し、これが、書き込みプロセスによって短絡させられる。 - 特許庁

To provide a thin-film magnetic sensor for miniaturizing the whole magnetic sensor, and having high EDS (Electrostatic-Discharge) endurance of a TMR (Tunneling Magnetoresistive) element not only while being used but also during a manufacturing process.例文帳に追加

磁気センサ全体を小型化することができ、しかも、使用中だけでなく製造工程においてもＴＭＲ素子のＥＤＳ耐性が高い薄膜磁気センサを提供すること。 - 特許庁

In this open shield tunneling method comprising a process for jacking the concrete caisson 4 by a base pushing jack, the friction cut plates 12 used in a jacking process are arranged at an interval 19 on an upper face of the concrete caisson 4.例文帳に追加

コンクリート函体４を元押しジャッキで推進させる工程を含むオープンシールド工法において、推進工程で使用するフリクションカットプレート１２はコンクリート函体４の上面に間隔１９を設けた配置とする。 - 特許庁

The process for fabricating the nonvolatile memory includes forming the isolation structures protrudent over the substrate in the substrate, forming the tunneling layer over the substrate, and then forming the floating gates as conductive spacers on the sidewalls of the first isolation structures protrudent over the substrate.例文帳に追加

また、不揮発性メモリの製造プロセスは、基板上に突き出た分離構造が基板に形成され、トンネル層が基板上に形成され、その後、浮遊ゲートが基板上に突き出た第１分離構造の側壁上に導電性スペーサーとして形成されることを含む。 - 特許庁

To solve the problem that the life becomes short for a chip that is most heavily stressed by the electric field in a nonvolatile memory cell and the memory reliability deteriorates because the electric field stress changes on the capacitor insulation film or the tunneling insulation film due to the variations in the process even if the power source voltage is kept constant.例文帳に追加

不揮発性メモリセルにおける電源電圧が一定であっても、プロセスばらつきのために、容量絶縁膜あるいはトンネル絶縁膜にかかる電界ストレスがばらつき、最大の電界ストレスがかかるチップは寿命が短く、信頼性低下を招く。 - 特許庁