tunneling oxideとは 意味・読み方・使い方

In this method for injection using hot electrons, a thicker gate oxide film than in FN tunneling can be used even at the same potential.例文帳に追加

このホットエレクトロンによる注入では、ＦＮトンネリングに比べると同一の電圧でもより厚いゲート酸化膜を用いることができる。 - 特許庁

By such operation, a tunneling barrier layer 50 which consists of aluminum oxide (Al_2O_3) having homogeneous stoichiometric composition is obtained.例文帳に追加

このような操作により、均質な化学量論組成を有する酸化アルミニウム（Ａｌ_2Ｏ_3）からなるトンネルバリア層５０が得られる。 - 特許庁

First, a silicon oxide film pattern and a silicon nitride film pattern are formed on a semiconductor substrate as a tunneling layer and on the charge trapping layer.例文帳に追加

まず、半導体基板上にトンネリング層及び電荷トラップ層としてのシリコン酸化膜−シリコン窒化膜パターンを形成する。 - 特許庁

Consequently, an energy band tilt of the gate oxide film 6 is suppressed and a tunneling current is suppressed to improve data holding characteristics.例文帳に追加

これにより、ゲート酸化膜６のエネルギーバンドの傾きを抑え、トンネル電流を抑制してデータの保持性を向上させる。 - 特許庁

The nonvolatile memory element comprises a semiconductor substrate 39 provided with a source region 32, a drain region 34 and a channel region 36, a tunneling oxide film 41 formed on the channel region, a floating gate 44 formed of a fullerene substance on the tunneling oxide film, a blocking oxide film 46 formed on the floating gate, and a gate electrode 48 formed on the blocking oxide film.例文帳に追加

ソース領域３２及びドレイン領域３４とチャンネル領域３６とが設けられた半導体基板３９と、チャンネル領域上に形成されたトンネリング酸化膜４１と、トンネリング酸化膜上にフラーレン物質で形成されたフローティングゲート４４と、フローティングゲート上に形成されたブロッキング酸化膜４６と、ブロッキング酸化膜上に形成されたゲート電極４８と、を備える。 - 特許庁

Namely, the tunneling barrier layer 50 is flat and smooth, and comprised of aluminum oxide, or Al_2O_3 stoichiometry in both interfaces between a free layer 61 and an upper ferromagnetic layer 323 especially.例文帳に追加

すなわち、トンネルバリア層５０が平滑であると共に特にフリー層６１と上部強磁性層３２３との両界面において化学量論的にＡｌ_2Ｏ_3である酸化アルミニウムにより構成されることとなる。 - 特許庁

The first tunneling insulating film 210 and second tunneling insulating film 260 are each formed of a metal oxide film having a thickness of 5 Å to 20 Å, and employing a several tens nanometer-sized storage and an insulating film of several Å to several tens Å in thickness may facilitate multi-bit storage and high integration and furthermore may achieve high operation speed and reduction of power consumption.例文帳に追加

第１トンネリング絶縁膜２１０及び第２トンネリング絶縁膜２６０は、５Åないし２０Åの厚さを有する金属酸化膜から形成され、数十ナノサイズのストレージと数Åないし数十Åの厚さを有する絶縁膜を使用することによって、マルチビットの保存及び高集積が容易であり、高速動作速度及び低消費電力を実現することができる。 - 特許庁