u-wordとは 意味・読み方・使い方

Then, the first binary word is transformed into a second binary word approximately showing a value of an exponential function in which the first value is a variable by using the preceding bit group BGV as exponential information (S) of the exponential function and also by using the subordinate bit group BGL as mantissa information [{1+(M/2L)}] of the exponential function.例文帳に追加

次に、上位ビット・グループＢＧ_Uを指数関数の指数情報（Ｓ）として使用し、かつ下位ビット・グループＢＧ_Lを指数関数の仮数情報（｛１＋（Ｍ／２^L）｝）として使用することにより、第１二進ワードを、第１の値を変数とする指数関数値を近似的に表す第２の二進ワードに変換する。 - 特許庁

A dummy transistor DTr includes a dummy word line conductive layer 41 formed while surrounding the boundary between the U-shaped semiconductor layer 35 and the drain-side columnar semiconductor layer 57a.例文帳に追加

ダミートランジスタＤＴｒは、Ｕ字状半導体層３５とドレイン側柱状半導体層５７ａとの境界を取り囲むように形成されたダミーワード線導電層４１を備える。 - 特許庁

The memory string MS includes a U-shaped semiconductor layer having a columnar part, a charge storage layer formed to surround a side surface of the columnar part, and a word line conductive layer formed to surround the charge storage layer.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、柱状部を含むＵ字状半導体層と、柱状部の側面を取り囲むように形成された電荷蓄積層と、電荷蓄積層を取り囲むように形成されたワード線導電層とを備える。 - 特許庁

Further, a word dictionary 6 is stored with words to be recognized which are generated by describing syllables which are present in respective words to be recognized and possibly voiceless by using the special phonemes "i/-" and "u/-" by a dictionary generation part 7.例文帳に追加

また、単語辞書６には、辞書作成部７によって、各認識対象単語中に存在する無声化の可能性がある音節を上記特別な音素「ｉ／−」，「ｕ／−」で表記して作成された認識対象単語が格納される。 - 特許庁

A plurality of bits of a first binary word formed by a plurality of a bit showing a first value are divided into a preceding bit group BGV and a subordinate bit group BGL.例文帳に追加

第１の値を表す複数のビットから成る第１の二進ワードの複数のビットを、上位ビット・グループＢＧ_Uと下位ビット・グループＢＧ_Lとに分割する。 - 特許庁

A memory string MS includes: a U-shaped semiconductor layer 35 including a pair of columnar sections 35a; a memory gate insulating layer 34 formed while surrounding the side of the columnar section 35a; and word line conductive layers 32a-32d formed while surrounding the memory gate insulating layer 34.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、柱状部３５ａを有するＵ字状半導体層３５と、柱状部３５ａの側面を取り囲むように形成されたメモリゲート絶縁層３４と、メモリゲート絶縁層３４を取り囲むように形成されたワード線導電層３２ａ〜３２ｄとを備える。 - 特許庁

A memory string MS includes: a pair of columnar portions; a U-shape semiconductor layer 35 having a coupling portion for coupling the lower ends of the columnar portions; a tunnel insulating layer 34c for surrounding the columnar portions; a charge accumulating layer 34b; a block insulating layer 34a; and word line conductive layers 32a-32d for surrounding the block insulating layer 34a.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、一対の柱状部、及びそれらの下端を連結させる連結部を有するＵ字状半導体層３５、柱状部を取り囲むトンネル絶縁層３４ｃ、電荷蓄積層３４ｂ、ブロック絶縁層３４ａ、及びブロック絶縁層３４ａを取り囲むワード線導電層３２ａ〜３２ｄを備える。 - 特許庁

A memory string MS includes: a U-shaped semiconductor layer 35 including a pair of columnar sections 35a extended vertically and a connection section 35b connecting their lower ends; a charge storage layer 34 formed while surrounding the columnar sections 35a; and first to fourth word line conductive layers 32a-32d formed while surrounding the columnar sections 35a and the charge storage layer 34.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、垂直方向に延びる一対の柱状部３５ａ、それらの下端を連結する連結部３５ｂを有するＵ字状半導体層３５と、柱状部３５ａを取り囲むように形成された電荷蓄積層３４と、柱状部３５ａ及び電荷蓄積層３４を取り囲むように形成された第１〜第４ワード線導電層３２ａ〜３２ｄとを備える。 - 特許庁