m-wordとは 意味・読み方・使い方

The upper limit and the lower limit for m-bit words are discriminated (50) during filtering, and a value of an m-bit word is selected between the upper limit and the lower limit (52).例文帳に追加

フィルタリングの間、mビットワードに対する上限及び下限が識別され(50)、mビットワードの値が、その上限と下限の間で選択される(52)。 - 特許庁

An OR circuit 25 is the OR circuit of (m) inputs and when any one of redundant word select signals RD1-RDm becomes 'H' level, a word line selection inhibit signal RDE is outputted at 'H' level, for example, to a row decoder.例文帳に追加

オア回路25は、m入力の論理和回路であり、冗長ワード選択信号RD1〜RDmの内1つでも「H」レベルとなった場合、ワード線選択禁止信号RDEが例えば「H」レベルで行デコーダ3へ出力される。 - 特許庁

In that state, when the user depresses a key of 'M' as the letter key, a word 'moist' present in the rear of reversely displayed 'air' with a letter of one of head letter candidates 'm, M' as a head letter is detected, and the reverse display 332 is moved from 'air' to 'moist' ((b)).例文帳に追加

さらにこの状態で、ユーザが文字キーとして“M”のキーを押下すると、それまで反転表示されていた「air」より後方であって、先頭文字候補「ｍ、M」の何れかの文字を先頭文字とする単語「moist」が検知され、反転表示３３２が「air」から「moist」に移動される（（ｂ））。 - 特許庁

The semiconductor memory device is equipped with; a memory cell block equipped with n (natural number) lines of global word line; a sub-word line which is corresponding to each global word line by m (natural number) lines; a word line driving circuit; and a control circuit.例文帳に追加

ｎ(自然数)本のグローバルワードラインを備えるメモリセルブロック、グローバルワードラインのそれぞれにｍ(自然数)本ずつ対応するサブワードライン、ワードライン駆動回路、及び制御回路を備える半導体メモリ装置である。 - 特許庁

Respective words are extracted from an input character string A consisting of m words from a word a1 up to a word am and a comparing character string B consisting of n words from a word b1 up to a word bn, and the distance t(ai, bj) between respective words is found out by referring to a synonym dictionary 36 or the like.例文帳に追加

単語ａ１から単語ａｍまでｍ個の単語からなる入力文字列Ａおよび単語ｂ１から単語ｂｎまでｎ個の単語からなる対比文字列Ｂから、各単語を抽出し、類義語辞書３６の参照等により各単語間の距離ｔ（ａｉ，ｂｊ）を求める。 - 特許庁

A memory device comprises a memory cell array 1 in which the resistance change type memory cells M are arranged in a matrix, word lines W_1 to W_m, bit lines B_1 to B_n, plate electrode lines P_1 to P_n, and a transistor T.例文帳に追加

メモリ装置は、抵抗変化型のメモリセルＭがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイ１と、ワード線Ｗ_1〜Ｗ_mと、ビット線Ｂ_1〜Ｂ_nと、プレート電極線Ｐ_1〜Ｐ_nと、トランジスタＴとを有する。 - 特許庁

The semiconductor memory device is equipped with; n lines of global word line; m lines of sub-word line corresponding to each global word line; and a word line driving circuit which controls a voltage level of sub-word line responding to the logical level of the global word line and inputted address signal.例文帳に追加

ｎ本のグローバルワードライン、グローバルワードラインのそれぞれに対応するｍ本のサブワードライン、及び前記グローバルワードラインの論理レベルと入力されるアドレス信号とに応答してサブワードラインの電圧レベルを制御するワードライン駆動回路を備える半導体メモリ装置である。 - 特許庁

The word 'maniai-shi' refers to a paper which is suitable for the width of half ken (which equals to 0.90 m) and it is usually used for fusuma-shoji.発音を聞く 例文帳に追加

間似合紙は、半間（三尺　90cm）の間尺に合う紙の意で、普通は襖障子を貼るのに用いられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス