1016万例文収録!

「m-word」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定


セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

m-wordの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 59



例文

Move forward to the end of the next word. 例文帳に追加

forward\\-word (M\\-f)次の単語の最後に進みます。 - JM

Parts of an M-bit message word are used for index bits and the other bits are used for a source word.例文帳に追加

Mビットメッセージワードの一部を索引ビットとして、その他をソースワードとして用いる。 - 特許庁

The invention relates to a method for converting an m bit information word 1 to an n bit code word 4.例文帳に追加

mビット情報語1をnビットコード語4に変換する方法に関する。 - 特許庁

A column selection circuit 10 includes m word line drivers for driving word lines WL prepared for every memory cell disposed in an m×n matrix (m and n are natural numbers).例文帳に追加

行選択回路10は、m行n列(m、nは自然数)のマトリクス状に配置されたメモリセルの行ごとに設けられたワードラインWLを駆動するm個のワードラインドライバを含む。 - 特許庁

例文

When writing data, the parity of an M word is added to the data of an N word, and a first ECC code is obtained.例文帳に追加

データの書き込み時には、Nワードのデータに対してMワードのパリティを付加し、第1のECC符号とする。 - 特許庁


例文

Then, an m-bit input data word is encoded based on the conversion table.例文帳に追加

その上で、入力されたmビットのデータ語を、上記変換テーブルに基づき符号化する。 - 特許庁

A modular exponentiation operation part 17 uses the words e_i, a word e_j, and the modular multiplication table M^Fk to operate modular exponentiation C with respect to the exponent e.例文帳に追加

べき乗剰余演算部17は、ワードe_i、ワードe_j、および、乗算剰余テーブルM^Fkを用いて、べき指数eに対するべき乗剰余Cを演算する。 - 特許庁

The upper limit and the lower limit for m-bit words are discriminated (50) during filtering, and a value of an m-bit word is selected between the upper limit and the lower limit (52).例文帳に追加

フィルタリングの間、mビットワードに対する上限及び下限が識別され(50)、mビットワードの値が、その上限と下限の間で選択される(52)。 - 特許庁

An OR circuit 25 is the OR circuit of (m) inputs and when any one of redundant word select signals RD1-RDm becomes 'H' level, a word line selection inhibit signal RDE is outputted at 'H' level, for example, to a row decoder.例文帳に追加

オア回路25は、m入力の論理和回路であり、冗長ワード選択信号RD1〜RDmの内1つでも「H」レベルとなった場合、ワード線選択禁止信号RDEが例えば「H」レベルで行デコーダ3へ出力される。 - 特許庁

例文

In that state, when the user depresses a key of 'M' as the letter key, a word 'moist' present in the rear of reversely displayed 'air' with a letter of one of head letter candidates 'm, M' as a head letter is detected, and the reverse display 332 is moved from 'air' to 'moist' ((b)).例文帳に追加

さらにこの状態で、ユーザが文字キーとして“M”のキーを押下すると、それまで反転表示されていた「air」より後方であって、先頭文字候補「m、M」の何れかの文字を先頭文字とする単語「moist」が検知され、反転表示332が「air」から「moist」に移動される((b))。 - 特許庁

例文

The semiconductor memory device is equipped with; a memory cell block equipped with n (natural number) lines of global word line; a sub-word line which is corresponding to each global word line by m (natural number) lines; a word line driving circuit; and a control circuit.例文帳に追加

n(自然数)本のグローバルワードラインを備えるメモリセルブロック、グローバルワードラインのそれぞれにm(自然数)本ずつ対応するサブワードライン、ワードライン駆動回路、及び制御回路を備える半導体メモリ装置である。 - 特許庁

Respective words are extracted from an input character string A consisting of m words from a word a1 up to a word am and a comparing character string B consisting of n words from a word b1 up to a word bn, and the distance t(ai, bj) between respective words is found out by referring to a synonym dictionary 36 or the like.例文帳に追加

単語a1から単語amまでm個の単語からなる入力文字列Aおよび単語b1から単語bnまでn個の単語からなる対比文字列Bから、各単語を抽出し、類義語辞書36の参照等により各単語間の距離t(ai,bj)を求める。 - 特許庁

A memory device comprises a memory cell array 1 in which the resistance change type memory cells M are arranged in a matrix, word lines W_1 to W_m, bit lines B_1 to B_n, plate electrode lines P_1 to P_n, and a transistor T.例文帳に追加

メモリ装置は、抵抗変化型のメモリセルMがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイ1と、ワード線W_1〜W_mと、ビット線B_1〜B_nと、プレート電極線P_1〜P_nと、トランジスタTとを有する。 - 特許庁

The semiconductor memory device is equipped with; n lines of global word line; m lines of sub-word line corresponding to each global word line; and a word line driving circuit which controls a voltage level of sub-word line responding to the logical level of the global word line and inputted address signal.例文帳に追加

n本のグローバルワードライン、グローバルワードラインのそれぞれに対応するm本のサブワードライン、及び前記グローバルワードラインの論理レベルと入力されるアドレス信号とに応答してサブワードラインの電圧レベルを制御するワードライン駆動回路を備える半導体メモリ装置である。 - 特許庁

The word 'maniai-shi' refers to a paper which is suitable for the width of half ken (which equals to 0.90 m) and it is usually used for fusuma-shoji. 例文帳に追加

間似合紙は、半間(三尺 90cm)の間尺に合う紙の意で、普通は襖障子を貼るのに用いられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A user of a work station 118 transmits a control signal to a test body 120 to send an m-bit packet for every n-bit code word.例文帳に追加

ワークステーション118のユーザは試験本体120に制御信号を送信して、nビットコードワード毎にmビットパケットを送る。 - 特許庁

The word line drivers is divided into K segments SEGr1 to SEGrK (K is a natural number satisfying 2≤K≤m).例文帳に追加

ワードラインドライバは、K個(Kは、2≦K≦mを満たす自然数)のセグメントSEGr1〜SEGrKに分割される。 - 特許庁

A main member code encoder 46 encodes the string mm to the member code into a code word of a main member code.例文帳に追加

メンバー符号への情報シンボル列m_mは主メンバー符号符号化器46により主メンバー符号の符号語に符号化される。 - 特許庁

Once the testing mainframe catches data, the testing mainframe determines an offset value whereby a sum becomes a value of the first n-bit code word in addition to each m-bit packet, thereby reproducing the original n-bit code word from the data formed in the m-bit packet.例文帳に追加

試験メインフレームが一旦データを捕獲すると、試験メインフレームは各mビットパケットに加えて合計が最初のnビットのコードワードの値になるオフセット値を決定することによって、このmビットのパケット化データから元のnビットのコードワードを再生する。 - 特許庁

The ReRAM cells M of the semiconductor memory device are each formed at an intersection of and between a bit line BL and a word line WL so that each ReRAM cell M is electrically connected to the bit line BL and the word line WL.例文帳に追加

本発明の実施形態による半導体メモリ装置におけるReRAMセルMは、ビット線BLとワード線WLとの交差部かつ間に、それらビット線BLとワード線WLとに電気的に接続されるように形成されている。 - 特許庁

METHOD FOR CONVERTING SERIES OF M BIT INFORMATION WORD TO MODULATION SIGNAL, METHOD FOR MANUFACTURING RECORDING CARRIER, ENCODING APPARATUS, DECODING APPARATUS, AND METHOD FOR CONVERTING MODULATION SIGNAL TO SERIES OF MBIT INFORMATION WORD例文帳に追加

mビット情報語の系列を変調信号に変換する方法、記録担体を製造する方法、符号化装置、復号装置及び変調信号をmビット情報語の系列に変換する方法 - 特許庁

Each word is distributed to each of (N+M) pieces of physical blocks, and the data attached with a second ECC code having each word of A pieces of first ECC codes as configuring elements are written in each page of the physical block.例文帳に追加

各ワードを(N+M)個の各物理ブロックに分配し、A個の前記第1のECC符号の各1ワードを構成要素とする第2のECC符号を付して物理ブロックの各ページに書き込む。 - 特許庁

A leak current path for the negative voltage line or the ground line from the word lines (WL<0>-WL<m>) is interrupted, a word line of a non-selection state can be kept exactly at non-selection voltage (VPP level).例文帳に追加

ワード線(WL<0>−WL<m>)から負電圧線または接地線へのリーク電流経路は遮断され、非選択状態のワード線を確実に非選択電圧(VPPレベル)に維持することができる。 - 特許庁

The synchronous word and the unique word are turned into training system for an adaptive equalizer 20, and at least one of them is turned into a symbol system prepared by a deformed M system to be used for estimation of the delay spread.例文帳に追加

同期ワード、ユニークワードは、適応等化器20のトレーニング系列となり、少なくとも一方は、変形M系列で作成されたシンボル系列であって、遅延スプレッドの推定に用いられる。 - 特許庁

When the number of utterances stored and managed for each word of the example sentence R reaches a predetermined value (e.g., 3), a message screen M showing whether the word is registered or not (Y/N) as vocabulary notebook data is displayed, and the word is registered in the vocabulary notebook only by operating a "Y" key.例文帳に追加

そして、当該例文Rの単語毎に記憶管理される発音回数が所定の回数(例えば3回)になると、該当の単語について単語帳データとして登録するか否か[Y/N]のメッセージ画面Mが表示され、[Y]キーの1キー操作で単語帳登録できる。 - 特許庁

An input flip-flop 10 sequentially holds word data D_WD including consecutive m bits in input data D_IN with (m×n) bits as a unit.例文帳に追加

入力フリップフロップ10は、(m×n)ビットを単位とする入力データD_INのうち、連続するmビットを含むワードデータD_WDを順次保持する。 - 特許庁

Memory capacity being referred by an LUT processing section is set as m-th power/S word×N bit of 2, and a correction value being used actually in correction is calculated using two discrete correction values corresponding to an input M bit data value.例文帳に追加

LUT処理部が参照するメモリ容量を2のM乗/Sワード×Nビットとして構成し、入力Mビットデータ値に対応する2つの離散的補正値を使用して、実際に補正に使用する補正値を算出する。 - 特許庁

To provide an image rotation processing apparatus for realizing a high speed rotation processing even for data where a ratio of a BIT width M of a word in a memory to a BIT width N of a pixel take no integer multiple of M/N.例文帳に追加

メモリのワードのBIT幅Mと画素のBIT幅NがM/Nの整数倍でないデータに対しても、高速な回転処理を実現する画像回転処理装置を提供する。 - 特許庁

When the word clock WCK has ideal sampling cycles, the value stored in the M detection register 52 is "1023", but if an error occurs, the value stored in the M detection register 52 is "1023" or below or "1024" and above.例文帳に追加

ワードクロックWCKが理想的なサンプリング周期を有していればM検出レジスタ52に記憶される値は「1023」になるが、誤差があればM検出レジスタ52に記憶される値は「1023」未満あるいは「1024」以上になる。 - 特許庁

The memory cell array 4 stores and holds data in a plurality of magnetoresistive elements connected to a word line WLy (y=0, 1, ..., 2n, 2n+1, ...), and a bit line BLix, and a source line SLix (i=0, 1, ..., m, ..., M; x=0, 1).例文帳に追加

メモリセルアレイ4は、それぞれワード線WLy(y=0,1,…2n,2n+1,…)、ビット線BLix及びソース線SLix(i=0,1,…,m,…,M;x=0,1)に接続された複数の磁気抵抗素子に対してデータを記憶保持する。 - 特許庁

A word line control part 13 controls the voltage of a high level showing that the word line control 13 has not selected the word line for the memory cell M accessed or not accessed on the basis of, a control signal ϕ for controlling the voltage of a high level of the word line WL and on the basis of a selection signal WLDEC outputted by a main decoder 11.例文帳に追加

メモリセルMへのアクセス時と非アクセス時に応じてワードラインWLのハイレベルの電圧値を制御するための制御信号φと、メインデコーダ11が出力する選択信号WLDECとを基に、ワードライン制御部13は、ワードラインWLが非選択であることを示すハイレベルの電圧値をメモリセルMのアクセス時と非アクセス時に応じて制御する。 - 特許庁

A plurality of decoder circuits DEC_1-m are provided in each bit of word data D_WD, and each of decoder circuits DEC_1-m receives a bit corresponding to the word data and storage destination data indicating a position after rearrangement, and generates decode data D_DEC with the (m×n) bits.例文帳に追加

複数のデコーダ回路DEC_1〜mは、ワードデータD_WDの各ビットごとに設けられ、それぞれがワードデータの対応するビットおよびその並べ替え後の位置を示す格納先データを受け、(m×n)ビットを有するデコードデータD_DECを生成する。 - 特許庁

When data of '001' is written in memory cells S1-S3 on the same word line WLn, a current is made to flow from one side of a word line WLn and bit lines BLn-1 to BLn+1 to the other side, and '0' is written in M cells S1-S3.例文帳に追加

同一のワード線WLn上のメモリセルS1〜S3に’001’のデータを書き込む場合、ワード線WLn、およびビット線BLn−1〜BLn+1の一方から他方にかけて電流を流し、メモリセルS1〜S3に’0’をそれぞれ書き込む。 - 特許庁

Stored data of memory cells MC11 to MCm1 connected to a word line WL1 are simultaneously transferred to read registers Rreg-1 to Rreg-m and then, stored data of memory cells MC12 to MCm2 connected to a word line WL2 are simultaneously transferred to write registers Wreg-1 to Wreg-m.例文帳に追加

ワード線WL1に接続されているメモリセルMC11〜MCm1の格納データがリードレジスタRreg−1〜Rreg−mに一斉に転送された後,ワード線WL2に接続されているメモリセルMC12〜MCm2の格納データがライトレジスタWreg−1〜Wreg−mに一斉に転送される。 - 特許庁

For a summary sentence candidate composed of M (M>N) words extracted from a summary object sentence composed of N words, a summary score defined as the cumulative value of the sum of a language score for each word and a topics word score is calculated and the summary sentence candidate having the maximum summary score is selected as a maximum summary score summary sentence.例文帳に追加

N個の単語からなる要約対象文から抽出したM個(N>M)の単語で構成される要約文候補について、各単語の言語スコアと話題語スコアの和の累積値として定義される要約スコアを算出し、最大の要約スコアを有する要約文候補を最大要約スコア要約文として選択する。 - 特許庁

After stored data of memory cells MC11-MCm1 connected to a word line WL1 are transferred simultaneously to read-registers Rreg-1 to Rreg-m, stored data of memory cells MC12-MCm2 connected to a word line WL2 are transferred simultaneously to write-registers Wreg-1 to Wreg-m.例文帳に追加

ワード線WL1に接続されているメモリセルMC11〜MCm1の格納データがリードレジスタRreg−1〜Rreg−mに一斉に転送された後,ワード線WL2に接続されているメモリセルMC12〜MCm2の格納データがライトレジスタWreg−1〜Wreg−mに一斉に転送される。 - 特許庁

An extended arithmetic operation for GF (2m) is made to be executable by adding a word length of a processor or a GF (2m) extended arithmetic operation part of a multiple length thereof to an arithmetic operation part of an arithmetic processor, and taking similar executing procedures to those of an instruction provided in the original processor.例文帳に追加

演算プロセッサの演算部にプロセッサのワード長、もしくはその倍数長のGF(2^m)拡張演算部を付加して、元の演算プロセッサに備わる命令の実行手続きと同様の手続きによりGF(2^m)用拡張演算が実行できるようにする。 - 特許庁

The memory cells MC (m, n) and MC (m+1, n) have the magnetic tunnel junction elements MR1 and MR11 respectively connected with the word lines WLn at one end, and connected with the bit lines BLm and BLm+1 at the other end of the magnetic tunnel junction elements MR1 and MR11.例文帳に追加

メモリセルMC(m,n)およびMC(m+1,n)は、ワード線WLnにそれぞれの一方端が接続された磁気トンネル接合素子MR1およびMR11を有し、磁気トンネル接合素子MR1およびMR11のそれぞれの他方端は、ビット線BLmおよびBLm+1に接続されている。 - 特許庁

In the ECC code generation, a matrix table column value, corresponding to bit position of a data logical value "1", is XORed per bit in the row direction, and the resulting m-bit value is defined as the ECC code, which is then appended to the data to generate an m+n bit code word.例文帳に追加

ECCコードの生成において、データの論理値“1”のビット位置に対応する前記行列テーブルの列の値を行方向のビット毎に排他的論理和を採り、これによって得られたmビットの値をECCコードとし、データにECCコードを付加してm+nビットの符号語を生成する。 - 特許庁

The write/read registers are of the same number (m pieces) as the number of the memory cells connected to respective word lines WL1 to WLn like the write register Wreg-1 to Wreg-m constituting the write register group 17 and the read register Rreg-1 to Rreg-m constituting the read register group 20.例文帳に追加

ライト/リードレジスタは,ライトレジスタグループ17を構成するライトレジスタWreg−1〜Wreg−mおよびリードレジスタグループ20を構成するリードレジスタRreg−1〜Rreg−mと同様に,各ワード線WL1〜WLnに接続されているメモリセルと同数(m個)である。 - 特許庁

This data low density parity check (LDPC) encoding method comprises a step for defining a first M×N parity check matrix, a step for generating a second parity check matrix having M×M triangle part matrix based on the first parity check matrix, and a step for mapping the data to the LDPC code word based on the second parity check matrix.例文帳に追加

データの低密度パリティ検査(LDPC)符号化の方法に、第1のM×Nパリティ検査行列を定義するステップと、第1パリティ検査行列に基づいて、M×M三角部分行列を有する第2パリティ検査行列を生成するステップと、第2パリティ検査行列に基づいてデータをLDPC符号語にマッピングするステップとが含まれる。 - 特許庁

A high voltage generating circuit 30 generates a driving voltage Vr which is supplied to the m word line drivers and distributed to the K segments SEGr1 to SEGrK.例文帳に追加

高電圧生成回路30は、m個のワードラインドライバに供給される駆動電圧Vrを生成し、K個のセグメントSEGr1〜SEGrKに分配して供給する。 - 特許庁

The second converter comprises a converting adapting means for converting the voltage pixel signal into bits equal to or less than M in response to an N-bit binary word from the first converter.例文帳に追加

第2の変換器は、第1の変換器からのNビット・バイナリ・ワードに応じて、電圧ピクセル信号をMに等しいかまたはそれよりも少ないビットに変換するための変換適合手段を備える。 - 特許庁

Then, when the number m of program unended memory cells in a page becomes 2 bits (M1) or less, one write loop is additionally performed by stepping up the word-line voltage by one.例文帳に追加

そして、ページ内のプログラム未終了メモリセルの個数mが2ビット(M1)以下になったところで、ワード線の電圧を1つステップアップさせて、1回分の書き込みループを追加により実行する。 - 特許庁

The synchronization establishing section 61 outputs received data to the synchronization maintenance section 62 when the number of times m, wherein first extraction data extracted from the received data are coincident with a unique word, exceeds a prescribed number m0.例文帳に追加

同期確立部61は、受信データから抽出した第1抽出データとユニークワードとが一致した回数mが所定数m0を超えた場合、受信データを同期維持部62に出力する。 - 特許庁

This storage device is provided with word lines WL1-WLm, plate lines PL1-PLm/2, bit lines BL1-BLn, memory cells M11-Mmn, a sense amplifier 11, and bit line capacity variable sections 120-1 to 120-n.例文帳に追加

この発明は、ワード線WL_1 〜WL_m 、プレート線PL_1 〜PL__m/2 、ビット線BL_1 〜BL_n 、メモリセルM_11〜M_mn、センスアンプ111およびビット線容量可変部120−1〜120−nとを備える。 - 特許庁

METHOD FOR CONVERTING SERIES OF M BIT INFORMATION WORD TO MODULATED SIGNAL, METHOD FOR MANUFACTURING RECORD CARRIER, ENCODER, DECODER, RECORDER, READER, SIGNAL, RECORD CARRIER例文帳に追加

mビット情報語の系列を変調信号に変換する方法、記録担体を製造する方法、符号化装置、復号装置、記録装置、読取装置、信号及び記録担体 - 特許庁

This system generates a randomized code word by combining the randomizer sequence with all the symbols of ECC code words ciphered by using a BCH code.例文帳に追加

このシステムは、ランダマイザシーケンスをGF(2^m)にわたるBCH符号を用いて暗号化されるECC符号語のすべてのシンボルと組合わせてランダム化符号語を生成する。 - 特許庁

The centurion answered, “Lord, I’m not worthy for you to come under my roof. Just say the word, and my servant will be healed. 例文帳に追加

百人隊長は答えた,「主よ,わたしは自分の屋根の下にあなたをお迎えするほどの者ではありません。ただお言葉を下さい。そうすればわたしの召使いはいやされるでしょう。 - 電網聖書『マタイによる福音書 8:8』

例文

A variable analog-to-digital converting apparatus 1 for the image sensor comprises at least one first N-bit nonlinear coarse converter 21 which receives a pixel voltage signal (Vpix), so that the apparatus feeds a binary word of N+M bits continuously relating to a voltage of a pixel, and at least one second M-bit linear fine converter 22 which is connected to the first converter 21.例文帳に追加

画像センサ用の可変アナログ・デジタル変換装置1は、装置がピクセルの電圧連続的に関係するN+Mビットのバイナリ・ワードを供給するために、ピクセル電圧信号(Vpix)を受け取る少なくとも1つの第1のNビット非線形粗変換器21と、第1の変換器21に接続された少なくとも1つの第2のMビット線形密Mビット変換器22とを備える。 - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
本サービスで使用している「Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス」はWikipediaの日本語文を独立行政法人情報通信研究機構が英訳したものを、Creative Comons Attribution-Share-Alike License 3.0による利用許諾のもと使用しております。詳細はhttp://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/ および http://alaginrc.nict.go.jp/WikiCorpus/ をご覧下さい。
  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
  
この対訳コーパスは独立行政法人情報通信研究機構の研究成果であり、Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unportedでライセンスされています。
  
Copyright (c) 2001 Robert Kiesling. Copyright (c) 2002, 2003 David Merrill.
The contents of this document are licensed under the GNU Free Documentation License.
Copyright (C) 1999 JM Project All rights reserved.
  
電網聖書はパブリック・ドメインに置かれます。電網聖書は,The World English Bible (WEB)を土台とした新しい日本語訳です。この草稿は2002年3月3日版です。
The World English Bible is dedicated to the Public Domain.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS