ultra-small semiconductorとは 意味・読み方・使い方

To provide a needle assembly for a probe card for stable characteristic inspection for an ultra-small-size and highly integrated semiconductor device.例文帳に追加

極小形化及び高集積化される半導体デバイスに適切に対応することにより安定した特性検査を行い得る、半導体デバイスの特性検査のためのプローブカードのニードルアセンブリを提供する。 - 特許庁

To provide a ultra-small integrated optical pickup which satisfies the requirement for smaller and slimmer design and can be integrated using semiconductor manufacturing processes.例文帳に追加

小型化および薄型化の要求を満足させ、半導体工程技術を利用して集積可能な超小型の集積光ピックアップを提供すること。 - 特許庁

In the DVD technology fields, other intellectual properties such as polycarbonate resin, high-power semiconductor laser, LSI chipset, and small-sized ultra precision motor and aspheric bifocal lens have also been successfully incorporated into the global standards by Japanese companies.例文帳に追加

これ以外にも、DVD関連技術では、ポリカーボネート樹脂を始め、高出力半導体レーザー、LSIチップセット、小型超精密モーター、非球面二焦点レンズ等の知的財産が、成功裏に国際規格に盛り込まれている。 - 経済産業省

To provide a semiconductor element dramatically scaling back the channel length, and a manufacturing method thereof, by manufacturing a high-performance transistor and a memory cell which exhibit highly intense program/deletion efficiency and reading speed, permit low operation voltages and have ultra-small gate feature and an entire size.例文帳に追加

強力なプログラム／消去効率及び読み出し速度を示し低い動作電圧を許容する非常に小さいゲート形状及び全体サイズを有した高性能のトランジスタ及びメモリセルを製造して、チャネル長さを劇的にスケーリングできる半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device isolation structure that prevents a leak current due to inversion arising along the side wall of a device isolation film in an ultra-highly integrated device, and reduces a device RC delay owing to small capacitance in a trench.例文帳に追加

本発明の目的は、超高集積素子で素子分離膜の側壁に沿って生じる反転によるリーク電流発生を抑制し、トレンチ内部にキャパシタンスが小さくして素子のＲＣ遅延を減少させた半導体素子の素子分離構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor element dramatically scaling back the channel length and a manufacturing method thereof, by manufacturing a high-performance transistor and a memory cell which exhibit highly intense program/deletion efficiency and a reading speed, permit low operation voltages, and have ultra-small gate feature and an entire size.例文帳に追加

強力なプログラム／消去効率及び読み出し速度を示し低い動作電圧を許容する非常に小さいゲート形状及び全体サイズを有した高性能のトランジスタ及びメモリセルを製造して、チャネル長さを劇的にスケーリングできる半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁