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v-uvとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 真空紫外線

JST科学技術用語日英対訳辞書での「v-uv」の意味

「v-uv」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 14



例文

A V level suppression circuit 25 applies suppression based on the UV suppression parameter to the V signal in accordance with the edge intensity signal.例文帳に追加

Vレベル抑圧回路25では、エッジ強度信号に応じて、UV抑圧パラメータに基づいた抑圧をV信号に施す。 - 特許庁

The sectional shape of the bent part (5) is preferably L-shape, V-shape, UV-shape and projecting shape.例文帳に追加

屈曲部(5)の横断面形状は、L字型、V字型、UV字型、凸字型などが好ましい。 - 特許庁

A u-direction correction quantity calculation section 23 and a v-directional correction quantity calculation section 24 calculate a correction quantity for the uv signal by a calculating method set by a direction correction quantity calculating method setting section 30.例文帳に追加

u方向補正量計算部23、および、v方向補正量計算部24は、方向補正量計算方法設定部30により設定された計算方法でuv信号の補正量を計算する。 - 特許庁

An iron core 3 is constituted with leg portions 3i (i = u, v, and w) of the phases U, V and W coupled in parallel and member portions 3j (j = uv an vw) formed by coupling the center of the leg portions between the phases U and V and between V and W.例文帳に追加

鉄心3を、並列に連結したU相、V相、W相の脚部3i(i=u、v、w)と、U相とV相の間、及びV相とW相の間で、脚部同士の中央を連結した梁部3j(j=uv、vw)とで構成する。 - 特許庁

An adder 26 adds the level of the U signal calculated by a U level detection circuit 22 and the level of the V signal calculated by a V level detection circuit 24 to calculate a UV (ultraviolet ray) suppression parameter.例文帳に追加

Uレベル検出回路22で求めたU信号のレベルと、Vレベル検出回路24で求めたV信号のレベルを加算器26において加算し、UV抑圧パラメータを求める。 - 特許庁

When a uv rectangular coordinate system which sets a u-axis defined in the direction corresponding to an X-axis and a v-axis defined in the direction perpendicular to the u-axis is defined, a position relating to the v-axis direction of the image of the alignment mark is detected.例文帳に追加

受像面上に、X軸に対応する方向をu軸、u軸に直交する方向をv軸とするuv直交座標系を定義した時、アライメントマークの像の、v軸方向に関する位置を検出する。 - 特許庁

例文

A function BTF (θL, ϕL, θV, ϕV, u, v) having six variables of coordinate values u, v in uv two-dimensional coordinate system, an incidence angle θL and an azimuth angle ϕL of illumination light, and an emission angle θV and an azimuth angle ϕV of reflection light is prepared as the texture data 20.例文帳に追加

uv二次元座標系での座標値u,v、照明光の入射角θLおよび方位角φL、反射光の射出角θVおよび方位角φVの6つの変数をもつ関数BTF(θL,φL,θV,φV,u,v)をテクスチャデータ20として用意する。 - 特許庁

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Weblio英和対訳辞書での「v-uv」の意味

VUV

Weblio英和対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「v-uv」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 14



例文

A Y gain multiplication unit 33 and a UV gain multiplication unit 34 multiply each of the inputted Y signal, U signal, and V signal by the same gain to correct the YUV signal.例文帳に追加

そして、Yゲイン乗算部33及びUVゲイン乗算部34が、入力されたY信号並びにU信号及びV信号に対して、相互に同一のゲインを乗算し、YUV信号を補正する。 - 特許庁

The GRIN lenses 1 and 1 are arranged in a V-groove 12 of a filter module fixing jig 11 so as to be held in across an adhesive consisting of a UV curing resin and are fixed by a retaining cap 13.例文帳に追加

フィルタモジュール固定治具11のV字溝12に、グリンレンズ1、1が誘電体多層膜2を紫外線硬化型樹脂からなる接着剤を介して挟み込むように配し、押え蓋13で固定する。 - 特許庁

A binder liquid containing a UV curing monomer is applied thereon in a liquid drop state and the binder liquid is cured by irradiating the substrate 1 with an ultra-violet ray V to form a partition wall 4.例文帳に追加

次に、その上に紫外線硬化性モノマーを含むバインダー液を液滴状態で塗布し、その基板1上に紫外線Vを照射してバインダー液を硬化せしめて隔壁4を形成する。 - 特許庁

To provide a process for efficiently producing a particulate phosphor represented by Y(V, P)O_4:A, wherein A represents a rare earth metal other than yttrium, whose luminance is less reduced by initial UV irradiation.例文帳に追加

初期の紫外線照射による発光輝度の低下が少ない、ナノサイズのY(V,P)O_4:A(Aは、イットリウム以外の希土類金属を示す。)で表される微粒蛍光体を効率よく製造する方法を提供する。 - 特許庁

When a uv orthogonal coordinate system having as a (u) axis the direction corresponding to the X axis of an object space on the photodetection image receiving surface 29 is defined, light intensity on the photodetection image receiving surface 29 is integrated by (v) coordinates along the (u) axis to obtain a 1st waveform representing a light intensity distribution relating to the (v) axis.例文帳に追加

受光受像面29上の、物体空間のX軸に対応する方向をu軸とするuv直交座標系を定義した時、受光受像面29上の光強度を、v座標ごとにu軸方向に積算して、v軸方向に関する光強度分布を示す第1の波形を得る。 - 特許庁

When a wafer 57 mounted on a stage 58 in a chamber 51 is subjected to an etching treatment, and when ultraviolet light UV generated from a plasma 56 is monitored, a negative bias voltage (for example, -30 V) is applied to a sensor 70 by a voltage source 87.例文帳に追加

チャンバ51内のステージ58上に載置されたウェハ57に対してエッチング処理を行う際に、プラズマ56から発生する紫外光UVのモニタを行う場合、電圧源87により、負のバイアス電圧(例えば、−30V)をセンサ70へ印加する。 - 特許庁

例文

The ultraviolet light detection device 1 collects natural light in a predetermined range with a pinhole 35, converts to a parallel light with a binary lens 37, vertically irradiates the converted parallel light to an incident plane of a diffraction grating 5 as an incident light through a slit 41 formed on a nickel film and receives ultraviolet light UV-A, UB-V and UV-C dispersed by the diffraction grating 5.例文帳に追加

紫外線計測装置1では、ピンホール35によって所定の範囲の自然光を集光し、集光した自然光をバイナリーレンズ37によって平行光に調整し、平行光に調整した光を、ニッケル膜に形成したスリット41を介して、回折格子5の入射面に入射光として垂直に入射し、回折格子5により分光された紫外線UV−A、UB−B、UV−Cを受光する。 - 特許庁

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