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vapor phase rateとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 気相率
「vapor phase rate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 44件
To provide a two-phase flow distributor capable of allowing a liquid phase and a vapor phase to flow out to a plurality of refrigerant outlet pipes with uniform rate even when a boundary face between a liquid phase part and a vapor phase part is instable.例文帳に追加
液相部及び気相部の間の境界面が不安定であっても、液相及び気相を均一な割合で複数の冷媒出口管へ流出するようにした二相流分配器を提供することにある。 - 特許庁
To provide a vapor phase epitaxial growth device and a vapor phase epitaxial growth method capable of preparing a film free from film quality degradation on a substrate, when the flow rate of a raw material gas changes significantly during vapor phase epitaxial growth.例文帳に追加
気相成長時に原料ガス流量は大きく変化した場合においても、基板上において、膜質劣化のない膜体を高い再現性の下に作製することが可能な気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁
To provide, of the vapor phase growth techniques, a technique for increasing the growth rate of a semiconductor film.例文帳に追加
気相成長技術において、半導体膜の成長速度を速くする技術を提供する。 - 特許庁
To provide a vapor phase growth apparatus which increases the operation rate of an apparatus.例文帳に追加
装置の稼働率を向上させることができる気相成長装置を提供する。 - 特許庁
To provide a vapor phase epitaxial growth device having a straightening plate capable of preparing a film free from film quality degradation on a substrate with high reproducibility even when the flow rate of a material gas changes significantly during vapor phase epitaxial growth, and to provide a vapor phase epitaxial growth method.例文帳に追加
気相成長時に原料ガス流量は大きく変化した場合においても、基板上において、膜質劣化のない膜体を高い再現性の下に作製することが可能な整流板を有する気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁
To provide a vapor phase growth apparatus capable of improving the yield rate of wafers by stopping infiltration of metal contaminants generated below a horizontal disk-like susceptor, and to provide a vapor phase growth method.例文帳に追加
水平円盤型サセプタの下方から発生する金属汚染物の浸入を遮蔽し、ウェーハの歩留まり率を改善することを可能とする気相成長装置および気相成長方法を提供する。 - 特許庁
To provide a vapor-phase epitaxial growth apparatus and a vapor-phase epitaxial growth method, by which a flow rate of a raw material gas on a surface of a substrate can be regulated partially and also entirely on the surface of the substrate continuously.例文帳に追加
基板表面上における原料ガスの流速を部分的に、かつ、基板表面上の全体的に連続して調節可能な気相成長装置および気相成長方法を提供する。 - 特許庁
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「vapor phase rate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 44件
To provide a vapor phase growth device for a gallium nitride compound semiconductor, wherein a flow rate of GaCl gas can be increased by prolonging a reaction time with a Ga melt even when a flow rate of HCl gas is increased, and to provide a vapor phase growth method for a gallium nitride compound semiconductor.例文帳に追加
HClガスの流量を増やしても、Ga融液との反応時間を長くしてGaClガスの流量を増加させることができる窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長装置及び窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法を提供すること。 - 特許庁
To provide technique of achieving an increase of a vapor deposition rate of a titanium compound in a gaseous phase vapor deposition method without using special excitation and activation means.例文帳に追加
本発明は、特別な励起、活性化手段を用いることなく気相蒸着法におけるチタン化物の蒸着速度の増大を達成させる技術を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a method of judging the flow pattern of vapor-liquid two- phase flow in which the flow pattern of a vapor-liquid two-phase flow in piping, the inside of which cannot be observed visually, can be judged objectively with high correct rate (accuracy) from the outside without having any effect on the piping and its flow.例文帳に追加
内部が目視観察できない配管内の気液二相流のフローパターンを、配管およびその流れに影響を与えることなく、外部から高い正解率(精度)で、客観的に判別することができる気液二相流のフローパターン判別方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a crystal which can prevent the decline in growth rate and the deviation in solid phase composition when growing a C-doped compound semiconductor using the metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加
有機金属気相成長法を用いてCドープ化合物半導体を成長する際に、成長速度の低下や固相組成のずれを抑制することができる結晶の作製方法を提供する。 - 特許庁
This thermoplastic elastomer composition is obtained by using a thermoplastic resin having ≤100 g/m2.24 h water vapor transmission rate (30 μm thickness) and a rubber providing ≤300 g/m2.24 h water vapor transmission rate (30 μm thickness) when crosslinked as raw materials and has a dispersed phase comprising an at least partially dynamically crosslinked rubber composition in a continuous phase of the thermoplastic resin.例文帳に追加
水蒸気透過率が100g/m^2 ・24h以下(30μm厚)の熱可塑性樹脂と、架橋した場合には水蒸気透過率が300g/m^2 ・24h以下(30μm厚)となるゴムを原料とし、熱可塑性樹脂連続相中に少なくとも一部が動的に架橋されたゴム組成物からなる分散相を有する熱可塑性エラストマー組成物。 - 特許庁
This anatase-type titanium oxide single crystal is obtained by a vapor-phase reaction of titanium tetrachloride, and has ≥0.1 μm particle diameter and ≤50% rate of rutile.例文帳に追加
本発明に係るアナターゼ型酸化チタン単結晶は、四塩化チタンの気相反応で得られ、粒径0.1μm以上かつルチル化率50%以下である。 - 特許庁
A group III-V nitride boule is formed by growing a group III-V nitride material on a corresponding native group III-V nitride seed crystal by vapor phase epitaxy at a growth rate above 20 μm per hour.例文帳に追加
相応する天然III−V族窒化物シード結晶上で、気相エピタクシーによって、1時間に20μmを上回る成長速度で、III−V族窒化物材料を成長させることにより、III−V族窒化物ブールを形成する。 - 特許庁
To manufacture a protective film for polarizer having an extremely small phase difference between film surface direction and a thickness direction and having a moisture vapor permeation rate suited for the protective film for the polarizer.例文帳に追加
フィルム平面方向および厚み方向の位相差が極めて小さく、偏光子保護フィルムとして適度な水蒸気透過度を有する偏光子保護フィルムを得る。 - 特許庁
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