「vapor phase rate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a vapor phase growth apparatus capable of improving the yield rate of wafers by stopping infiltration of metal contaminants generated below a horizontal disk-like susceptor, and to provide a vapor phase growth method.例文帳に追加

水平円盤型サセプタの下方から発生する金属汚染物の浸入を遮蔽し、ウェーハの歩留まり率を改善することを可能とする気相成長装置および気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor-phase epitaxial growth apparatus and a vapor-phase epitaxial growth method, by which a flow rate of a raw material gas on a surface of a substrate can be regulated partially and also entirely on the surface of the substrate continuously.例文帳に追加

基板表面上における原料ガスの流速を部分的に、かつ、基板表面上の全体的に連続して調節可能な気相成長装置および気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth device for a gallium nitride compound semiconductor, wherein a flow rate of GaCl gas can be increased by prolonging a reaction time with a Ga melt even when a flow rate of HCl gas is increased, and to provide a vapor phase growth method for a gallium nitride compound semiconductor.例文帳に追加

ＨＣｌガスの流量を増やしても、Ｇａ融液との反応時間を長くしてＧａＣｌガスの流量を増加させることができる窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長装置及び窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide technique of achieving an increase of a vapor deposition rate of a titanium compound in a gaseous phase vapor deposition method without using special excitation and activation means.例文帳に追加

本発明は、特別な励起、活性化手段を用いることなく気相蒸着法におけるチタン化物の蒸着速度の増大を達成させる技術を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method of judging the flow pattern of vapor-liquid two- phase flow in which the flow pattern of a vapor-liquid two-phase flow in piping, the inside of which cannot be observed visually, can be judged objectively with high correct rate (accuracy) from the outside without having any effect on the piping and its flow.例文帳に追加

内部が目視観察できない配管内の気液二相流のフローパターンを、配管およびその流れに影響を与えることなく、外部から高い正解率（精度）で、客観的に判別することができる気液二相流のフローパターン判別方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a crystal which can prevent the decline in growth rate and the deviation in solid phase composition when growing a C-doped compound semiconductor using the metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

有機金属気相成長法を用いてＣドープ化合物半導体を成長する際に、成長速度の低下や固相組成のずれを抑制することができる結晶の作製方法を提供する。 - 特許庁

This thermoplastic elastomer composition is obtained by using a thermoplastic resin having ≤100 g/m2.24 h water vapor transmission rate (30 μm thickness) and a rubber providing ≤300 g/m2.24 h water vapor transmission rate (30 μm thickness) when crosslinked as raw materials and has a dispersed phase comprising an at least partially dynamically crosslinked rubber composition in a continuous phase of the thermoplastic resin.例文帳に追加

水蒸気透過率が１００ｇ／ｍ^2 ・２４ｈ以下（３０μｍ厚）の熱可塑性樹脂と、架橋した場合には水蒸気透過率が３００ｇ／ｍ^2 ・２４ｈ以下（３０μｍ厚）となるゴムを原料とし、熱可塑性樹脂連続相中に少なくとも一部が動的に架橋されたゴム組成物からなる分散相を有する熱可塑性エラストマー組成物。 - 特許庁

This anatase-type titanium oxide single crystal is obtained by a vapor-phase reaction of titanium tetrachloride, and has ≥0.1 μm particle diameter and ≤50% rate of rutile.例文帳に追加

本発明に係るアナターゼ型酸化チタン単結晶は、四塩化チタンの気相反応で得られ、粒径０．１μｍ以上かつルチル化率５０％以下である。 - 特許庁

A group III-V nitride boule is formed by growing a group III-V nitride material on a corresponding native group III-V nitride seed crystal by vapor phase epitaxy at a growth rate above 20 μm per hour.例文帳に追加

相応する天然III−Ｖ族窒化物シード結晶上で、気相エピタクシーによって、１時間に２０μｍを上回る成長速度で、III−Ｖ族窒化物材料を成長させることにより、III−Ｖ族窒化物ブールを形成する。 - 特許庁

To manufacture a protective film for polarizer having an extremely small phase difference between film surface direction and a thickness direction and having a moisture vapor permeation rate suited for the protective film for the polarizer.例文帳に追加

フィルム平面方向および厚み方向の位相差が極めて小さく、偏光子保護フィルムとして適度な水蒸気透過度を有する偏光子保護フィルムを得る。 - 特許庁

The plurality of layers are laminated by performing vapor phase growth while varying at least one of the kind, ratio, and flow rate of a material gas constituting a source gas.例文帳に追加

原料ガスを構成する材料ガスの種類、比率および流量のうち少なくとも一つを変化させながら気相成長させることにより、複数層を積層させる。 - 特許庁

A microcrystalline diamond film 2 is deposited on a nondiamond carbon base material 1 consisting of amorphous carbon or graphite at a film deposition rate of 0.5 μm/hr by a chemical vapor phase synthesis.例文帳に追加

アモルファス炭素又はグラファイトからなる非ダイヤモンド炭素基材１上に、化学気相合成によって、成膜速度を０．５μｍ／時として微結晶ダイヤモンド膜２を形成する。 - 特許庁

The circulation rate of refrigerant in a cooling cycle is set up so that two-phase mixture exiting a cold plate evaporator apparatus 18 stays within a saturation dome of all mixtures between a saturated liquid and a saturated vapor.例文帳に追加

冷却サイクル内の冷却剤の循環量は、冷板蒸発器装置１８を出る２相混合物が飽和液体と飽和蒸気との間のすべての混合物の飽和ドーム内に留まるように、設定される。 - 特許庁

To reduce flow rate fluctuations and mixing ratio instability of a gaseous starting material when switching flow passages to each other in the vent/run method raw material supplying system of a vapor phase growth apparatus.例文帳に追加

気相成長装置のベント／ラン方式の原料供給系において、流路の切換え時における原料気体の流量の変動、並びに原料気体の混合比の不安定性を減少させる。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth apparatus that ejects a material gas at an equal flow rate for any angle, and suppresses the decomposition and crystallization of the material gas on the opposite face of a susceptor.例文帳に追加

原料ガスをあらゆる角度に対して均等な流量で噴出でき、サセプタの対面においては原料ガスの分解、結晶化を抑制できる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor-phase growth device forming a high-quality laminate structure with a plurality of types of thin films laminated therein by accurately controlling temporal change of a flow rate.例文帳に追加

流量の時間変化を高精度に制御することにより、複数種類の薄膜が積層された高品質な積層構造を形成することが可能な気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth device of a rotation/revolution type which keeps a flow rate of a purge gas or a raw material gas constant at a time when a direction in which the raw material gas is introduced and a direction in which a susceptor rotation is introduced are set to be the same direction.例文帳に追加

原料ガス導入方向とサセプタ回転導入方向とを同一方向としたときのパージガスや原料ガスの流量を一定に保つことができる自公転型の気相成長装置を提供する。 - 特許庁

Such an arrangement can adjust a flow rate of the process gas to be supplied to the whole surface on which a vapor phase deposited film of the wafer 105 is formed, improving the uniformity in film thickness and impurity concentration over the whole surface of the wafer 105.例文帳に追加

これにより、ウェハ１０５の気相成長膜が成膜される全面に供給するプロセスガスの流量を調整し、ウェハ１０５全面における膜厚や不純物濃度の均一性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a remote plasma CVD machine which can feed a raw material gas for growing a CNT (Carbon Nano-Tube) in vapor phase to a substrate at a fixed flow rate, and is excellent in maintainability.例文帳に追加

ＣＮＴを気相成長させる原料ガスを一定の流れで基板に供給できるメンテナンス性のよいリモートプラズマＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth system which can effectively cancel the influence of the widthwise flow rate distribution in a reaction chamber, using a comparatively simple mechanism, thereby ensuring a proper film thickness distribution accuracy.例文帳に追加

比較的単純な機構によりながら、反応容器内の幅方向の流量分布の影響を効果的に減殺することができ、ひいては良好な膜厚分布精度を確保できる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

The vapor-phase process device 1 includes a treatment chamber 4, gas-feeding openings 13-15 as two or more gas inlet units, and a gas-feeding unit (a gas-feeding member 38, a pipe 37, a flow rate control device 36, pipes 33-35, a buffer chambers 23-25).例文帳に追加

気相処理装置１は、処理室４と、複数のガス導入部としてのガス供給口１３〜１５と、ガス供給部（ガス供給部材３８、配管３７、流量制御装置３６、配管３３〜３５、バッファ室２３〜２５）とを備える。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth method and a vapor phase growth apparatus, for a thin film such that a material gas flowing fast in a supply pipe is equally distributed within a short distance and guided to a reaction chamber and even when the material gas flow rate is extremely high, a flow velocity distribution of the material gas on a wafer is made uniform.例文帳に追加

供給管内を高速で流れてきた原料ガスを、短い距離で均等に分配して反応室に導くことができ、また原料ガス流量が非常に多い場合であっても、ウエーハ上の原料ガスの流速分布を均一にすることができる薄膜の気相成長方法及び気相成長装置を提供する。 - 特許庁

In a method for producing a hydrogen storage material, when phase-transforming the hydrogen storage alloy from a vapor phase state or a liquid phase state into a solid phase state, a nanocarbon material is jetted, and the nanocarbon material is grown as solidification nuclei, thus the hydrogen storage alloy can improve a hydrogen reaction rate and a hydrogen storage content, and further, micronization is suppressed.例文帳に追加

水素吸蔵合金を、気相状態または液相状態から固相状態に相変態させるときに、ナノカーボン材を噴射して、ナノカーボン材を凝固核として成長させた水素吸蔵合金は、水素反応速度及び水素吸蔵量を向上させ、更に微粉末化を抑制することが判明した。 - 特許庁

In a first steam generator, flow rates Y1 and Y2 of combustion fuel supplied to a vapor phase of a heat exchanger are feedback-controlled based on steam temperature Tm, while the flow rate Y3 of combustion fuel supplied to a liquid phase is feedback-controlled based on steam flow rate Fm.例文帳に追加

第１の蒸気発生装置では、熱交換器の気相部に供給される燃焼燃料の流量Ｙ１，Ｙ２については蒸気温度Ｔｍに応じたフィードバック制御を行い、液相部に供給される燃焼燃料の流量Ｙ３については蒸気流量Ｆｍに応じたフィードバック制御を行なう。 - 特許庁

To provide a forming method of silicon nitride film by vapor phase epitaxy which is capable of forming the silicon nitride film having excellent film characteristics while employing trisilyl amine as a precursor at a comparatively high growth rate even at comparatively low temperatures.例文帳に追加

トリシリルアミンを前駆体として用いながら、優れた膜特性を有するシリコン窒化物膜を比較的低温でも比較的高い成長速度で製造することができる気相成長によるシリコン窒化物膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the temperature dependency of the etching rate of hydrofluoric acid in vapor-phase etching is extremely high, the polymer left on the wafer W can be removed satisfactorily and selectively without damaging the copper wiring film and insulating film.例文帳に追加

ふっ酸の気相エッチングにおけるエッチングレートは、温度依存性が極めて高いので、ウエハＷの温度を適切に調整することによって、銅配線膜および絶縁膜に損傷を与えることなく、ウエハＷ上のポリマーを良好に選択除去できる。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth system of a copper thin film by which a copper thin film having good film quality, desired film thickness and few remaining impurities can be deposited at a high film deposition rate with inexpensive chlorine or hydrogen chloride as a gaseous starting material.例文帳に追加

安価な塩素または塩化水素を原料ガスとして用いて成膜速度が速く、かつ不純物が残留し難い膜質が良好でかつ目的とする膜厚を有する銅薄膜を形成することが可能な銅薄膜の気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a catalyst which can stably keep a high conversion rate of acrolein over a long period of time by lowering the temperature of a hot spot and preventing the reaction efficiency from being deteriorated owing to the thermal degradation of the catalyst and to provide a catalytic vapor-phase oxidation method using this catalyst.例文帳に追加

ホットスポット温度を低減すると共に、触媒の熱劣化に伴う反応効率の低下を抑制し、長期間にわたって、安定的に高いアクロレイン転化率を維持できる触媒、及び該触媒を用いた接触気相酸化方法を提供すること。 - 特許庁

Further, the manufacturing method of the semiconductor circuit device includes a step of forming a second film by depsositing a TiN film by the chemical vapor phase deposition method (CVD) with a flow rate of tetrakis dimethylamino titanium (TDMAT) of 2 to 5 mg per minute.例文帳に追加

更に半導体回路装置の製造方法は、第１膜の上に、テトラキスジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ）の流量を毎分２〜５ｍｇとして化学気相蒸着法（ＣＶＤ）にてＴｉＮ膜を成膜して第２膜を形成するステップとを備えている。 - 特許庁

To provide a method for treating a reactor in which the reactor itself can suppress affection upon reactions and express high rate of selectivity in a method that prepares ethylene oxide by performing contact vapor phase oxidation on ethylene with gases containing oxygen in the presence of silver catalyst.例文帳に追加

本発明は、エチレンを銀触媒の存在下、酸素含有ガスにより接触気相酸化してエチレンオキシドを製造する方法において、反応器自体が反応に及ぼす影響を抑制し高い選択率を発現させうる反応器の処理方法を提供する。 - 特許庁

The conductive polymer is prepared by a melt blending process of the polymer with sharing rate of 100 s^-1 at 600 Pa s or less in viscosity and the carbon fiber prepared by the vapor phase process at 1-15 mass% under mixing energy of 1,000 mJ/m^3 or less.例文帳に追加

溶融粘度がせん断速度１００ｓ^−１で６００Ｐａ・ｓ以下の状態にあるポリマーに、気相法炭素繊維１〜１５質量％を１０００ｍＪ／ｍ^３以下の混合エネルギーで溶融混合する工程を含む導電性ポリマーの製造方法及びその方法で得られた導電性ポリマー。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical fiber preform which is uniform in a longitudinal direction and is free of fluctuation in its external diameter by improving the deposition rate of soot without lowering the manufacturing speed over the entire part in manufacturing a large size preform for the optical fiber by an OVD (outside vapor phase deposition) soot method.例文帳に追加

外付けスート法によって、光ファイバ用母材となる大型のプリフォームを製造するにあたり、全体の製造速度を低下させることなくスートの堆積速度を向上させ、長さ方向に均一で外径変動のない光ファイバ母材用のプリフォームの製法を提供するものである。 - 特許庁

When forming the power generating layer by a plasma vapor phase method using silane gases (SiH_4) as raw material gases in order to contain carbon of the quantity, methane gases (CH4) are introduced within the flow rate range of ≥0.004 and ≤0.17 with respect to that of silane gases.例文帳に追加

この量の炭素を含有させるために、発電層を原料ガスとしてシランガス（ＳｉＨ_４）を用いてプラズマ気相法により形成する際に、メタンガス（ＣＨ_４）をシランガスに対するメタンガスの流量を０．００４以上０．１７以内の範囲で導入する。 - 特許庁

To provide a vapor-phase epitaxial growth system and a manufacturing method of an epitaxial wafer using the same apparatus wherein the influence of its flow-rate distribution can be suppressed in spite of using a relatively simple mechanism, and resultantly, a good film-thickness distribution of its wafer can be secured.例文帳に追加

比較的単純な機構によりながら、流量分布の影響を効果的に減殺することができ、ひいては良好な膜厚分布を確保できる気相成長装置と、それを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法とを提供する。 - 特許庁

Etching rate in gas-phase etching by the vapor of hydrofluoric acid water solution is very high in temperature dependence and, therefore the oxide of the polymer on the wafer W can be removed neatly and selectively, without damaging the copper wiring film and the insulating film by optimally controlling the temperature of the wafer W.例文帳に追加

ふっ酸水溶液の蒸気による気相エッチングにおけるエッチングレートは、温度依存性が極めて高いので、ウエハＷの温度を適切に調整することによって、銅配線膜および絶縁膜に損傷を与えることなく、ウエハＷ上のポリマーの酸化物を良好に選択除去できる。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises a process of preparing an underlayer structure having a silicon carbide layer covering copper wiring, and a process of growing silicon oxycarbide through vapor phase growth by using tetramethylcyclotetrasiloxane, carbon dioxide, and oxygen at a flow rate of 3% or less to the flow rate of the carbon dioxide as source gases.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、銅配線を覆うシリコンカーバイド層を有する下地構造を準備する工程と、前記下地構造上に、ソースガスとして、テトラメチルシクロテトラシロキサン、炭酸ガス、炭酸ガスの流量に対して３％以下の流量の酸素を用い、気相成長でシリコンオキシカーバイドを成長する工程と、を含む。 - 特許庁

The use of a metal electrode catalyst which comprises an element mixture comprising platinum and at least one element selected from ruthenium and molybdenum as an effective component and has been prepared by the vapor phase synthesis under vacuum, as an anode, markedly improves the rate of the electrode oxidation reaction of an alcohol, such as methanol, ethanol, and isopropyl alcohol.例文帳に追加

白金と、ルテニウム、モリブデンから選ばれる少なくとも一つ以上の元素からなる元素混合体を有効成分としてなり、真空下で気相合成法により作製した金属電極触媒をアノードに使用することにより、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどアルコールの電極酸化反応の速度を大きく向上させる。 - 特許庁

Since the temperature dependence of the etching rate of hydrofluoric acid in vapor- phase etching is extremely high, the gate insulating film formed on the wafer W can be well patterned by selectively removing the film without significantly damaging the silicon oxide film and polysilicon film by appropriately adjusting the temperature of the wafer W.例文帳に追加

ふっ酸の気相エッチングにおけるエッチングレートは、温度依存性が極めて高いので、ウエハＷの温度を適切に調整することによって、酸化シリコン膜およびポリシリコン膜に大きな損傷を与えることなく、ウエハＷ上のゲート絶縁膜を良好に選択除去してパターニングできる。 - 特許庁

In an epitaxial growth system 101, a halide vapor-phase epitaxy is performed with a face 10a of a template 10 as a first crystal growth surface, and on a parallel with it and simultaneously, in an etching system 102 a nitrogen (N_2) gas is continuously sprayed on a face 10b (rear face of a silicon substrate A) of the template 10 at a rate of 2slm.例文帳に追加

エピタキシャル成長系統１０１においては、テンプレート１０の面１０ａを最初の結晶成長面とするハライド気相成長を行い、それと並行して同時にエッチング系統１０２においては、テンプレート１０の面１０ｂ（シリコン基板Ａの裏面）に窒素（Ｎ_2 ）ガスを２ｓｌｍの割合で継続的に吹き付けた。 - 特許庁