variable-length arrayとは 意味・読み方・使い方

In addition to a 16-bit-word memory 102 which performs standard operation, a 17th bit is used by a 2nd memory array 104 to obtain variable word length.例文帳に追加

標準動作を行う１６ビットワードのメモリ１０２の他に、第二のメモリ列１０４で１７番目のビットを使用することにより可変ワード長を達成する。 - 特許庁

The device comprises a variable wave length coherent light source 18 which emits a reference coherent beam and a wave length control circuit 17 which control the wavelength of the variable wavelength coherent light source 18 according to the position information of the regenerated signal light on the two-dimensional optical detector array.例文帳に追加

参照コヒーレントビームを出射する波長可変コヒーレント光源１８と、再生信号光の２次元光検出器アレイ２上での位置情報に基づいて波長可変コヒーレント光源１８の波長を最適に制御する波長制御回路１７とを備える。 - 特許庁

When any variable length array exists in a portion of the parameters, the contents of the memory address only for the fixed number of elements designated by a user are acquired in a log.例文帳に追加

また、パラメータの一部に可変長配列が存在する場合には、ユーザが一定量の要素数以下のみログに取得する手段を設けたソフトウェア評価システムである。 - 特許庁

The variable dispersion compensator 41 includes an array waveguide grating 11 provided with an array waveguide 4 comprising a plurality of juxtaposed channel waveguides 4a having length different in a preset value to each other, and a phase distribution imparting part 7 to impart a setting phase distribution for generating wavelength dispersion to the array waveguide 4 of the array waveguide grating 11.例文帳に追加

可変分散補償器４１は、互いに設定量異なる長さの複数並設されたチャネル導波路４ａから成るアレイ導波路４を備えたアレイ導波路回折格子１１と、アレイ導波路回折格子１１のアレイ導波路４に波長分散発生用の設定位相分布を与える位相分布付与部７とを設けて形成する。 - 特許庁

Variable-length data stored in the relational data base 101 are obtained by a data base readout part 102, and set values in summarized arrays are set in a storage part 104 for a summarized object array by an editing part 103 for the summarized object array.例文帳に追加

リレーショナル型データベース１０１に格納されている可変長データをデータベース読み出し部１０２により取得したデータのうち、集約されている列の設定値を集約対象列の編集部１０３により集約対象列の記憶部１０４へ設定する。 - 特許庁

When run-length coding an elementary pixel Xi, the run of a pixel one line preceding the elementary pixel Xi is acquired from an array variable, and the coding parameters J, K of the run including the elementary pixel is determined (step S903).例文帳に追加

着目画素Ｘｉをランレングス符号化する場合、着目画素Ｘｉより１ライン前の画素のランを配列変数から取得し、着目画素が含まれるランの符号化パラメータＪ，Ｋを決定する（ステップＳ９０３）。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage apparatus wherein the unevenness of effective voltages applied to variable resistance elements, which is caused by a difference in wire length due to a positional difference in a memory cell array, can be eliminated, thereby suppressing the variation in resistance characteristics of the variable resistance elements between memory cells.例文帳に追加

メモリセルアレイ内での位置の違いに起因する配線長の違いによる可変抵抗素子に加わる実効電圧の不均一を是正し、メモリセル間の可変抵抗素子の抵抗変化特性のばらつきを抑制することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁