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writing disturbanceとは 意味・読み方・使い方
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「writing disturbance」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 29件
To improve disturbance resistance during writing in a flash memory with reduced voltage of Vcc.例文帳に追加
Vccを低電圧化したフラッシュメモリで書き込み時のディスターブ耐性を改善する。 - 特許庁
To prevent gate disturbance at the time of writing defective address data in a memory cell.例文帳に追加
メモリセルへの不良アドレスデータ書き込み時のゲートディスターブを回避する。 - 特許庁
To provide an initial value transfer circuit that prevents image disturbance at writing timing of external ROM data, such as mode switching.例文帳に追加
モード切替等の外部ROMデータを書込むタイミングにおいて画像に乱れが生じることのない初期値転送回路を提供すること。 - 特許庁
To suppress read disturbance in a reference element in a magnetic random access memory performing spin injection writing.例文帳に追加
スピン注入書き込みを行う磁気ランダムアクセスメモリにおいて、参照素子における読み出しディスターバンスの発生を抑制する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device which controls disturbance at writing/erasing and suppresses an increase in area.例文帳に追加
書き込み/消去におけるディスターブを抑制し、かつ面積の増大を抑えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
During the disturbance test of the bit lines 17, the constant current writing is executed in the dummy cells 15D to imitate a voltage generated through the bit lines 17.例文帳に追加
ビット線17でのディスターブテストの際、ダミーセル15Dに定電流書き込みを行い、ビット線17に発生する電圧を模擬する。 - 特許庁
In writing, a higher voltage than a power voltage can be applied to the bit line, thereby reducing the write disturbance.例文帳に追加
書き込み時にビット線に電源電圧以上の高電圧を印加でき、書き込みディスターブの低減が可能となる。 - 特許庁
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「writing disturbance」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 29件
To solve such problems as incomplete erasing at the time of over-writing a signal on a disk, cross-talk disturbance at the time of signal reproduction, and cross-erase disturbance at the time of recording a signal, and also to realize an increase in recording capacity of the disk.例文帳に追加
ディスクに対して信号をオーバーライトする際の消し残り、信号再生時のクロストーク妨害、信号記録時のクロスイレーズ妨害に関する問題を解決し、さらに、ディスクの記録容量増をも実現する。 - 特許庁
To provide a magnetic head and its manufacturing method capable of always correctly executing, reproducing or writing of a magnetic record without being substantially badly influenced by a magnetic disturbance even if various kinds of magnetized particles or the like stick to the magnetic head or the like to cause the magnetic disturbance.例文帳に追加
磁気を帯びた各種のパーティクル等が磁気ヘッド等に付着して磁気的な外乱の原因となったとしても、その実質的な悪影響を受けることなく、磁気記録の再生や書込を常に正確に行うことのできる磁気ヘッドおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an optical scanning device which is large in latent comatic aberration and selectively corrects the wave front aberration of an intermediate image height disadvantageous to disturbance (a shape error or fitting error of an optical element), to provide an optical writing device, and to provide an image forming apparatus with the optical scanning device and optical writing device.例文帳に追加
潜在的コマ収差が大きく、外乱(光学素子の形状誤差・取り付け誤差)に対して不利な中間像高の波面収差を選択的に補正する光走査装置、光書込装置、及びその光走査装置と光書込装置を備えた画像形成装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device for averaging the number of deleting or writing times in each block of a memory, and suppressing data deterioration with time or caused by reading disturbance in the averaging operation.例文帳に追加
メモリの各ブロックの消去回数または書込み回数を平均化し、その平均化動作において経時やリードディスターブによるデータ劣化をも抑制する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor storage device wherein, with a matrix array comprising a memory cell of less elements, the destruction or disturbance of data is eliminated at reading or erasing/writing of the data of memory cell.例文帳に追加
メモリセルのデータの読み出しまたは消去・書き込みにおけるデータの破壊およびディスターブを皆無とし、かつ少ない素子からなるメモリセルでマトリクスアレイを構成した半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a servo track writer which reduces jitter caused by a spindle motor by reducing disturbance of the spindle motor during servo pattern writing, and to provide an operation method of the servo track writer.例文帳に追加
サーボパターンライト時に、スピンドルモータの外乱を減少させ、スピンドルモータによって発生するジッタを減少させることができるサーボトラックライター及びその動作方法を提供する。 - 特許庁
To stably supply a write voltage to source lines by reducing disturbance in data writing in a nonvolatile semiconductor memory device storing the data in accordance with an accumulated amount of electric charge of memory cells.例文帳に追加
メモリセルの蓄積電荷量に応じてデータを記憶する不揮発性半導体記憶装置において、データ書込時のディスターバンスを低減し、ソース線に対して安定に書込電圧を供給する。 - 特許庁
To provide a multi-level storing type nonvolatile semiconductor memory device in which variation of a threshold value of a memory cell caused by disturbance of a word line is minimized and a peak current and average power consumption in writing can be reduced.例文帳に追加
フラッシュメモリでは、消去レベルに近いしきい値のメモリセルから、しきい値が遠いメモリセルへ順次書込みを行なうようにすると、ワード線ディスターブによるしきい値の変動が大きい。 - 特許庁
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※この記事は「北里大学医療衛生学部 医療情報学研究室」ホームページ内の「医学用語集」(2001.06.10. 改訂)の情報を転載しております。 | |
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