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圧壊抵抗の英語
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英訳・英語 collapse resistance
「圧壊抵抗」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 100件
さらに内圧が上昇すると、被変形部3が圧力破壊して抵抗体7Aが切断される。例文帳に追加
When the internal pressure further increases, the deformed part 3 is broken by pressure to cut a resistor 7A. - 特許庁
比抵抗および耐破壊電圧が非常に大きいアルミニウム導体を提供する。例文帳に追加
To provide an aluminum conductor having very high specific resistance and breakdown voltage. - 特許庁
オン抵抗が小さく、入出力に高電圧が印加された場合でも破壊しない高電圧アナログスイッチ回路を提供する。例文帳に追加
To obtain a high voltage analog switching circuit with a small ON resistance that is not destroyed even when a high voltage is applied to the input or output. - 特許庁
可変電圧源1に高電圧を印加することによりキャパシタ2が絶縁破壊され、第1の抵抗3へ大電流が流れ込む。例文帳に追加
A high voltage is applied to the source 1, so that the capacitor 2 dielectric breaks down, and a large current flows to the resistor 3. - 特許庁
磁気抵抗素子に印加する電圧を低く保ち、トンネル型磁気抵抗素子を記憶素子に用いたときの、バイアス効果、トンネルバリアの破壊を防ぎ、高精度かつ高速な読み出しを可能にする。例文帳に追加
To enable performing highly accurate and high speed read-out by preventing destruction of bias effect and tunnel barrier when voltage applied to a magneto resistive element is kept at a low level and a tunnel type magneto resistive element is used as a storage element. - 特許庁
こうすることで、緊張材12は梁端の下フランジの引張応力に抵抗し、圧縮応力には抵抗しないため、梁端の引張破壊性状を効果的に改善することができる。例文帳に追加
This allows the tendon 12 to resist to the tensile stress in the lower flanges of the beam ends and not to resist to the compressive stress, so that tension fracture properties of the beam ends can be effectively improved. - 特許庁
トレンチ型パワー半導体デバイスのオン抵抗および破壊電圧を、他のデバイス特性の中でもさらに改善すること。例文帳に追加
To further improve the on-resistance of a breakdown voltage of a trench type power semiconductor device among other device characteristics. - 特許庁
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「圧壊抵抗」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 100件
加速電極間に接続される電圧分担用抵抗の近傍で絶縁破壊が生じるおそれをなくした粒子加速器を提供する。例文帳に追加
To provide a particle accelerator which prevents the fear of occurrence of insulation destruction near resistors for voltage sharing connected between acceleration electrodes. - 特許庁
陽極酸化皮膜の比表面積が25m^2/g以上となると、その比抵抗および耐破壊電圧が正に桁違いに急増する。例文帳に追加
If the specific surface area of the anodic oxidation coating is 25 m^2/g or greater, the specific resistance and the breakdown voltage thereof phenomenally increase. - 特許庁
作動中の抵抗が低く破壊電圧の高い、電力スイッチングに適した半導体ディバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a semiconductor device suitable for an electric power switching with low resistance and high breakdown voltage in operation. - 特許庁
低いオン抵抗を有し且つ高い破壊耐圧を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加
To provide a hetero-junction bipolar transistor having a low on-state resistance and a high destructive breakdown voltage. - 特許庁
コンタクト抵抗の低減及びコンタクトホールにおけるリーク電流の低減を図り、さらに、静電破壊耐圧が確保できるようにする。例文帳に追加
To enable the reduction of contact resistance and the reduction of leakage current in a contact hole, and further to enable electrostatic discharge breakdown resistance to be secured. - 特許庁
磁気抵抗変化率が高く、絶縁破壊電圧が高い強磁性トンネル接合構造を有する強磁性トンネル接合素子を提供する。例文帳に追加
To provide a ferromagnetic tunnel junction element having a ferromagnetic tunnel junction structure with high resistance change rate and breakdown voltage. - 特許庁
より高い破壊電圧およびより低いオン抵抗を含み、高周波数において十分に機能するパワースイッチングデバイスを提供する。例文帳に追加
To provide a power switching device which has higher breakdown voltage and lower on-resistance, and satisfactorily functions at a high frequency. - 特許庁
オン抵抗の増加を抑制しつつ,サージ電圧に対する破壊耐量を向上させた絶縁ゲート型半導体装置を提供すること。例文帳に追加
To provide an insulated-gate semiconductor device which can suppress on-resistance and improve breakage resistance to surge voltage. - 特許庁
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collapse resistance
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