圧電半導体薄膜の英語

酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を有する薄膜トランジスタにおいて、薄膜トランジスタのチャネルを形成する酸化物半導体薄膜層中の水素濃度を制御する事により、酸化物半導体薄膜層の導電率を制御し、リーク電流の抑制、しきい電圧の低減、電子移動度の向上といった効果を奏する薄膜トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a thin-film transistor having an oxide semiconductor thin-film layer composed of zinc oxide as the main component, wherein the conductivity of the oxide semiconductor thin-film layer is controlled by controlling hydrogen concentration within the oxide semiconductor thin-film layer that forms a channel of the thin-film transistor to effect leakage current suppression, threshold voltage reduction, and electron mobility increase. - 特許庁

半導体基体の上面上には金属薄膜が形成され、またこの金属薄膜上に駆動電圧の供給を受ける金メッキ層が形成される。例文帳に追加

A metallic thin film is formed on the upper surface of the semiconductor substrate, and a gold plating layer is formed thereon to be given driving voltage. - 特許庁

薄膜電極４と裏面電極５の間に薄膜電極４を正極性とするような電圧を印加すると、ｎ型Si半導体基板１の伝導帯の電子は、真性半導体３の伝導帯に注入される。例文帳に追加

In this thin-film cold cathode, when a voltage is placed between a thin-film electrode 4 and a back electrode 5 so as to positively polarize the thin-film electrode 4, electrons in a conduction band of an n-type Si- semiconductor substrate 1 are injected into a conduction band of an intrinsic semiconductor 3. - 特許庁

しきい値電圧を容易に任意の値に設定することを可能にし、低電圧で駆動する有機半導体薄膜トランジスタの容易な製造を可能にする有機半導体薄膜トランジスタの構造を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a structure of an organic semiconductor thin film transistor capable of easily setting a threshold voltage to a voluntary value, and capable of easily manufacturing the organic semiconductor thin film transistor which is driven by a low voltage. - 特許庁

高速動作を求められるトランジスタの単結晶半導体層を、電圧に対して高い耐圧性を求められるトランジスタの単結晶半導体層より薄膜化し、単結晶半導体層の膜厚を薄くする。例文帳に追加

The single-crystal semiconductor layer of a transistor for which high-speed operation is required is formed thinner than that of a transistor for which high resistance to a voltage is required, so that the thickness of the single-crystal semiconductor layer is made thin. - 特許庁

ＳＯＩ基板のシリコン半導体層を薄膜化することによって横型の半導体装置の耐圧を高め、しかも大電流の通電時にシリコン半導体層が熱破壊されるまでの時間が短くなることを防止する。例文帳に追加

To enhance the breakdown voltage of a lateral semiconductor device by making thin a silicon semiconductor layer of an SOI substrate, and to prevent the time up to thermal breakage of the silicon semiconductor layer during supply of a large current from becoming short. - 特許庁

高電圧に対する高い耐久性と信頼性を有する酸化物半導体薄膜トランジスタを提供することが可能な、新規かつ改良された酸化物半導体薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a novel and improved oxide semiconductor thin film transistor capable of providing an oxide semiconductor thin film transistor with high durability and reliability against high voltage, and a manufacturing method for the same. - 特許庁

有機薄膜トランジスタは、ゲート電極１２、ゲート絶縁膜１４、ソース電極１６、ドレイン電極１８、有機半導体膜２０とを有する有機薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁膜１４と有機半導体薄膜２０との間に閾値電圧制御膜２２を有する。例文帳に追加

The organic thin film transistor is equipped with a gate electrode 12, a gate insulating film 14, a source electrode 16, a drain electrode 18, and an organic semiconductor film 20, and moreover a threshold voltage control film 22 is provided between the gate insulating film 24 and the organic semiconductor thin film 20. - 特許庁