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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "スパッタリング蒸着"に関連した英語例文

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"スパッタリング蒸着"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 9



例文

反応性スパッタリング蒸着装置及び方法例文帳に追加

REACTIVE SPUTTERING DEPOSITION DEVICE AND METHOD - 特許庁

スパッタリング装置とカルコゲン化合物スパッタリング蒸着方法、およびこれを利用した相変化記憶素子形成方法例文帳に追加

SPUTTERING APPARATUS AND METHOD FOR SPUTTERING TO DEPOSIT CHALCOGEN COMPOUND, AND METHOD FOR FABRICATING PHASE-CHANGEABLE MEMORY DEVICE EMPLOYING THE SAME - 特許庁

スパッタリングターゲットと基板との間に仕切り板を設けた反応性スパッタリング蒸着装置を提供する。例文帳に追加

To provide a reactive sputtering deposition device provided with a partition plate between a sputtering target and a substrate. - 特許庁

車両用灯具(100)において、光源(38)の前方に配置したインナレンズ(32)の表面にハーフミラー(40a)をスパッタリング蒸着により設けるとともに、インナレンズの前方に配置したアウタレンズ(34)の裏面の非有効面(36)にもハーフミラー(40b)をスパッタリング蒸着により設ける。例文帳に追加

In this vehicular lamp 100, the half mirror 40a is formed on the surface of an inner lens 32 disposed in front of a light source 38 by means of spattering deposition, and half mirrors 40b are also formed on non-effective surfaces 36 on the back face of an outer lens 34 disposed in front of the inner lens by means of spattering deposition. - 特許庁

例文

良好な特性を有するカルコゲン化合物薄膜を形成するスパッタリング蒸着装置およびそれを利用したカルコゲン化合物薄膜形成方法の提供。例文帳に追加

To provide a sputtering deposition apparatus for depositing a chalcogen compound thin film having satisfactory characteristics, and to provide a method for depositing the chalcogen compound thin film employing the same. - 特許庁


例文

1-4; 鉄(またはNi,Ptおよび炭素薄膜をスパッタリング蒸着した金属線,希土類金属)触媒フィルタ(図1の104)によりCOからCを分離固定(フィルタ温度500~1,000℃)する.例文帳に追加

C is separated from CO and fixed by a catalytic filter (item 104 of the figure, filter temperature 500-1,000°C) of iron (or metal strip, rare earth metal with spattering-evaporated Ni, Pt and carbon thin film). - 特許庁

平坦化誘電体膜14aが、ペースト法により形成される低融点ガラス膜であり、高耐電圧誘電体膜14bが、スパッタリング蒸着法、または化学気相成長法により形成される酸化シリコン膜である。例文帳に追加

The flattened dielectric film 14a is a glass film of low melting point formed by a paste method, and the high withstand voltage dielectric film 14b is a silicon oxide film formed by a sputtering method, a vapor deposition method, or a chemical vapor deposition method. - 特許庁

凹型構造体310は、シリコン基板310上にスパッタリング蒸着法、CVD法等を用いて成膜した第1の金属膜309と、第1の金属膜309の上にめっき法を用いて成形した中央に空間を有する第2の金属膜308とから構成されている。例文帳に追加

The recessed structure 310 consists of a first metal film 309 formed on the silicon substrate 310 using a sputtering, deposition method, and CVD method or the like; and of a second metal film 308 having a space at the center thereof and formed on the first metal film 309 using a plating process. - 特許庁

例文

本発明による反応性スパッタリング蒸着装置は、ターゲットと基板の間に仕切り板を設け、蒸着チャンバーを基板側の反応チャンバーとターゲット側のスパッタリングチャンバーとに区分し、仕切り板の中央部にはターゲットから分離された金属物質が基板に到達できるようにする穴を形成してなる。例文帳に追加

In the reactive sputtering deposition device, the partition plate is provided between the target and the substrate, a vapor deposition chamber is divided into a substrate-side reaction chamber and a target-side sputtering chamber and a hole enabling a metallic substance separated from the target to reach the substrate is formed at the central part of the partition plate. - 特許庁

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