「"線幅精度"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

表面凹凸パターンの線幅精度が良好で、パターン欠陥が抑制されパターン形状精度が良好な転写用原盤基板を安定的に製造することを可能とする。例文帳に追加

To stably manufacture a transfer master disk substrate with a surface formed with rugged pattern excellent in line width accuracy, and excellent in pattern shape accuracy where pattern defect is inhibited. - 特許庁

分割転写方式の電子線露光で、いわゆる重ね合わせ露光を行う場合において、多重重複露光可能領域におけるコントラストの低下に起因する線幅精度の低下を防止する。例文帳に追加

To prevent linewidth-precision deterioration which is caused by a decrease in the contrast in a multiply-overlapped-exposure acceptable region in performing so-called overlay exposure by the electron-beam exposure of a division transfer system. - 特許庁

液浸露光時に生じるウォーターマークやシミをレジストにダメージを与えることなく除去して、解像度及び面内の線幅精度の高い露光・現像方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an exposure/development method featuring high resolution and high line width precision on the surface, which is capable of removing watermarks and spots produced at the time of liquid immersion exposure without doing damage to resist. - 特許庁

モールドをプレスすることにより得られたパターンの残膜を除去する際、そのレジストパターンの線幅精度、形状を劣化させることなく、微細なパターンを形成可能にする方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method capable of forming a fine pattern without deteriorating the line width precision nor shape of a resist pattern when a remaining film of the pattern obtained by pressing a mold is removed. - 特許庁

基板Ｗ内の他の領域に比して線幅精度が要求される特定領域Ａｒ１のレジスト膜厚ｄを求め、求められたレジスト膜厚ｄに合わせた露光量を決定する。例文帳に追加

A resist film thickness (d) in the specific area Ar1 which requires more precision of a line width than in the other areas in a substrate W is obtained, and the exposure corresponding to the obtained resist film thickness d is decided. - 特許庁

ビームが最小線幅の０．９〜１．０倍でも、スレッショールド値６３のバラツキを±１％程度と厳しくすれば、線幅精度は目標である±１０％よりも十分に低い値におさまる。例文帳に追加

Even though the narrowest line width of the beam is the 0.9 to 1.0 times wider than the narrowest line width, the accuracy of the line width is obtained at a value fully lower than ±10%, which is the objective of the accuracy, if an allowance in threshold values 63 is severely confined to ±1% or thereabouts. - 特許庁

アルミニウム電極の断面形状を急峻にし、アルミニウム電極の線幅精度を上げるには、エッチングマスクのホトレジストとアルミニウム蒸着膜の密着を良くすればよい。例文帳に追加

A piezoelectric substrate 10 of lithium niobate which surface 10a has been subjected to mirror finishing is successively vacuum-deposited with an aluminum electrode film 11 and a chromium film 12. - 特許庁

化学増幅型のレジストが塗布され露光された基板を加熱処理するにあたり、レジストの化学増幅反応を促進させて線幅精度の高いパターンを形成できる基板処理装置を提供すること。例文帳に追加

To form a pattern having a high line width accuracy by promoting chemical amplification of a resist at the time of heat-treating a substrate which is applied with the chemically-amplified resist and is exposed. - 特許庁

他の領域に比して線幅精度が要求される特定領域のレジスト膜厚に合わせて最適な露光量を設定することにより、特性劣化や歩留りの低減を防止することができる露光方法および露光システムを提供する。例文帳に追加

To provide a method and system of exposure where the character deterioration and the reduction of an yield are prevented by setting an optimal exposure corresponding to a resist film thickness in a specific area which requires more precision of a line width than in the other areas. - 特許庁

露光された基板を水蒸気雰囲気で加熱できるため、短時間の電子ビーム露光がなされたエネルギー注入量の少ないレジストの場合であっても加熱処理により露光領域にあたる部位を充分に変質させることができ、線幅精度も向上する。例文帳に追加

Since the exposed substrate can be heated in a steam atmosphere, an exposed area of even a resist which has been subjected to short-time electron beam exposure with a little dose of energy can be sufficiently transformed by heat treatment which improves the line width accuracy. - 特許庁

マスクパターンの線幅方向両側を透過する光の位相をシフトさせることで高解像度のパターン露光を行う際に用いられる露光マスクの作製方法であって、ゲートパターン（設計パターン）の中から、線幅精度が要求される高精度パターンと、高解像度でのパターン露光が要求される高解像度パターンとを抽出する（Ｓ２）。例文帳に追加

In the method of manufacturing an exposure mask which is used to perform pattern exposure with a high resolution by shifting the phase of light transmitting both sides in the line width direction of a mask pattern, high-precision patterns requiring line width precision and high-resolution patterns requiring pattern exposure with high resolution are extracted from gate patterns (design patterns) (S2). - 特許庁