「"電荷捕捉"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

また、電荷捕捉剤は、電極と接する該ポリマー層表面や、アクチュエータの伸長部に多く含有させる。例文帳に追加

Much of the electric charge scavenger is contained in the surface of the polymer layer that contacts with the electrode and the extension of the actuator. - 特許庁

窒化物のプログラム可能な読み取り専用（ＮＲＯＭ）セルを形成する方法は、ＮＲＯＭセルの電荷捕捉層中へのチャンネル高温電子注入を電荷捕捉層中への非チャンネル電子の注入からデカップリングする段階を含む。例文帳に追加

A method for forming a programmable read only (NROM) cell of a nitride has the step of decoupling injection of channel hot electrons into a charge trapping layer of the NROM cell from injection of non-channel electrons into the charge trapping layer. - 特許庁

バンドギャップを構造設計した電荷捕捉メモリーセルは、プラチナゲートのような金属又は金属化合物のゲートから、酸化アルミニウムのような高い誘電定数を有する材料のブロッキング層によって隔離され、チャンネルを含む半導体本体から改良されたトンネリング誘電体によって隔離される電荷捕捉素子を有する。例文帳に追加

A charge trapping memory cell whose band gap structure has been designed includes a charge trapping element that is separated from a metal or metal compound gate, such as a platinum gate, by a blocking layer of material having a high dielectric constant, such as aluminum oxide, and separated from a semiconductor body including a channel by an improved tunneling dielectric material. - 特許庁

電荷捕捉層２２ｂのうちゲート導電層１４の一方の端部近傍に電荷蓄積領域を有し、他方の端部近傍には電荷蓄積領域を有さない。例文帳に追加

A charge storage region is provided in the vicinity of one end part of the gate conductive layer 14 in a charge capturing layer 22b and not provided in the vicinity of the other end part thereof. - 特許庁

高耐圧トランジスタ３００は、半導体層１０上に設けられ、第１絶縁層２２ａ、電荷捕捉層２２ｂ、および第２絶縁層２２ｃからなる第１ゲート絶縁層２２２と、第１ゲート絶縁層２２２上に設けられた第１ゲート電極１４ｃとを含む。例文帳に追加

The high breakdown voltage transistor 300 comprises a first gate insulating layer 222 consisting of the first insulating layer 22a, the charge capturing layer 22b and the second insulating layer 22c provided on the semiconductor layer 10, and a first gate electrode 14c provided on the first gate insulating layer 222. - 特許庁

不揮発性記憶装置１００は、半導体層１０上に設けられ、第１絶縁層２２ａ、電荷捕捉層２２ｂ、および第２絶縁層２２ｃからなる積層体１２２と、積層体１２２上に設けられたゲート導電層１４ａとを含む。例文帳に追加

The nonvolatile memory 100 comprises a multilayered body 122 consisting of a first insulating layer 22a, a charge capturing layer 22b and a second insulating layer 22c provided on the semiconductor layer 10, and a gate conductive layer 14a provided on the multilayered body 122. - 特許庁