「"電荷補償"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ブレークダウン電圧変動を抑えることができる、ドリフト経路を有する電荷補償部材とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a charge compensation component having a drift path and a method of production thereof which can reduce a breakdown voltage variation. - 特許庁

リサーフのＰ層１８およびＮ層１６のＰＮ接合対で構成される電荷補償構造をセル部のみならず、終端部にも持たせる。例文帳に追加

In this design, not only a cell section but also a terminal section is provided with an electric charge compensation structure constituted of a RESURF pn junction pair of a p-layer 18 and n-layer 16. - 特許庁

また補償電荷自身を駆動することによりデータの読み出しを実現し、電荷補償を乱すことなく不揮発データを読み出せる構造を実現した。例文帳に追加

On the other hand, a structure for reading out nonvolatile data without disturbing charge compensation is realized by driving compensation charges themselves and reading out the data. - 特許庁

記憶装置は、下部電極１０と、下部電極１０の上方に形成された強誘電体層１２と、強誘電体層１２の上方に形成され、強誘電体層と異なる組成の酸化物からなる電荷補償層１４と、電荷補償層１４の上方に形成された上部電極と、を含む。例文帳に追加

The storage device comprises a lower electrode 10, a ferroelectric layer 12 formed above the lower electrode 10, a charge compensation layer 14 which is formed above the ferroelectric layer 12 and comprises an oxide having different composition from the ferroelectric layer, and an upper electrode formed above the charge compensation layer 14. - 特許庁

強誘電体薄膜の両面を半導体に接触させることで強誘電体と半導体のヘテロ界面で電荷補償を実現し、減分極電界が発生しない構造とした。例文帳に追加

A structure in which a depolarized field is not created is obtained by touching the opposite sides of a thin ferroelectric film to a semiconductor thereby realizing charge compensation on the heterointerface of the ferroelectric and the semiconductor. - 特許庁

電極３と対向電極４とから成る２つの電極３，４間のドリフト経路２は、第１の伝導型のドリフトゾーン５と、第１の伝導型に対して相補的な伝導型の電荷補償ゾーン６とを有する。例文帳に追加

A drift path 2 between two electrodes 3, 4 comprising an electrode 3 and a counter electrode 4 has drift zones 5 of a first conduction type and charge compensation zones 6 of a complementary conduction type with respect to the first conduction type. - 特許庁

酸化膜などの絶縁層が、これらのフローティングガードリング上に設けられ、炭化ケイ素表面電荷補償領域が、これらのフローティングガードリング間に設けられ、この絶縁層に隣接している。例文帳に追加

An insulation layer such as an oxide film is provided on these floating guard rings, and a silicon carbide surface charge compensation region is provided between these floating guard rings and is adjacent to the insulation layer. - 特許庁

エレクトロクロミック膜と共に電荷補償膜であるカーボン膜が配されたミラー構造を有し、着色及び消色の応答性に優れたエレクトロクロミックミラーを提供する。例文帳に追加

To provide an electrochromic mirror which has a mirror structure in which a carbon film as a charge compensation film as well as an electrochromic film is arranged and which excels in responsiveness in coloring and discoloring. - 特許庁

酸化膜などの絶縁層が、これらのフローティングガードリング上に設けられ、炭化ケイ素表面電荷補償領域が、これらのフローティングガードリング間に設けられ、この絶縁層に隣接している。例文帳に追加

An insulating layer, such as an oxide, is provided on the floating guard rings and a silicon carbide surface charge compensation region is provided between the floating guard rings and is adjacent to the insulating layer. - 特許庁

ＨＢＴのエミッタ層として働くｎ型ＩｎＧａＰ層７とその上に形成されるＧａＡｓ層８の間に、高ドープ層である電荷補償層１１を形成することでその界面におけるキャリアの空乏化の現象によるベース電流の増加を抑制し、ＨＢＴの低コレクタ電流での電流増幅率の低下を防ぐようにした。例文帳に追加

Between an n-type InGaP layer acting as an emitter layer 7 of the HBT and a GaAs layer 8 formed on the layer 7, a highly doped charge compensation layer 11 is formed, thereby restraining increase of a base current due to depletion phenomenon of carrier in an interface, and preventing decrease of a current amplification factor in a low collector current of the HBT. - 特許庁

イオン注入に起因する半導体ウェーハ等のワークピース上の過剰電荷を中和させるための手段であって、ワークピース表面の小さい領域上の過剰な正電荷を局所的に検出し、それに応答して、適切なドーズ量の電荷補償電子を電子放射源からワークピース上の上記過剰電荷領域に付加する。例文帳に追加

A means of neutralizing the excess charge on workpieces, such as semiconductor wafers, that results from ion-implantation processes, wherein the excess positive charge on a small area of the workpiece surface is locally sensed, and in response, an appropriate dose of charge-compensating electrons is delivered from an electron emission source to the area of excess charge on the workpiece. - 特許庁

ＨＢＴのエミッタ層として働くｎ型ＩｎＧａＰ層７とその上に形成されるＧａＡｓ層８の間に、高ドープ層である電荷補償層１１を形成することでその界面におけるキャリアの空乏化の現象によるベース電流の増加を抑制し、ＨＢＴの低コレクタ電流での電流増幅率の低下を防ぐようにした。例文帳に追加

Between an n-type InGaP layer 7 acting as an emitter layer of the HBT and a GaAs layer 8 formed on the layer 7, a highly doped charge compensation layer 11 is formed, thereby restraining an increase of a base current due to a depletion phenomenon of carrier in an interface and preventing a decrease of a current amplification factor in a low collector current of the HBT. - 特許庁

ドリフト経路層内に配置された、ドリフトゾーンの領域と電荷補償ゾーンの領域とを含み、垂直に伸びるドリフト経路２に、水平なドリフト経路層のドーピング位置が体積的に重ね合わせられたドリフト経路層ドーピングは、ドリフト経路２の中央の方向よりも、２つの電極３，４の近傍においてのほうがより大きい。例文帳に追加

A drift path layer doping comprising the volume integral of doping locations of a horizontal drift path layer of the vertically extending drift path 2 including the drift zone regions and charge compensation zone regions arranged in the drift path layer is greater in the vicinity of the two electrodes 3, 4 than in the direction of the center of the drift path 2. - 特許庁