「"ACTIVE LAYER"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The first active layer 1 and the second active layer 2 are butt-joint connected to each other.例文帳に追加

第１の活性層１と第２の活性層２とが互いにバットジョイント接合されている。 - 特許庁

Further, the thin-film active layer is mounted on another supporting substrate, and the thin-film active layer is separated from a growth substrate.例文帳に追加

さらに、薄膜活性層を別の支持基板に実装し、薄膜活性層を成長基板から分離する。 - 特許庁

The diffraction grating is formed on the active layer.例文帳に追加

回折格子は、活性層上に形成される。 - 特許庁

The light-emitting layer includes an active layer of a nitride semiconductor.例文帳に追加

前記発光層は、窒化物半導体の活性層を含む。 - 特許庁

The active layer 6 includes quantum dot layers 61 and 62.例文帳に追加

活性層６は、２つの量子ドット層６１，６２を含む。 - 特許庁

A diffraction grating layer 25 is provided along an active layer 24.例文帳に追加

活性層２４に沿って回折格子層２５を設ける。 - 特許庁

The active layer 17 includes an InGaN well layer 21.例文帳に追加

活性層１７は、ＩｎＧａＮ井戸層２１を含む。 - 特許庁

The active layer 17 includes an InGaN region 18.例文帳に追加

活性層１７はＩｎＧａＮ領域１８を含む。 - 特許庁

ACTIVE LAYER ENERGY BAND FOR LASER DIODE例文帳に追加

レーザダイオードの活性層エネルギー帯 - 特許庁

A polymeric semipermeable membrane includes an active layer on a support.例文帳に追加

ポリマー半透膜は支持層上の活性層を含む。 - 特許庁

The 2nd semiconductor film functions as an active layer.例文帳に追加

第２の半導体膜は活性層として機能する。 - 特許庁

The active layer 15-1 includes a group-III nitride semiconductor.例文帳に追加

活性層１５−１はIII族窒化物半導体からなる。 - 特許庁

GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE HAVING P TYPE ACTIVE LAYER例文帳に追加

ｐ型活性層を有するＩＩＩ族窒化物発光装置 - 特許庁

To minimize the disturbance of magnetization in an active layer.例文帳に追加

活性層中の磁化の混乱を最小にする。 - 特許庁

A semiconductor laser chip 1 has an active layer 2.例文帳に追加

半導体レーザチップ１は活性層２を有する。 - 特許庁

A semiconductor laser has an active layer 6.例文帳に追加

半導体レーザは、活性層６を備える。 - 特許庁

This nitride semiconductor light emitting element includes an active layer 16.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子は、活性層１６を有する。 - 特許庁

An active layer 2 is embedded in a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１には活性層２が埋設されている。 - 特許庁

The active layer 5 has a pair of side faces 5a.例文帳に追加

活性層５は、一対の側面５ａを有している。 - 特許庁

This active layer is an n^+ type field stop layer 5.例文帳に追加

この活性層が、ｎ^+型フィールドストップ層５である。 - 特許庁

A first electrode supplies a current to the active layer.例文帳に追加

第１の電極が活性層に電流を供給する。 - 特許庁

A well layer 23a of the active layer 17 includes InGaN.例文帳に追加

活性層１７の井戸層２３ａはＩｎＧａＮからなる。 - 特許庁

An active layer 12 is arranged on a glass substrate 2.例文帳に追加

ガラス基板２上に活性層12を設ける。 - 特許庁

A semiconductor laser is provided with an active layer 6.例文帳に追加

半導体レーザは、活性層６を備える。 - 特許庁

The active layer 108 consists of an oxide.例文帳に追加

活性層１０８は、酸化物で構成される。 - 特許庁

The active layer 5 is disposed on the core layer 4.例文帳に追加

活性層５はコア層４上に設けられている。 - 特許庁

ACTIVE LAYER DISCRETE TYPE PHASE SHIFT DFB LASER例文帳に追加

活性層分離型位相シフトＤＦＢレーザ - 特許庁

An active layer 15 has a quantum well structure.例文帳に追加

活性層（１５）を量子井戸構造とする。 - 特許庁

The active layer 5 has a width of 7-14 μm or above.例文帳に追加

しかも、活性層５の幅が７〜１４μｍ以上である。 - 特許庁

Both sides of the active layer 103 are cut.例文帳に追加

また活性層１０３の両側は切り欠かれている。 - 特許庁

An active layer includes a first active layer 1 containing AlGaInAs and a second active layer 2 that is located closer to an output side of an optical signal than to the first active layer 1 and contains GaInAsP.例文帳に追加

活性層には、ＡｌＧａＩｎＡｓを含有する第１の活性層１と、第１の活性層１よりも光信号の出力側に位置し、ＧａＩｎＡｓＰを含有する第２の活性層２と、が設けられている。 - 特許庁

An active layer 95 has a quantum well structure.例文帳に追加

活性層９５を量子井戸構造とする。 - 特許庁

In the process (3), the active layer or the like is formed on an InP substrate.例文帳に追加

（３）ＩｎＰ基板上に活性層等を形成する。 - 特許庁

The active layer is provided on the lower clad layer.例文帳に追加

活性層は、下部クラッド層の上に設けられている。 - 特許庁

A well layer 23a in the active layer 17 is composed of InGaN.例文帳に追加

活性層１７の井戸層２３ａはＩｎＧａＮからなる。 - 特許庁

The upper clad layer is provided on the active layer.例文帳に追加

上部クラッド層は、活性層の上に設けられている。 - 特許庁

An active layer is formed on the main surface.例文帳に追加

主面上に活性層が形成されている。 - 特許庁

A second semiconductor covers a periphery of the active layer.例文帳に追加

第２半導体は活性層の周囲を覆っている。 - 特許庁

More specifically, the active layer 11 of the photodetector is arranged right under the active layer 10 of the thin film transistor or the active layer 11 of the photodetector is arranged right above the active layer 10 of the thin film transistor.例文帳に追加

さらに具体的には、薄膜トランジスタの活性層１０の直下に受光素子の活性層１１を配置し、あるいは、薄膜トランジスタの活性層１０の直上に受光素子の活性層１１を配置する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ACTIVE LAYER, METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME AND THIN FILM TRANSISTOR HAVING SEMICONDUCTOR ACTIVE LAYER例文帳に追加

半導体活性層製造方法、それを利用した薄膜トランジスターの製造方法及び半導体活性層を具備する薄膜トランジスター - 特許庁

The semiconductor laser element comprises: an active layer 6, and a p-side semiconductor layer formed on the active layer 6 and has a wurtzite crystal structure.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、活性層６と、活性層６上に形成され、ウルツ鉱型結晶構造を有するｐ側半導体層とを備える。 - 特許庁

The active area 10 has an active layer 11 constituting a laser resonator, and a complex connection diffraction grating 7 adjacent to the active layer 11.例文帳に追加

活性領域１０は、レーザ共振器を構成する活性層１１と、活性層１１に近接した複素結合回折格子７とを有している。 - 特許庁

The Fabry-Perot type semiconductor laser element 10 has an active layer 17, and a clad layer 13 having a refractive index lower than the one of the active layer.例文帳に追加

ファブリーペロー型の半導体レーザ素子１０は、活性層１７と、活性層よりも低い屈折率を有するクラッド層１３を有している。 - 特許庁

The semiconductor laser device is used, which includes the active layer 4, and the diffraction grating layer 8 placed above the active layer 4 as its upper layer.例文帳に追加

活性層４と、活性層４の上層に位置する回折格子層８とを有する半導体レーザ装置を用いる。 - 特許庁

To make it possible to control an optional width of an active layer and realize a high mesa structure without making the active layer containing aluminum be in contact with air.例文帳に追加

所望の活性層幅の制御が可能で、アルミニウムを含む活性層を空気に接触させることなく、かつ、高いメサ構造を実現する。 - 特許庁