「"Enhancement Mode"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method for imparting a gate bias to an enhancement mode field effect transistor.例文帳に追加

エンハンスメントモード電界効果トランジスタにゲートバイアスを与える方法を提供する。 - 特許庁

To easily integrate an enhancement-mode FET and a depletion-mode FET.例文帳に追加

エンハンスメントモードＦＥＴおよびデプリーションモードＦＥＴを容易に集積化すること。 - 特許庁

To provide an amplifying circuit which does not easily generate electrostatic damage and operates by low current of electricity by constituting a quasi- enhancement mode hetero junction FET.例文帳に追加

疑似エンハンスメントモード・ヘテロ接合ＦＥＴで構成され、静電気破壊が起こりにくく、低電流で動作する増幅回路を提供する。 - 特許庁

To provide a PHEMT device containing both of an enhancement mode transistor and depletion mode transistor.例文帳に追加

増強モードトランジスタ及び空乏モードトランジスタの両方を含むＰＨＥＭＴデバイスの提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nominally off, or an enhancement mode, device with a III-nitride switch including a recessed gate contact.例文帳に追加

III族窒化物スイッチは、凹型のゲートコンタクトを含み、ノミナリーオフの、すなわち、エンハンスメント型のデバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an easy-to-fabricate HEMT capable of performing an enhancement-mode operation, and also to provide a method of fabricating the device.例文帳に追加

容易に製造することができ、エンハンスメント動作をすることができるＨＥＭＴを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a group III nitride enhancement mode field effect device, which includes a composition and manufacturing process of the device.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物エンハンスメントモード電界効果デバイスについての構造および製造工程がある製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a PHEMT device including both of an enhancement-mode transistor and a depletion-mode transistor.例文帳に追加

増強モードトランジスタ及び空乏モードトランジスタの両方を含むＰＨＥＭＴデバイスの提供。 - 特許庁

To provide an IC including E-pHEMTs (Enhancement Mode Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors) having a ptotective function against on-chip electrostatic discharge without inviting enlargement of the size of the IC.例文帳に追加

ＩＣのサイズの大型化を招くことなく、静電放電に対する保護機能をオンチップで有するＥ−ｐＨＥＭＴのＩＣを実現する。 - 特許庁

The enhancement mode FET device (10) is provided which uses a strained N-doped InAlAs charge shield layer (22) deposited on an intrinsic InAlAs barrier layer (20).例文帳に追加

真性のＩｎＡｌＡｓバリヤー層（２０）上に堆積されたひずみ（strained）N−ドープＩｎＡｌＡｓ電荷シールド層（２２）を用いるエンハンスメントモードＦＥＴデバイス（１０）が開示される。 - 特許庁

In this enhancement mode field effect device, a two-dimensional electron gas 38 exists on, or in the vicinity of, an interface between a group III nitride barrier layer 26 and a pair of active layers 28 containing a group III nitride conductor layer.例文帳に追加

二次元電子ガス３８が、ＩＩＩ族窒化物バリア層２６およびＩＩＩ族窒化物半導体層を含む１対の活性層２８の間の界面において、またはこの界面付近において存在する。 - 特許庁

Thus, a two-dimensional filtering processing is realized by using one-dimensional filters respectively in the vertical and horizontal directions and further, an enhancement effect is improved by selecting an optimum enhancement mode corresponding to the characteristics of the image signals.例文帳に追加

これによって、垂直、水平方向にそれぞれ１次元のフィルタを用いて、２次元におけるフィルタリング処理を実現でき、さらに、画像信号の特性に応じて最適なエンハンスモードを選択することによって、エンハンス効果の向上を図る。 - 特許庁

The resultant enhancement mode device (10) provides the excellent Schottky barrier having a high barrier, which prevents the unwanted surface depletion effect with a charge shield of the shield layer (22) in the region between the end of recessed part and the gate metal.例文帳に追加

結果として得られるエンハンスメントモードデバイス（１０）は、高バリヤー高さを有する優れたショットキーバリヤーを与え、それは、凹部端とゲート金属との間の領域におけるシールド層（２２）による電荷シールドを通じて望ましくない表面空乏効果を阻止する。 - 特許庁

The image control part 11 outputs a connection instruction to restart the connection to the network, to the LAN IF 17 on condition that the security enhancement mode is set and elimination of image data after image formation in an image memory 14 or an image memory 15 is completed.例文帳に追加

また、画像制御部１１は、セキュリティ強化モードに設定されていること、及び、画像メモリ１４又は画像メモリ１５における画像形成後の画像データの消去が完了したことを条件として、ＬＡＮ ＩＦ１７にネットワークとの接続を再開するよう接続命令を出力する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element operating in the normally-off mode or in the enhancement mode by forming a Schottky electrode in a source region of a semiconductor element such as an FET and forming a gate electrode in a part of a source electrode region and a part of a nitride semiconductor region, and provide a manufacturing method for the same.例文帳に追加

半導体素子、例えばＦＥＴのソース領域にショットキー電極を形成し、ゲート電極をソース電極の一部領域と窒化物半導体領域の一部に形成することによって、ノーマリ−オフまたはエンハンスメントモード動作する半導体素子及び製造方法を提供する。 - 特許庁

In an image forming apparatus 1, an image control part 11 outputs a disconnection instruction to disconnect a connection to a network, to a LAN IF 17 on condition that a security enhancement mode is set and a copy start instruction or a print request (an image data input instruction) exists.例文帳に追加

画像形成装置１において、画像制御部１１は、セキュリティ強化モードに設定されていること、及び、コピー開始命令又はプリント要求（画像データ入力命令）が存在することを条件として、ＬＡＮ ＩＦ１７にネットワークとの接続を切断するよう切断命令を出力する。 - 特許庁

In a buck converter circuit in which at least one of the control switch and the synchronous switch is a group III nitride depletion mode, an enhancement mode switch is connected with at least one of the switches using the group III nitride as the base material, and is operated to prevent current conduction by the switch using the group III nitride as the base material, until all biases are established for proper operation.例文帳に追加

制御スイッチおよび同期スイッチの１つまたは両方がＩＩＩ族窒化物デプレーションモードであるバック変換回路であって、エンハンスメントモードスイッチは、ＩＩＩ族窒化物を基材としたスイッチの１つまたは両方に接続され、すべてのバイアスが適切な動作について確立されるまで、ＩＩＩ族窒化物を基材としたスイッチによる電流の伝導を阻止するために動作させられる。 - 特許庁