意味 | 例文 (999件) |
ランダムアクセスを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1283件
磁気抵抗記憶素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE MEMORY STORAGE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び不揮発性ランダムアクセス磁気メモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MAGNETIC MEMORY - 特許庁
ランダムアクセス通信用無線チャネルの使用効率を向上させる。例文帳に追加
To improve the use efficiency of radio channels for random access communication. - 特許庁
ランダムアクセス通信方式、無線通信機器及び無線通信システム例文帳に追加
RANDOM ACCESS COMMUNICATION SYSTEM, WIRELESS COMMUNICATION APPARATUS, AND WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM - 特許庁
ダイナミックランダムアクセスメモリ用ビット線検知回路及び方法例文帳に追加
BIT LINE DETECTING CIRCUIT AND METHOD FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ装置例文帳に追加
MAGNETRORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE - 特許庁
方法は、更に、ランダムアクセス工程で、UEから、UL CC上で、ランダムアクセス前文メッセージを受信し、ランダムアクセス前文メッセージの受信に応答して、対のDL CC上で、ランダムアクセス応答メッセージを伝送するステップを含む。例文帳に追加
The method also includes a step of receiving a random access preamble message on the UL CC from the UE and transmitting a random access response message on the paired DL CC in response to the reception of the random access preamble message during a random access process. - 特許庁
ランダムアクセスベースの通信における伝送時間を保証する。例文帳に追加
To guarantee transmission time in communication on a random access basis. - 特許庁
ユニ・トランジスタランダムアクセスメモリ装置及びそれの制御方法例文帳に追加
UNI-TRANSISTOR RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF - 特許庁
耐久性が改良された熱アシスト磁気ランダムアクセスメモリ素子例文帳に追加
THERMALLY ASSISTED MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT WITH IMPROVED ENDURANCE - 特許庁
カウンタ22は、ランダムアクセスポイントのアドレスをカウントする。例文帳に追加
A counter 22 counts the address of a random access point. - 特許庁
ランダムアクセス制御方法、通信システムおよび基地局例文帳に追加
RANDOM ACCESS CONTROL METHOD, COMMUNICATION SYSTEM, AND BASE STATION - 特許庁
磁気ランダムアクセスメモリおよびそのデータ読み出し方法例文帳に追加
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS DATA READ-OUT METHOD - 特許庁
メディアへのランダムアクセスを補完する画像配信装置を提供する。例文帳に追加
To provide a picture distributing device which supplements random access to media. - 特許庁
基準磁気抵抗を有する磁気ランダムアクセスメモリを提供すること。例文帳に追加
To provide a magnetic random-access memory, having reference magneto-resistance. - 特許庁
実施形態の磁気ランダムアクセスメモリは、シリコン基板を持つ。例文帳に追加
A magnetic random access memory according to an embodiment includes a silicon substrate. - 特許庁
ランダムアクセス方式、基地局装置及び端末局装置例文帳に追加
RANDOM ACCESS SYSTEM, BASE STATION DEVICE AND TERMINAL STATION DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING IT - 特許庁
ダイナミックランダムアクセスメモリおよび半導体記憶装置例文帳に追加
DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE - 特許庁
この遅延素子は、アナログのランダムアクセスメモリ素子を含んでいる。例文帳に追加
These delay elements include analog random access memory elements, respectively. - 特許庁
再生時間を指定して行うランダムアクセス再生が保障される。例文帳に追加
Random access reproduction performed by specifying the reproduction time is secured. - 特許庁
磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気ランダムアクセスメモリ例文帳に追加
MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁
高帯域幅磁気抵抗ランダムアクセスメモリデバイスとその操作方法例文帳に追加
HIGH-BANDWIDTH MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATION THEREOF - 特許庁
磁気ランダムアクセスメモリデバイスのための基準信号生成例文帳に追加
GENERATION OF REFERENCE SIGNAL FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE - 特許庁
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)の消費電流を低減する。例文帳に追加
To reduce the current consumption of a dynamic random access memory (DRAM). - 特許庁
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME - 特許庁
ダイナミックランダムアクセスメモリをテストする方法及び装置例文帳に追加
METHOD AND DEVICE FOR TESTING DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)の消費電流を低減する。例文帳に追加
To reduce current consumption of a dynamic random access memory DRAM. - 特許庁
送信装置および受信装置並びにランダムアクセス制御方法例文帳に追加
TRANSMITTER AND RECEIVER, AND RANDOM ACCESS CONTROL METHOD - 特許庁
スタティックランダムアクセスメモリ素子及びその製造方法例文帳に追加
STATIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
ランダムアクセスプリアンブルおよびシグナリングを効率的に送信する。例文帳に追加
To efficiently transmit a random access preamble and signaling. - 特許庁
磁性体のパターニング方法、磁気記録媒体、磁気ランダムアクセスメモリ例文帳に追加
PATTERNING METHOD OF MAGNETIC SUBSTANCE, MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁
自動連続ランダムアクセス分析システムおよびその構成要素例文帳に追加
AUTOMATED CONTINUOUS AND RANDOM ACCESS ANALYTICAL SYSTEM - 特許庁
不揮発性ダイナミックランダムアクセスメモリの駆動方法例文帳に追加
DRIVING METHOD OF NON-VOLATILE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁
この画像データが外部回路によりランダムアクセスされる。例文帳に追加
The image data are accessed randomly by the external circuit. - 特許庁
磁気ランダムアクセスメモリセルの磁気配向初期化方法例文帳に追加
METHOD FOR INITIALIZING MAGNETIC ORIENTATION OF MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL - 特許庁
ダイナミックランダムアクセスメモリのための読出データ経路例文帳に追加
READ-OUT DATA ROUTE FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁
低コストのランダムアクセス可能な不揮発性記憶装置を提供する。例文帳に追加
To provide a random accessible non-volatile semiconductor storage device of a low cost. - 特許庁
集積度の高い磁気ランダムアクセスメモリを提供する。例文帳に追加
To provide a magnetic random access memory having high integration. - 特許庁
計測部112は、非競合ランダムアクセスの負荷を計測する。例文帳に追加
A measurement part 112 measures a load of the noncompetitive random access. - 特許庁
自動連続ランダムアクセス分析システムおよびその構成要素例文帳に追加
AUTOMATED CONTINUOUS AND RANDOM ACCESS ANALYTICAL SYSTEM AND COMPONENT OF THE SAME - 特許庁
グローバルビット線を有するスタティックランダムアクセスメモリ例文帳に追加
STATIC RANDOM ACCESS MEMORY COMPRISING GLOBAL BIT LINE - 特許庁
アクティブストラップ式磁気ランダムアクセスメモリの記憶素子例文帳に追加
STORAGE ELEMENT OF ACTIVE STRAP MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELLS - 特許庁
磁気ランダムアクセスメモリおよびその動作方法およびその製造方法例文帳に追加
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD FOR OPERATING THE SAME AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁
上りリンクのランダムアクセス方法、移動局、及び送信機例文帳に追加
RANDOM ACCESS METHOD FOR FORWARD LINK, MOBILE STATION AND TRANSMITTER - 特許庁
ランダムアクセス接続を要求する方法及びそのための移動端末機例文帳に追加
METHOD OF REQUESTING RANDOM ACCESS CONNECTION AND MOBILE TERMINAL THEREFOR - 特許庁
ランダムアクセスメモリ及びその読み出し、書き込み、及びリフレッシュ方法例文帳に追加
RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD FOR READING, WRITING, AND REFRESHING - 特許庁
磁気抵抗素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING THEM - 特許庁
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