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「 ランダムアクセス」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 >  ランダムアクセスの意味・解説 >  ランダムアクセスに関連した英語例文

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 ランダムアクセスを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 1283



例文

同報パケットに対する一斉応答における衝突確率を低減するランダムアクセスの技術を提供すること。例文帳に追加

To provide a technique for random access reducing a collision probability of simultaneous responses to a broadcast packet. - 特許庁

スケジューリングリクエストプロシージャとランダムアクセスプロシージャーの間の相互作用を改善する方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR IMPROVING INTERACTION BETWEEN SCHEDULING REQUEST PROCEDURE AND RANDOM ACCESS PROCEDURE - 特許庁

ホストからのランダムアクセスとシーケンシャルアクセスの両方に対しバッファ構成を最適化してアクセス効率を高める。例文帳に追加

To improve the access efficiency by optimizing a buffer configuration for both random access and sequential access from a host. - 特許庁

デジタルビデオおよびオーディオデータの記録において、独立したシーケンスを繋ぎ合わせて、記録済みビデオシーケンスのランダムアクセスを可能とする。例文帳に追加

To perform random access of a recorded video sequence by connecting independent sequences in recording digital video and audio data. - 特許庁

例文

磁気ランダムアクセスメモリは、内部の磁化方向に応じて情報を記憶する複数のメモリセル1を含む。例文帳に追加

The magnetic random access memory includes a plurality of memory cells 1 for storing the information, according to the inside magnetization direction. - 特許庁


例文

ランダムアクセス型の記憶媒体を仮想的なシーケンシャルアクセス型の記憶媒体にエミュレートするエミュレータを実行する計算機システム例文帳に追加

COMPUTER SYSTEM FOR EXECUTING EMULATOR EMULATING RANDOM ACCESS STORAGE MEDIUM TO VIRTUAL SEQUENTIAL ACCESS STORAGE MEDIUM - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリ、半導体メモリ回路、メモリ素子、半導体メモリ素子、半導体メモリ素子にアクセスする方法例文帳に追加

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT, MEMORY ELEMENT, SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR ACCESSING SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT - 特許庁

ランダムアクセスメモリ素子(300)は、互いの上に積重された1つまたは複数のメモリアレイ(100)の面(200)を含む。例文帳に追加

The random access memory device (300) includes planes (200) of one or a plurality of memory arrays (100) stacked one upon another. - 特許庁

ランダムアクセス時の復号化処理を正しく行いつつ、符号化に必要な情報量を削減することを課題とする。例文帳に追加

To reduce the amount of information required for encoding, while correctly performing decoding processing when in random-access. - 特許庁

例文

複数の番組が多重された情報データを記録再生する場合に、容易にランダムアクセス再生を行うことができるようにする。例文帳に追加

To easily reproduce information data at random access in the case of recording and reproducing the information data on which a plurality of programs are multiplexed. - 特許庁

例文

半導体装置、不揮発性ランダムアクセスメモリセル、フローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレイ、及び、このアレイを形成する方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE, NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY, FLOATING GATE MEMORY CELL SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY, AND METHOD OF FORMING THE SAME - 特許庁

複数のWTRU(無線送受信ユニット)の各々が、上りリンクRACHプリアンブル上にてランダムアクセス要求を基地局に送る。例文帳に追加

Each of a plurality of wireless transmit/receive units (WTRUs) sends a random access request to a base station on an uplink RACH preamble. - 特許庁

アクティブモードの間減少した漏洩電流を有するスタティックランダムアクセスメモリ及びその動作方法例文帳に追加

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING DECREASED LEAKAGE CURRENT DURING ACTIVE MODE, AND ITS OPERATING METHOD - 特許庁

半導体装置の製造方法、並びに半導体装置、スタティック型ランダムアクセスメモリ装置及び携帯電子機器例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, THE SEMICONDUCTOR DEVICE, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND PORTABLE ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)(100)は、交点グリッド(104,106,108)上に配列された磁気メモリセル(102)のアレイを含む。例文帳に追加

A magnetic random access memory (MRAM) (100) includes an array of magnetic memory cells (102) arranged on intersection grids (104, 106, 108). - 特許庁

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)装置(8)のメモリセル(12)の大規模なアレイ(10)のための書き込み回路(24)。例文帳に追加

The write circuit (24) for a large array (10) of memory cells (12) of Magnetic Random Access Memory (MRAM) device (8). - 特許庁

高誘電率を有する誘電体層を使用して、高蓄積キャパシタンスを有するダイナミックランダムアクセスメモリの形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a dynamic random access memory having a highly stored capacitance using a dielectric layer having a high dielectric constant. - 特許庁

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスは、セル(14)のアレイ(12)と、アレイ(12)の第1の側に複数の第1の導体とを含む。例文帳に追加

A magnetic random access memory (MRAM) includes an array (12) of cells (14), and a plurality of first conductors on a first side of the array (12). - 特許庁

いくつかの実施形態においては、MLCメモリセルは、スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ(STRAM)メモリセルを備える。例文帳に追加

In some embodiments, the MLC memory cell comprises a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell. - 特許庁

移動通信システムにおけるランダムアクセス用のチャネルのパラメータの自動初期設定や自動最適化を行なう。例文帳に追加

To effect the automatic initialization or automatic optimization of parameter of a channel for random access in mobile communication system. - 特許庁

磁気トンネル接合、磁気ランダムアクセスメモリ、渦磁化状態の形成方法および渦磁化状態の切り換え方法例文帳に追加

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, METHOD FOR FORMING VORTEX MAGNETIZATION STATE, AND METHOD FOR SWITCHING VORTEX MAGNETIZATION STATE - 特許庁

ランダムアクセスチャネル上のプリアンブル信号を受信する際に、誤検出を回避しつつ、精度良く受信すること。例文帳に追加

To receive a preamble signal with high accuracy while avoiding erroneous detection upon receiving the preamble signal on a random access channel. - 特許庁

ダイナミックランダムアクセスメモリに用いられる還元雰囲気に対して安定性を有する誘電体組成物例文帳に追加

DIELECTRIC COMPOSITION USED FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING STABILITY WITH RESPECT TO REDUCING ATMOSPHERE - 特許庁

セル毎に移動局装置からの送信タイミングが異なる場合について、効率の良いランダムアクセスを可能とする。例文帳に追加

To enable efficient random access when transmission timing from a mobile station device is different for each cell. - 特許庁

良好なトラッキングエラー信号及び位置情報信号を生成し、トラッキングサーボ制御とランダムアクセス処理とを精度良く実行する。例文帳に追加

To provide an information recording and reproducing device which generates excellent tracking error signals and position information signals and accurately executes tracking servo control and random access processings. - 特許庁

高速なスイッチング速度を有する強誘電体キャパシタを含む強誘電体ランダムアクセスメモリを提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric random access memory provided with a ferroelectric capacitor having a high switching speed. - 特許庁

スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)の密度を向上させるための分散型復号化システムおよび方法例文帳に追加

DISTRIBUTED DECODING SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVING DENSITY OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) - 特許庁

ランダムアクセス、シーケンシャルアクセスいずれの場合においても、従来よりも高速なリードライト性能を持つディスクアレイ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a disk array device having higher speed read/write performance than a conventional manner in either random access or sequential access. - 特許庁

磁気ランダムアクセスメモリは、相互に離れて第1方向に沿って延びる複数の第1書き込み線1を含む。例文帳に追加

The magnetic random access memory includes a plurality of first write lines 1 extending along a first direction while separating each other. - 特許庁

無線通信システムにおけるランダムアクセス方法、無線通信システム、無線端末及び基地局装置例文帳に追加

METHOD OF RANDOM ACCESS IN RADIO COMMUNICATION SYSTEM, RADIO COMMUNICATION SYSTEM, RADIO TERMINAL AND BASE STATION DEVICE - 特許庁

センスアンプの感度を決定するためのテストシステム及び方法を具備するダイナミックランダムアクセスメモリ回路例文帳に追加

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY CIRCUIT PROVIDED WITH TEST SYSTEM AND METHOD FOR DECIDING SENSITIVITY OF SENSE AMPLIFIER - 特許庁

半導体記憶装置において、メモリセルに対する書き込み動作の完了時間を短縮し、ランダムアクセスサイクルの高速化を図る。例文帳に追加

To speed up a random access cycle by shortening a finish time of write operation into a memory cell in a semiconductor memory. - 特許庁

ランダムアクセスチャンネルにおけるアクセスリソースにより効率的且つより柔軟にアクセスし、データを送受信する。例文帳に追加

To transmit and receive data more efficiently and flexibly performing access to resources in a random access channel. - 特許庁

HDD114には、シーケンシャルアクセスファイルシステム領域とランダムアクセス用ファイルシステム領域とが配置されている。例文帳に追加

A sequential access file system area and random access file system area are provided in an HDD 114. - 特許庁

バッファメモリは、ランダムアクセスが可能なメモリであり、フラッシュメモリと同一なアドレス構造を有する。例文帳に追加

The buffer memory is a random access memory and has the same structure as the flash memory. - 特許庁

書込み電流値の小さなスピントルク磁化反転を応用した磁気ランダムアクセスメモリを提供する。例文帳に追加

To provide a magnetic random access memory realized by application of inverted spin torque magnetization with a small write current value. - 特許庁

シーケンシャルアクセスコマンドに対応した機器をランダムアクセスコマンドに対応した機器と同様に使用する。例文帳に追加

To use a device dealing with sequential access commands like a device that deals with random access commands. - 特許庁

ランダムアクセスメモリ(RAM)のメモリテストを行ったときに、解析が容易になるように、異常のメモリセルを示すアドレスを抽出する。例文帳に追加

To extract an address indicating an abnormal memory cell so that analyzing can be easily performed when a memory test of a random access memory(RAM) is performed. - 特許庁

ランダムアクセスとシーケンシャルアクセスが混在している場合でも、処理の高速化を図ることができるようにする。例文帳に追加

To achieve the high speed operation of processing even if random access and sequential access coexist. - 特許庁

集積回路ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)デバイスおよび混載DRAMを組み込むデバイス用のデータマスキング技術を使用する早期書込み例文帳に追加

EARLY WRITE WITH DATA MASKING TECHNIQUE FOR INTEGRATED CIRCUIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM) DEVICES AND THOSE INCORPORATING EMBEDDED DRAM - 特許庁

これらの不一致検出回路,保持回路および出力レジスタは、ランダムアクセスメモリのビット幅を構成するビット毎に有する。例文帳に追加

These inequality detecting circuits, holding circuits, and output registers are provided for each bit constituting bit width of a random access memory. - 特許庁

ランダムアクセス用途への適用を可能とする強誘電体型不揮発性半導体メモリアレイを提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric type nonvolatile semiconductor memory array permitting its application to random access use. - 特許庁

集積回路のランダムアクセスメモリーで実行される第2プログラムを発生する第1プログラムを実行する。例文帳に追加

A first program is executed to generate a second program executed in a random access memory of an integrated circuit. - 特許庁

記録時のビットレートにおける動画像の処理データ量を圧迫することなく,ランダムアクセスや編集が可能な動画像処理装置を提供する。例文帳に追加

To enable random access and editing, without oppressing the amount of data for moving image processing at a bit rate used in recording. - 特許庁

GDRランダムアクセスポイントが使用されるストリーム切り換えにおいて使用される信号通知方法および装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a signaling method and device for use in stream switching in which GDR random access points are used. - 特許庁

メモリモジュール450は、複数のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)452および故障記憶ユニット454を備える。例文帳に追加

The memory module 450 includes a plurality of dynamic random access memories (DRAMs) 452 and a fault storage unit 454. - 特許庁

放送番組はTVチューナ11を通じてランダムアクセス可能な蓄積装置であるハードディスク12に蓄積される。例文帳に追加

A hard disk 12 which is a random accessible storage device stores broadcast programs through a TV tuner 11. - 特許庁

デジタルビデオ装置100は、プロセッサ113と、プロセッサ113と通信するデジタルランダムアクセスメモリ140とを備える。例文帳に追加

A digital video device 100 includes a processor 113 and a digital random-access memory 140 communicating with the processor 113. - 特許庁

メモリセルストリング(12)内の磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セル(70a/70b/70c/70d)からの読出し処理を実施する方法を提供する。例文帳に追加

A method for performing a read operation from a magnetic random access memory (MRAM) cell (70a/70b/70c/70d) in a memory cell string (12) is provided. - 特許庁

例文

ブート・コードのサイズがランダムアクセス可能なバッファの記憶容量を超える場合でもCPUが直接読み込んで実行可能とする。例文帳に追加

To allow a CPU to directly read and execute a boot code even when the size of the boot code exceeds the storage capacity of a randomly accessible buffer. - 特許庁

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