「イオン注入装置」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

イオン注入装置およびそのクリーニング方法例文帳に追加

ION IMPLANTER AND CLEANING METHOD THEREOF - 特許庁

イオン注入装置のウェハ支持台例文帳に追加

WAFER SUPPORTING TABLE OF ION IMPLANTING DEVICE - 特許庁

イオン注入装置及びウェハ交換方法例文帳に追加

ION IMPLANTATION DEVICE AND WAFER REPLACING METHOD - 特許庁

プラズマイオン注入方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR PLASMA ION IMPLANTATION - 特許庁

ガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材例文帳に追加

MEMBER FOR VITREOUS CARBON COATED ION IMPLANTATION DEVICE - 特許庁

イオン注入装置のクリーニング方法例文帳に追加

CLEANING METHOD FOR ION IMPLANTER - 特許庁

プラズマイオン注入・成膜方法および装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE OF PLASMA ION IMPLANTATION AND FILM FORMING - 特許庁

イオン注入装置におけるビーム進行角補正方法例文帳に追加

BEAM ADVANCING ANGLE CORRECTION METHOD IN ION IMPLANTATION DEVICE - 特許庁

イオン注入装置用エンドステ−ション例文帳に追加

END STATION FOR ION IMPLANTING DEVICE - 特許庁

電界レンズおよびそれを備えるイオン注入装置例文帳に追加

ELECTROSTATIC LENS AND ION IMPLANTATION DEVICE EQUIPPED WITH IT - 特許庁

蛍光体およびそれに用いるイオン注入装置例文帳に追加

PHOSPHOR AND ION IMPLANTATION APPARATUS FOR THE SAME - 特許庁

イオン注入装置及びそのソースヘッド交換方法例文帳に追加

ION IMPLANTATION DEVICE AND REPLACEMENT METHOD OF ITS SOURCE HEAD - 特許庁

イオン注入装置用の質量分析器例文帳に追加

MASS SPECTROMETER FOR ION IMPLANTATION DEVICE - 特許庁

機械式コンビナトリアルイオン注入装置例文帳に追加

MECHANICAL COMBINATORIAL ION IMPLANTATION DEVICE - 特許庁

イオン注入装置のウェーハ保持具例文帳に追加

WAFER HOLDER OF ION IMPLANTATION DEVICE - 特許庁

イオン注入のドーズ均一性検査装置例文帳に追加

DEVICE FOR INSPECTING DOSE UNIFORMITY IN ION IMPLANTATION - 特許庁

イオン注入装置用スキャン・ホイールである。例文帳に追加

This is a scanning wheel for ion implantation processing chamber. - 特許庁

イオン注入装置および成膜並びに洗浄方法例文帳に追加

IRON IMPLANTATION APPARATUS, METHOD FOR FORMING FILM, AND CLEANING METHOD - 特許庁

ウエハー内の領域別に相異なる注入エネルギーでイオン注入を行う、不均一なイオン注入エネルギーを得られるイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation apparatus and an ion implantation method for performing ion implantation with a different implantation energy for each area of a wafer so as to obtain nonuniform ion implantation energy. - 特許庁

本イオン注入装置は、被イオン注入基板Ｗを保持する基板保持部２２を内部に備えたイオン注入室を有し、イオン注入室にイオンビームを導いて、基板保持部に保持された基板にイオンを注入する装置である。例文帳に追加

This ion implantation apparatus has an ion implantation chamber in which a substrate support 22 for supporting nonionic implantation plate W is provided, and leads an ion beam into the ion implantation chamber and implants ions into the substrate supported by the substrate support. - 特許庁

本発明は、イオン注入装置を通るイオンビームのパスに近接する表面を有するイオン注入装置のコンポーネントに関する。例文帳に追加

To provide components in an ion implanter having a surface adjacent to the path of an ion beam through the ion implanter. - 特許庁

イオン注入装置を通るイオンビームパスを少なくとも一部画定している表面を有するイオン注入装置コンポーネントが提供される。例文帳に追加

The components in the ion implanter having the surface defining at least a part of the ion beam path through the ion implanter is provided. - 特許庁

イオンビームを所望の方向に引き出すことができるイオン注入装置の引出電極系およびイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an extraction electrode block for an ion implantation device, which can extract an ion beam in a desired direction, and the ion implantation device. - 特許庁

イオン注入装置で半導体基板の特定領域にイオン注入を施した後、間を置かずに特定領域の熱処理を施し得るイオン注入装置およびイオン注入方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an ion implanting device and an ion implanting method, capable of providing heat treatment for a particular region on a semiconductor substrate as soon as having provided ion implantation for the particular region. - 特許庁

被処理基板を保持するステージの構成を複雑化することなくイオンの注入角度を制御できるイオン注入方法、イオン注入装置及びイオン注入装置用ビーム輸送管を提供すること。例文帳に追加

To provide an ion implantation method, an ion implantation device, and a beam transport pipe for the ion implantation device capable of controlling an ion implantation angle without complicating the structure of a stage for holding a processed substrate. - 特許庁

イオン注入装置用の角度計測装置および関連装置例文帳に追加

ANGLE MEASURING APPARATUS AND RELATED APPARATUS FOR ION INJECTION DEVICE - 特許庁

基板縦方向揺動装置、基板ステージ装置及びイオン注入装置例文帳に追加

VERTICALLY OSCILLATING DEVICE FOR SUBSTRATE, SUBSTRATE STAGE DEVICE, AND ION IMPLANTATION DEVICE - 特許庁

イオン注入装置とこの装置を用いた半導体装置の製造方法例文帳に追加

ION IMPLANTATION APPARATUS AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME - 特許庁

半導体装置、イオン注入装置および半導体装置の製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ION IMPLANTATION APPARATUS - 特許庁

イオン注入装置と注入された特性測定部とを備えるイオン注入システムにおいて、ウェハ２０面内の特性を均一にする。例文帳に追加

To provide an ion injection system that equalizes characteristics within the surface of a wafer 20, in an ion injection system provided with an ion injection device and injected characteristic measuring part. - 特許庁

測定時と実際の注入時とのエネルギーコンタミネーション量の誤差が小さいイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanter and an ion implanting method having little error in energy contamination quantity between measurement and actual implantation. - 特許庁

イオン発生装置、半導体プロセス用イオン注入装置および半導体装置の製造方法例文帳に追加

ION GENERATOR, ION IMPLANTATION DEVICE FOR SEMICONDUCTOR PROCESS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

イオン注入シミュレーション装置、イオン注入シミュレーション方法、イオン注入シミュレーションプログラム及びイオン注入シミュレーションプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体例文帳に追加

DEVICE, METHOD, AND PROGRAM FOR ION IMPLANTATION SIMULATION AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM WITH ION IMPLANTATION SIMULATION PROGRAM RECORDED THEREON - 特許庁

イオン注入装置はプロセスチャンバ４０に送入される注入イオンのビーム１５を発生するイオンビーム発生器を含む。例文帳に追加

This ion implantation device includes an ion beam generator to generate a beam 15 of implantation ions fed into a process chamber 40. - 特許庁

イオンビームの電流密度分布測定方法及び同測定方法を用いたイオン注入方法及びイオン注入装置例文帳に追加

MEASURING METHOD OF CURRENT DENSITY DISTRIBUTION OF ION BEAM, ION INJECTION METHOD USING THE SAME AND ION INJECTION DEVICE - 特許庁

イオン注入装置１０は、イオンビーム発生機構１５、スキャナ部１６、イオン注入室２０を有する。例文帳に追加

The ion injection device 10 has an ion beam generating mechanism 15, a scanner part 16, and an ion injection chamber 20. - 特許庁

本発明は、イオンビーム電流検出手段の損傷を防止して正確にイオンビームを注入できるイオンビーム注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion beam implantation device capable of preventing damage of an ion beam current detection means and exactly implanting ion beam. - 特許庁

イオン注入装置１０は、イオンソース部１１からビームライン部１２を介してイオン注入室１３に至る機構が構成されている。例文帳に追加

This ion implantation device 10 comprises a mechanism from an ion source part 11 through a beam line part 12 to an ion chamber 13. - 特許庁

イオン注入装置１００は、イオンビーム発生機構１０５、スキャナ部１０６、イオン注入室１０７を有する。例文帳に追加

This ion implanting device 100 has an ion beam generating mechanism 105, a scanner part 106, and an ion implanting chamber 107. - 特許庁

イオンビームがウェハに照射される角度のウェハ面内ばらつきを抑制するイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanting device suppressing variation of angles in a wafer surface at which a wafer is irradiated with an ion beam, and an ion implanting method. - 特許庁

イオン注入装置に係り、より詳細には、イオン注入装置のイオンビーム用のガイド管であって、注入装置内で注入されている半導体ウェハの付近に配置されるガイド管１６に係る。例文帳に追加

In the ion beam guide tube in the ion implanter, the guide tube 16 is arranged in the vicinity of the semiconductor wafer being implanted in the ion implanter. - 特許庁

半導体装置の製造方法及びそれを用いたイオン注入装置例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND ION IMPLANTATION APPARATUS USING SAME - 特許庁

ビームプロファイル調整装置とこれを備えるイオン注入装置例文帳に追加

BEAM PROFILE REGULATION APPARATUS AND ION IMPLANTING DEVICE EQUIPPED WITH THIS - 特許庁

イオン注入装置およびこれを備える半導体製造装置例文帳に追加

ION-IMPLANTING DEVICE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS EQUIPPED THEREWITH - 特許庁

イオン注入装置のクリーニング方法及びクリーニング装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR CLEANING ION IMPLANTATION DEVICE - 特許庁