「イオン注入装置」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

イオンビームを用いたイオン注入装置とプラズマドーピング装置とを兼ね備えた複合型の表面処理装置において、イオンビームを用いて低エネルギーのイオンドーピング処理を高精度かつ効率良く行う。例文帳に追加

To provide a composite surface processing device that serves as an ion implantation device using an ion beam and also as a plasma doping device at the same time, and carries out a low-energy ion doping process using an ion beam with high accuracy and high efficiency. - 特許庁

イオン注入装置は、処理基板１６の任意の複数の領域に対するそれぞれの注入角度が設定値を有するイオンビームを照射するイオン照射部４を含む。例文帳に追加

The ion injecting device includes an ion radiating section 4 for radiating ion beams where respective injection angles to a plurality of arbitrary regions of a treatment substrate 16 have set values. - 特許庁

イオンビームのビーム電流値を経時的に動的に制御でき、且つ、エネルギーを変化させないイオン注入方法およびイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation method and an ion implanter capable of dynamically controlling a beam current value of an ion beam with time without changing energy. - 特許庁

イオンビーム入射角方向に均一な指向性を持たせ、かつイオン注入ビ−ムの指向性を連続的に変化させることが可能なイオン注入装置を得る。例文帳に追加

To obtain an ion implanter having uniform directivity in an ion implantation beam incident angle direction, and capable of continuously varying the directivity of the ion implantation beam. - 特許庁

シリコンウェハー等の基板にイオンを注入するためのイオン注入装置において、特に低エネルギー領域のイオンビーム電流の増加を容易にする。例文帳に追加

To facilitate increase of ion beam current, especially in low-energy region, in an ion implanter for implanting ions to substrates such as silicon wafers. - 特許庁

先端半導体デバイスの特性に重要な影響を与えるイオン注入工程のビーム分散現象を取り入れてイオン濃度分布を高速、かつ精度良く計算するイオン注入シミュレーション装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation simulation device for computing an ion concentration distribution accurately at a high speed by incorporating a beam dispersion phenomenon of an ion implantation process imparting an important affection to characteristics of an advanced semiconductor device. - 特許庁

半導体ウェハにイオン照射を行いながら、且つ、正確にイオンビーム電流値を測定して注入量制御することで、従来よりも誤差の少ない注入量制御が可能なイオン照射装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion irradiator capable of reducing an error more than a conventional error, and capable of controlling an implantation quantity by controlling the implantation quantity by accurately measuring an ion beam current value while irradiating a semiconductor wafer with an ion. - 特許庁

基板の正帯電による障害が生じないような構成を備え、しかも異種イオン種間のクロスコンタミネーションが生じないように、イオン注入できるイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation apparatus which is equipped with a mechanism for preventing an obstacle from occurring due to the positive electrification of a substrate, and can implant ions without generating cross- contamination in different kinds of ions. - 特許庁

基板へ不純物イオンを注入する際に不純物濃度の均一性を向上させることができるオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation device capable of enhancing uniformity of impurity concentration when impurity ions are injected into a substrate. - 特許庁

半導体層１８とゲート酸化膜２２との界面に，中ドーズイオン注入装置によりＢ^＋２４を注入する。例文帳に追加

A middle dosed ion implanting device implants B+ 24 in the interface of the semiconductor layer 18 and the gate oxidized film 22. - 特許庁

ウエハへの高精度注入均一性が得られるとともに、生産性が向上したイオン注入装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide an ion implantation apparatus of providing highly accurate implantation uniformity to a wafer and improved productivity. - 特許庁

薄膜半導体装置の製造方法に関し、イオン注入に伴うチャネルエッジ部分の注入欠陥の発生を回避する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a thin-film semiconductor device which can avoid generation of injection failure of a channel edge involved by ion implantation. - 特許庁

脱塩処理は逆浸透膜法又はイオン交換膜法で行い、脱塩処理後に酸素注入装置により酸素を注入、溶解する。例文帳に追加

The desalting treatment is carried out by using a reverse osmotic membrane method or an ion-exchange membrane method, and the oxygen is injected from an oxygen-injecting device thereto after the desalting treatment to dissolve the oxygen therein. - 特許庁

大面積イオンビームにより大型の基板にイオン注入を行うことができ、イオンビームの均一性を制御可能であり、かつイオンビームによるスパッタの発生がなく、スパッタによる悪影響を防止することができるイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanting device in which ion implantation by a large area ion beam can be carried out in a large-scale substrate, uniformity of ion beam is controllable, there is no occurring of a sputter by the ion beam, and which can prevent adverse effect by a sputter. - 特許庁

イオン注入装置１０のＲＦ型イオン発生源１１から発生されたイオンが、イオン加速部１２、エネルギフィルタ１３、走査部１４を介して、イオン注入室１５のウエハＷ上に照射されと、ウエハＷから二次的に粒子が発生される。例文帳に追加

Ions generated from an RF type ion generating source 11 of an ion implantation device 10 is applied to a wafer W in an ion implantation chamber 15 through an ion acceleration part 12, an energy filter 13 and a scanning part 14, so that particles are secondarily generated from the wafer W. - 特許庁

ウエハWにイオンを注入するイオン注入装置１００において、ウエハWを保持するウエハ保持部１３０に設けられた電流を保持するスリット（電流保持部）１２０ａと、スリット１２０ａの電流を検出する電流検出部１３３とを設けたイオン注入装置による。例文帳に追加

In the ion implantation apparatus 100 implanting ions into a wafer W, the ion implantation apparatus is provided with a slit (a current retaining part) 120a for retaining current fitted at a wafer holding part 130 holding the wafer W, and a current detection part 133 for detecting current of the slit 120a. - 特許庁

本発明は、試料に注入されるドーズ量の測定精度を向上させると共に、ウェーハ内注入均一性やウェーハ間注入均一性（再現性）を向上させることが可能なイオン注入装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an ion implanting apparatus wherein the measuring accuracy of the dose implanted in a sample can be improved and the intra- or inter- wafer implantation uniformity (reproducibility) can be improved. - 特許庁

注入した水素イオンの拡散を抑制しながら水素イオンを活性化することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress the diffusion of implanted hydrogen ions while activating the hydrogen ions. - 特許庁

このイオン注入装置は、イオンビーム２０の運動量分析を行う分析電磁石３０および分析スリット４０を備えている。例文帳に追加

This ion implantation device is equipped with the analysis electromagnet 30 that carries out movement analysis of the ion beam 20 and the analysis slit 40. - 特許庁

半導体デバイスの製造に使用できるようなイオン注入装置においてイオンビームを調整する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of tuning an ion beam in an ion implanter that may be used in the manufacture of semiconductor devices. - 特許庁

高精細シングルイオン抽出方法及び該方法を適用した高精細シングルイオン注入装置及び方法例文帳に追加

HIGH PRECISION SINGLE ION EXTRACTING METHOD, AND HIGH PRECISION SINGLE ION INJECTING DEVICE AND METHOD USING IT - 特許庁

イオン注入装置における電源を補強することにより、イオンビームの損失時間を少なくすること。例文帳に追加

To reduce a loss time for ion beam by hardening a power supply for an ion implantation device. - 特許庁

イオン注入装置内を通過するイオンビーム電流の量を調整する可変開口アセンブリ30を操作する。例文帳に追加

A variable opening assembly 30 is operated to adjust quantity of an ion beam current passing through into an ion implantation device. - 特許庁

イオン注入装置の動作に関連付けられ、ウエハに達するイオンビームに影響を与える多くの動作パラメータがある。例文帳に追加

There are many operational parameters associated with the operation of the ion implanter that influence an ion beam that reaches a wafer. - 特許庁

基板に入射する際のイオンビームの平行度測定が可能で平行度の調整が容易なイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanting device capable of measuring a degree of parallelism of ion beams at incidence on a substrate and easily adjusting the degree of parallelism. - 特許庁

イオン注入装置のイオンビームの断面形状にかかわりなく、ビームスキャナに適した収束と整形を実現する。例文帳に追加

To perform focusing and shaping suitable for a beam scanner regardless of a cross-sectional shape of an ion beam of an ion implanting device. - 特許庁

このイオン注入装置は、イオン源２の引出し電極１３をＹ方向において複数の引出し電極片３０に分割して構成している。例文帳に追加

The ion implantation device is composed of an extraction electrode of an iron source 2 which is divided in a plurality of extraction electrode pieces in a Y direction. - 特許庁

イオンビームに対する消耗及び粒子脱落が少ないイオン注入装置用黒鉛材料を提供すること。例文帳に追加

To provide a graphite material for an ion implanting apparatus in which an erosion and a particle drop in the case of irradiating with an ion beam are few. - 特許庁

大電流イオン注入装置におけるイオンビーム電流計測装置４のイオンビームと近接する面４Ｂの形状をＲ形に構成し、イオンビームと接触する面積を低減する。例文帳に追加

In large-current ion implantation equipment, the shape of a surface 4B of the ion beam current measuring apparatus 4, the surface of which is adjacent to an ion beam, is made a round, and area which is in contact with the ion beam is reduced. - 特許庁

イオン源から取出されたイオンビーム５１を、加速管３内に収められた加速電極５に電圧を印可して加速電場を生成することにより加速し、イオン注入対象物へイオン注入するイオン注入装置に、加速管３内の真空中にイオンビーム５１の軌道を覆うようにＸ線遮蔽材６を設置する。例文帳に追加

The ion implanter for implanting ions into an object of ion implantation, by impressing a voltage on an acceleration electrode 5 contained in an accelerating tube 3 to accelerate an ion beam 51 taken out from an ion source by generating an acceleration electric field, is provided with an X-ray shielding material 6 in vacuum in the accelerating tube 3 so as to cover an orbit of the ion beam 51. - 特許庁

半導体装置の製造工程におけるイオン注入において、注入量のシフトを防ぐためにチャンバ内の圧力を１×１０^−４Ｔｏｒｒ以上の状態にしてイオン注入することにより、イオン種、ビーム電流、注入エネルギー、レジスト材料などが異なる場合でも、ビーム中性化（又はイオン化）の計算を行うことなく、イオン注入量のシフトを少なく抑えたイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation apparatus which may reduce shift of ion implantation quantity without calculating the beam neutralization (beam ionization) even when ion species, beam current, implantation energy, and resist material, etc., are different by ion implanting under a pressure within a chamber of more than 1×10-4 Torr so as to prevent shift of ion implantation amount in ion implantation process during manufacture of semiconductor device. - 特許庁

イオン注入装置において使用されるガスの供給に起因する装置の生産性の低下を防ぐことができ、安全性を向上させることができるイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation device which is capable of preventing the deterioration of productivity due to the supply of gas into the device, and also improving its stability. - 特許庁

チャージアップやパーティクルの発生を極力抑制できるとともに、製品歩留りや装置稼働率の低下を防止することができるイオン注入装置およびイオン注入装置の制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanting device and a control method of the ion implanting device, capable of restraining generation of charge-up or particles as much as possible, as well as preventing fall of a production yield or a device working rate. - 特許庁

イオンビームのスイープ系機器を変更することなく幅広いエネルギーおよびイオン種のイオンビームをスイープすることができ、また注入時間を短くして装置のスループット向上を図ることもできるイオン注入方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide method of implanting ion and an ion implanter which are capable of sweeping an ion beam of a wide energy and ion species without a modification of a sweep system equipment of the ion beam and improving a throughput of the ion implanter for short time. - 特許庁

シリコンウェーハを加熱して酸素イオンを注入するＳＩＭＯＸウェーハの製造方法において、シリコンウェーハをイオン注入装置内に搬入するに先立ち、該シリコンウェーハのエッジとウェーハ保持具との整合をダミーウェーハでとり、しかるのち該シリコンウェーハをイオン注入装置内に搬入して、酸素イオンの注入を行う。例文帳に追加

In the method of manufacturing the SIMOX wafer of heating the silicon wafer to implant oxygen ions into the wafer, before carrying the silicon wafer into an ion implanting device, the silicon wafer edge is matched with the wafer holder using a dummy wafer and then the silicon wafer is carried into the ion implanting device to implant the oxygen ions into the wafer. - 特許庁

固体撮像装置の製造方法において、半導体基板１１上に形成したイオン注入マスク２０を用いて、イオン注入により画素形成領域に素子分離領域１９を形成した後、イオン注入マスク２０の膜厚を低減する。例文帳に追加

In a method for manufacturing a solid-state imaging device, after an element isolation region 19 is formed in a pixel forming region by ion implantation by use of an ion implantation mask 20 formed on a semiconductor substrate 11, a film thickness of the ion implantation mask 20 is reduced. - 特許庁

ＦＴ−ＩＲ装置を利用し、シリコン半導体基板に酸素イオンが注入される前のスペクトル波形と、酸素イオンが注入された後のスペクトル波形の差をスペクトル演算することでイオン注入量を正確に測定することができるとともに、これによりＳＩＭＯＸ製品のＢＯＸ層厚みを推定できる。例文帳に追加

Thus, the method can accurately measure the ion implantation amount and estimate the thickness of the BOX layer of the SIMOX product. - 特許庁

イオン注入時の装置上の不具合などによるイオン注入の不均一性を早期に、かつ、容易に発見し、製品の品質安定化、故障期間の短縮化を図ることができるイオン注入状況の確認方法とそれを利用した半導体ウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for confirming an ion implantation status in which ununiformity of ion implantation caused by malfunctions of equipment during the ion implantation, or the like is detected in a early stage and without any difficulty to permit the quality stabilization of a product and the reduction of the failure period thereof; and a method for manufacturing a semiconductor wafer utilizing the same. - 特許庁

本発明の目的は、部品の交換等の作業を容易に行うことができるイオン注入装置の絶縁ブッシングおよびイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an insulation bushing for an ion implantion system, and an ion implantion system facilitating parts replacement work or the like. - 特許庁

イオン注入装置及び半導体装置の製造方法において、ウエハ保持部からの半導体ウエハの浮きをイオン注入時にリアルタイムに検出すること。例文帳に追加

To detect lifting of a semiconductor wafer from a wafer holding part in real time at ion implanting in an ion implantation apparatus and a method of manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

このイオン注入装置は、スイープマグネット１２によるイオンビームのスイープおよびスキャン機構１６によるターゲットのスキャンを制御する機能を有する注入制御装置２６ａを備えている。例文帳に追加

This ion implanter includes an implanting control apparatus 26a having a function for sweeping an ion beam by a sweep magnet 12 and a function for controlling a scanning of target by a scanning mechanism 16. - 特許庁

イオン注入装置の内部に取り付けられる保護部材であって、不純物がドーピングされた半導体材料からなることを特徴とするイオン注入装置用内部保護部材。例文帳に追加

An internal protecting member for the ion implantation apparatus, mounted in the ion implantation apparatus, is formed of a semiconductive material doped with the impurities. - 特許庁

ウエハに発生する金属汚染を低減し、ウエハから製造されるデバイスの歩留りを向上させることができるイオン注入装置用プラテン、および、イオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide a platen for an ion implantation device capable of reducing metal contamination generating in a wafer and increasing a yield of a device manufactured from the wafer, and provide the ion implanting device. - 特許庁

本発明は、例えば、半導体装置の製造過程における、半導体ウェーハに不純物拡散層を形成するためにイオン注入を行うイオン注入装置に関し、稼働効率を向上させることが課題である。例文帳に追加

To improve the operating efficiency for an ion implantation apparatus for conducing ion implantation, in order to form an impurity dispersed layer on a semiconductor wafer, for example, the producing process of a semiconductor device. - 特許庁

バッチ式イオン注入装置を用いてウェルを形成した場合に、ウェル分離耐圧の低下を抑制することができるイオン注入方法および半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation method capable of suppressing the reduction of the well isolation breakdown voltage when the well is formed using a batch type ion implantation apparatus, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device. - 特許庁