「イオン注入装置」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

基板に入射するスポット状のイオンビームを構成するイオンまたはイオンビームの入射角度を精密に測定することのできるイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanter capable of accurately measuring an incident angle of ion or ion beams constituting spot-like ion beams incident on a base plate. - 特許庁

イオンビームの形状を変化させ、特に、基板付近で、イオンビームの最終形状を変化させ、その後、成形後のイオンビームにより、基板に対しイオン注入を実行する可変開口を有する開口調整装置を提供する。例文帳に追加

A variable aperture within an aperture adjustment device is used to shape the ion beam before the substrate is implanted by a shaped ion beam, especially to finally shape the ion beam in a position near the substrate. - 特許庁

イオン注入装置２０のイオン源２１、質量分離部２２、加速部２３、エネルギー分離部２４および注入室２５は、イオン源２１、質量分離部２２、加速部２３、エネルギー分離部２４、注入室２５の順に、イオン源２１を最下部および注入室２５を最上部として縦方向に筐体２６内に配置されている。例文帳に追加

An ion source 21, a mass separation part 22, an acceleration part 23, an energy separation part 24 and an implanting chamber 25 of the ion implanting device are arranged in a casing 26 in that order with the ion source 21 at the lowest position and the implanting chamber 25 at the top position. - 特許庁

さらに、ＢＷＲプラント１の運転中において、モリブデン酸イオン溶液が金属酸イオン注入装置２２の金属酸イオン溶液タンク１９から給水配管８内に注入され、モリブデン酸イオンを含む給水がＲＰＶ３内に供給される。例文帳に追加

Furthermore, during the operation of the BWR plant 1, a molybdic acid ion solution is injected into the water supply piping 8 from a metal acid ion solution tank 19 of the metal acid ion implanter 22, and supply water containing molybdic acid ions is supplied into the RPV 3. - 特許庁

ビーム断面形状が一方向に長い、幅広形状のイオンビームをターゲット基板に照射して、ターゲット基板にイオンを均一に注入するイオン注入装置であって、イオンビームのビーム幅をターゲット基板のサイズに応じて自在に調整する。例文帳に追加

To enable an ion implanter uniformly implanting ions on a target substrate by irradiating wide shape ion beams with a beam cross section shape long in one direction on the target substrate to adjust a beam width of the ion beam freely in accordance with a size of the target substrate. - 特許庁

真空チャンバ１内で形成したプラズマＰからグリッド電極６を介してイオンを引き出し、基板Ｗへ当該イオンを注入するイオン注入装置１０において、グリッド電極６を介してプラズマ中の正イオンと電子を基板へ交互に供給する電圧印加手段を設ける。例文帳に追加

In an ion implanter 10 in which ions are extracted from a plasma P formed in a vacuum chamber 1 via a grid electrode 6 and in which the ions are implanted into a substrate W, a voltage applying means to alternately supply positive ions and electrons in the plasma to the substrate via the grid electrode 6 is installed. - 特許庁

濁水中にプラスイオンを供給してマイナスの電荷を持つ浮遊粒子を中和させ、浮遊粒子を凝集させて沈降させる濁水処理装置であって、プラスイオンを発生するイオン発生装置６と、該イオン発生装置６にエアを供給する送風ポンプ、前記イオン発生装置６から濁水中にプラスイオンを含むイオンエアを吹き込むイオンエア注入ダクト２とを具備したものである。例文帳に追加

The turbid water treatment equipment is for neutralizing floating particles having negative charge by supplying positive ions to turbid water to flocculate and precipitate the floating particles, and equipped with an ion generator 6 for generating positive ions, a blower pump for supplying air to the ion generator 6 and an ion air injection duct 2 for blowing ion air containing positive ions into turbid water from the ion generator 6. - 特許庁

本方法では、減圧型ＲＴＰ装置１とイオン注入装置２がウェハ搬送室２８で連結された不純物注入活性化処理装置２６を用い、シリコン基板を大気に触れさせることなく、前処理、イオン注入、アニールの一貫処理を行う。例文帳に追加

In this method, an impurity injection activation processing device 26 where a reduced- pressure RTP(Rapid Thermal Processing) device 1 and an ion implantation device 2 are connected with a wafer transfer chamber 28 is used, and the silicon substrate is subjected to a series of treatments composed of pre-treatment, ion implantation, and annealing. - 特許庁

イオン注入装置におけるイオン源の交換の際、装置構成を煩雑にすることなく、従来からある装置構成において、効率よくイオン源の交換を行う。例文帳に追加

To provide an ion source exchanging method in which the ion source can be exchanged efficiently without making an apparatus structure a complex one and by using an existing apparatus structure, when the ion source is exchanged in an ion implantation device. - 特許庁

このイオン注入装置は、イオンビーム５０を発生するイオン源１００と、イオン源１００内でＹ方向に走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇｎと、それ用の電源１１４と、注入位置近傍におけるイオンビーム５０のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ８０と、制御装置９０とを備えている。例文帳に追加

This ion implanting device includes an ion source 100 for generating an ion beam 50, an electron beam source Gn for emitting an electron beam 138 scanned in the Y direction in the ion source 100, a power source 114 for the electron beam source, an ion beam monitor 80 for measuring the Y direction beam current distribution of the ion beam 50 in the vicinity of the implanting position, and a control device 90. - 特許庁

チャネリング分布が面内で均一であり、均一にドーピングを行なうことができるイオン注入装置及びイオン注入方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an ion implanting apparatus in which channeling distribution is uniform in a surface and uniform doping is enabled, and an ion implanting method. - 特許庁

高価な測定装置を利用することなく、比較的短時間で半導体基板のイオン注入量を測定することが可能なイオン注入量測定方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation amount measurement method that enables measurement of an ion implantation amount of a semiconductor substrate in a relatively short period of time without utilizing an expensive measuring device. - 特許庁

イオン注入装置のエンドステ−ション１０において、プラテン８の実際の角度を設定し、その角度を常時観察することにより正常にイオン注入できるようにする。例文帳に追加

To correctly implant ions by setting an actual angle of a platen 8, and constantly observing the angle in an end station 10 of an ion implanting device. - 特許庁

イオン注入された領域であるイオン注入領域が除去されない炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device in which an ion implantation region which an ion-implanted region is not removed. - 特許庁

イオン注入中における半導体ウェハの温度変化を抑え、結晶欠陥発生量を制御するイオン注入装置及びそのウェハ温度制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation device and its wafer temperature control method capable of controlling a generation amount of crystal defect by restraining temperature variation of a semiconductor wafer during ion implantation. - 特許庁

ウェハに対して均一なイオン注入を実現するとともに、ウェハ表面部のチャージ電位量を正確に測定することが可能な小型のイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide a compact ion injection device realizing a uniform ion injection on a wafer and capable of accurately measuring charge potential volume on the surface of the wafer. - 特許庁

半導体ウェーハの表面から元素イオンを注入する際に、半導体ウェーハの表面に付着したパーティクルなどをイオン注入装置を用いて除去する。例文帳に追加

To remove particle or the like adhering to a surface of a semiconductor wafer by using an ion implantation device when element ion is implanted from the surface of the semiconductor wafer. - 特許庁

口腔内装置は、表面の一部あるいは全体にフッ素をイオン注入し、または、金属又は陶材の表面の一部あるいは全体に、抗菌作用のある抗菌性金属をイオン注入している。例文帳に追加

The intraoral appliance partially or wholly implants fluorine ions or antimicrobial metal ions having an antimicrobial activity to a part or all of the surface of a metal or a ceramic material. - 特許庁

ウェハ毎で容易にイオン注入状態を概ね把握することのできるイオン注入装置及びその評価方法及び半導体ウェハを提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanting apparatus, allowing the ion implanting conditions to be comprehended approximately and easily for each wafer, and to provide its evaluating method and semiconductor wafer. - 特許庁

イオン注入された領域であるイオン注入層の厚みの除去量を低減できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device reducing the thickness reducing amount of an ion-implanted layer or an ion-implanted region. - 特許庁

イオン注入装置は、イオン注入用ビームに対して基板の二次元走査を行って、ビームが基板上に走査線のラスタを描くようにする。例文帳に追加

An ion implanter carries out two-dimensional scanning of a substrate relative to a beam for ion implantation so that the beam draws a raster of scan line on the substrate. - 特許庁

マスクホルダー６は、複数枚のマスクの重ね合わせにより形成される開口部５を介して、基板へのイオン注入を実施するイオン注入装置に用いられるマスクホルダー６である。例文帳に追加

A mask holder 6 is used in an ion implanter which implants ions into a substrate through an opening 5 formed by superimposing a plurality of masks. - 特許庁

高エネルギーでイオン注入することなく深い領域までイオン注入することができ、工程数を抑えるとともに、理想耐圧に近い降伏電圧を得ることができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which ions can be injected into a deep region without performing ion injection with high energy, the number of processes can be reduced and a breakdown voltage close to an ideal withstand voltage can be obtained. - 特許庁

イオン注入ターゲットチャンバの現在温度、圧力を維持しながら、ウェハプレートをロードロックチャンバからイオン注入ターゲットチャンバ内に連続して搬入する装置、方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method for successively transporting wafer plates from a load lock chamber into an ion implantation target chamber while keeping the current temperature and pressure of the ion implantation target chamber. - 特許庁

異なった向きに配置されるバイポーラトランジスタの側面へのイオン注入時にも、確実なイオン注入を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which ion implantation is ensured even when ions are implanted into the side surface of a bipolar transistor arranged in the different direction. - 特許庁

基板に対する注入位置での長手方向（Ｙ方向）のイオンビーム電流密度分布の均一性を向上させることができるイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanting device capable of improving the uniformity of an longitudinal direction (Y direction) ion beam current density distribution at an implantation position to a substrate. - 特許庁

被処理基板毎に面方位を測定することにより、被処理基板毎にチャネリングによる影響を制御しながらイオン注入を行うイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion injection device injecting ions while controlling an affection resulting from channeling for each substrate to be treated by measuring a surface direction for each substrate. - 特許庁

注入位置でのリボン状イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を高めることができるイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation apparatus capable of improving uniformity of a beam current density distribution in the Y-direction of an ion beam in a ribbon shape at an injection position. - 特許庁

第１イオン注入層を形成する工程および第２イオン注入層を形成する工程におけるウェーハ温度の測定を前記装置の赤外線放射温度計で行う。例文帳に追加

Measurement of the wafer temperatures in the processes of forming the first ion implanting layer as well as the second ion implanting layer is carried out with the infrared thermometer of the above device. - 特許庁

プラズマイオン注入装置において、注入されているイオンと基板との間の相互作用の不所望な効果を少なくとも部分的に補償する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for at least partially compensating an undesired effect of the interaction between ions to be implanted and a substrate in a plasma ion implanter. - 特許庁

斜めイオン注入工程でイオン注入できない影領域を安定して低減させ、微細化に好適な構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which can stably reduce a shadow region where ions cannot be implanted during an oblique ion implantation step and has an appropriate structure for microfabrication, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

ステンシルマスクを用いたイオン注入工程においても、所望の位置にイオンが注入されたか否かを検査できる検査装置および検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide an inspection device and inspection method capable of inspecting whether or not ions are injected to a desired position in an ion injection process by use of a stencil mask. - 特許庁

主として、簡単な構成で空間電荷効果の有無によるイオン注入の均一性の不安定さを解消したイオン注入装置の静電偏向器を提供する。例文帳に追加

To provide a static deflector of an ion planter in which the instability of uniformity of an ion injection is solved that is incurred with or without space electric charge effect principally by a simple constitution. - 特許庁

ウェーハに注入されるイオンのドーズ量がウェーハの表面から垂直で一定な深さの範囲で均一に維持されるようにする後加速及び先加速方式のイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanting device of latter acceleration and former acceleration methods, capable of maintaining uniformly the dose of ions implanted into a wafer in the range from the surface of the wafer to a prescribed vertical depth. - 特許庁

極低温でウエハを冷却する場合であっても、ホルダ駆動機構の動きに支障を来たすことなく、所望するイオン注入を達成することのできるイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanter by which desired ion implantation can be achieved without any trouble in the motion of a holder driving mechanism even with a wafer cooled at an ultralow temperature. - 特許庁

真空度の悪化、構造物の組立不良等に基づくイオンビームの不正確な測定による誤った制御を行なわずウェハ等に不純物注入を行うイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To perform impurity implantation into a wafer or the like without performing an erroneous control caused by inaccurate measurement of an ion beam based on decline of the degree of vacuum, defective assembling of a structure or the like. - 特許庁

プラズマイオン注入をもちいて、目的元素以外の元素および粗大粒子が混入しないイオン注入および／または成膜を行う方法および装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method and a device in which ions are implanted and/or a film is formed by using a plasma ion implantation method by which an element other than a target element and coarse particles are excluded. - 特許庁

イオン注入分布発生方法及びシミュレーション装置に関し、テール関数におけるイオン注入分布のテールの拡がりを表すパラメータＬの比例係数ξ_Ｌに物理的意味を持たせる。例文帳に追加

To provide an ion implantation distribution generating method and a simulation device which give a physical significance to a proportionality coefficient ξ_L of a parameter L representing the extent of the tail of an ion implantation distribution on a tail function. - 特許庁

複数の基体に対して均一なイオン注入を可能とし、複数の基体に厚みが均一で安定した高品質の処理層を生成可能なイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion injector that makes it possible to inject uniform ions into substrates and can generate a treatment layer of high quality whose thickness is uniform and which is stable in the substrates. - 特許庁

注入現場付近においてコロイダルシリカ中のＮａイオンをイオン交換処理する脱アルカリ処理部と、脱アルカリ処理部を通して得られたシリカ溶液を貯蔵する貯蔵部とからなる注入装置を用いる。例文帳に追加

An injection apparatus which includes: a dealkalization treatment part which ion exchange treats an Na ion in the colloidal silica near an injection field; and a storage unit which stores the silica solution obtained through the dealkalization treatment part, is used. - 特許庁

なお、イオン注入装置により水素ガスから生成される、Ｈ^＋イオンを注入することにより半導体基板に形成する脆化層を用いて、半導体基板から半導体膜を分離する。例文帳に追加

A semiconductor film is separated from the semiconductor substrate with use of the embrittlement layer formed in the semiconductor substrate by implanting H^+ ions generated from a hydrogen gas using an ion implanting apparatus into the substrate. - 特許庁

また、推定したドーズ量に応じてイオン注入装置の設定を補正することにより、半導体基板に対して注入するイオンのドーズ量を目標のドーズ量に近づけることができる。例文帳に追加

Further, by compensating the setting of the ion implantation device depending on the estimated dose amount, the dose amount of ions implanted to a semiconductor substrate can be brought close to target dose amount. - 特許庁

斜めイオン注入工程においてブロック層の影となってイオン注入できない領域を低減でき、半導体素子の集積度を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate, which can reduce a region, where ions can not be implanted by an oblique ion implantation method because the shadow of a block layer falls on the region, and can improve the integration rate of a semiconductor chip. - 特許庁

イオン注入装置、その導波管、質量分析装置及びこの装置にマイクロ波出力を配給する方法例文帳に追加

ION IMPLANTATION DEVICE, WAVEGUIDE AND MASS ANALYZER THEREFOR, AND METHOD OF DISTRIBUTING MICROWAVE OUTPUT TO MASS ANALYZER - 特許庁

イオン注入方法／装置、動作制御方法／装置、回路製造方法／装置、情報記憶媒体、シリコンウェハ例文帳に追加

METHOD/AND APPARATUS FOR ION IMPLANTATION, METHOD/AND APPARATUS FOR OPERATION CONTROL, METHOD/AND APPARATUS FOR MANUFACTURING CIRCUIT, INFORMATION STORAGE MEDIUM, AND SILICON WAFER - 特許庁