「イオン注入装置」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

第２運転サイクル以降においては、腐食生成物の燃料棒表面への付着を促進するために、鉄注入装置２０から復水脱塩器９の下流側に位置する配管１０に鉄イオンや不溶解性鉄酸化物を注入することにより、第２運転サイクル以降の各運転サイクルを通じて給水鉄濃度を０.５〜１ppbの範囲内に保持する。例文帳に追加

In the second operation cycle and on by injecting iron ion or insoluble iron oxide in the pipe 10 located on the downstream side from the condensate demineralizer 9 from iron injection device 20 for promoting the adhesion of corrosion product to fuel rod surface, the iron concentration in supply water is maintained within 0.5 to 1 ppb throughout each operation cycle after the second operation cycle. - 特許庁

保護基で保護されたイオン交換基を有する化合物（被験物質と称する。）を、有機溶媒に溶解、もしくは希釈し、ガスクロマトグラフィー装置に注入し、注入口で加熱分解されて発生する分解成分を定量することで被験物質の構成や組成を分析・定量することを特徴とする分析方法。例文帳に追加

A compound having an ion exchange group protected by a protective group (called as a substance to be examined) is dissolved in or diluted by an organic solvent to be injected in a gas chromatography apparatus and a decomposed component, which is produced by thermally decomposing the compound at an injection port, is quantified to analyze and quantify the constitution or composition of the substance to be examined. - 特許庁

本発明に係るイオン注入装置は、シリコンウェーハ２に不純物イオンを注入する装置において、前記ウェーハ２を保持するプラテン１と、プラテン１を動かすゴニオメータと、プラテン１に保持された前記ウェーハ２にＸ線を照射するＸ線照射機構３と、機構３によって照射されたＸ線４が前記ウェーハ２で反射する反射Ｘ線５を検出するシンチュレーションカウンター６と、を具備する。例文帳に追加

The ion injection device injecting impure ions into a silicon wafer 2 has a platen 1 supporting the wafer 2, a goniometer moving the platen 1, an X-ray irradiation mechanism 3 irradiating X-rays to the wafer 2 supported by the platen 1, and a scintillation counter 6 detecting a reflected X-ray 5 which is an X-ray 4 irradiated from the mechanism 3 and reflected from the wafer 2. - 特許庁

イオンビームを調整する方法は、少なくとも幾つかがダイナミックデータベースに記憶されているパラメータのセットを検索し、イオンビームを与えるように検索されたパラメータのセットに従ってイオン注入装置を構成し、それらパラメータのうちの１つ又はそれ以上のものを変更することによりそのイオンビームを最適化し、最適化中に変化したダイナミックデータベースに記憶されたパラメータを更新することを含む。例文帳に追加

The method of tuning an ion beam comprises retrieving a set of parameters at least some of which are stored in a dynamic database, configuring the ion implanter according to the retrieved set of parameters thereby to provide an ion beam, optimizing the ion beam by varying one or more of the parameters, and updating the parameters stored in the dynamic database that changed during optimization. - 特許庁

イオン源本体１１に設けられかつ内部にフィラメント１３が設けられたもので、ガスをプラズマ化するアークチャンバ１２を備えたイオン注入装置において、アークチャンバ１２の一端部には開口部１４が設けられ、フィラメント１３はその開口部１４に対して非接触状態を保ってアークチャンバ１２の外部へ延出されているものである。例文帳に追加

In this ion implanter provided with an arc chamber 12 that is installed on an ion source body 11, has a filament 13 formed in its inside, and converts a gas into plasma, opening parts 14 are formed at one end part of the arc chamber 12, and the filament 13 is extended outside the arc chamber 12 with its non-contact state in relation to the opening parts 14 kept. - 特許庁

更に、イオンビーム４のＹ方向におけるビーム電流密度分布を測定するビーム測定器４６と、それによる測定情報に基づいて各流量調節器３６を制御して、注入位置でのイオンビーム４のＹ方向におけるビーム電流密度分布を均一化する制御装置５０とを備えている。例文帳に追加

Furthermore, it is provided with a beam measuring instrument 46 measuring a beam current density distribution in the Y-direction of the ion beam 4, and a control device 50 controlling each flow regulator 36 based on the measured information and uniformalizing the beam current density distribution in the Y-direction of the ion beam 4 at an injection position. - 特許庁

本発明の一実施形態のイオン注入装置１は、オフセット電圧が印加される一対の共通電極５Ａ、５Ｂが所定の間隔を開けて内部に配設されているチャンバー２のターゲット（不図示）側とは反対側の端部に、２本のイオンソース部４Ａ、４Ｂを互いに対称的に離間して着脱自在に取り付けられている。例文帳に追加

The ion implantation device 1 has two ion source parts 4A, 4B, with an interval in symmetry at an end part opposite to the side of a target in a chamber 2 in which a pair of common electrodes 5A, 5B are arranged with a given interval with an offset voltage applied. - 特許庁

半導体装置の製造方法に関し、Ｍｏ、Ａｌ、Ｗなど柱状結晶のメタルをゲート電極とするＭＯＳＦＥＴのソース領域及びドレイン領域をイオン注入で形成する際、極めて簡単な手段を採ることでイオンがチャネリングに依って深く打ち込まれることを防止できるようにする。例文帳に追加

To prevent in the method of manufacturing a semiconductor device that ions are deeply implanted due to channeling by employing a very simplified means on the occasion of forming, with the ion implantation, a source region and a drain region of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) where a gate electrode is formed of a columnar crystal metal such as Mo, Al, and W. - 特許庁

シリコン基板１１上にシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）１２を形成し、このＳＴＩ１２で分離された領域にＳＴＩ１２のコーナー部を覆うゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート電極１５にフッ素イオンを注入し、該フッ素イオンをゲート絶縁膜１４に拡散させる。例文帳に追加

In the process for fabricating a semiconductor device by forming a shallow trench isolation (STI) 12 on a silicon substrate 11 and forming a gate insulation film covering the corner part of the STI 12 in a region isolated by the STI 12, fluorine ions are implanted into a gate electrode 15 and diffused to the gate insulation film 14. - 特許庁

クライオポンプ１０は、クライオパネルを冷却するための冷凍機と、イオン注入装置１からその運転モードを表す制御信号を受信可能であり、該制御信号に基づいて冷凍機を制御するためのＣＰコントローラ１００と、を備える。例文帳に追加

A cryopump 10 includes: a refrigerator for cooling a cryopanel; and a CP controller 100 that can receive, from an ion implantation apparatus 1, a control signal representing an operation mode thereof and controls the refrigerator based on the control signal. - 特許庁

ソース領域／ドレイン領域を形成するためのイオン注入時のチャネリングを抑止し、低抵抗で浅い不純物拡散領域が形成され、短チャネル効果に対して有利な微細ＭＯＳトランジスタを有す半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing semiconductor device suppressing channeling in ion implantation for forming source region/drain region, forming low resitant and shallow impurity diffusion region, and having micro MOS transistor advantageous to short channel effect. - 特許庁

絶縁性基板上に、接着剤を用いないで単結晶シリコン集積回路を作製すると共に、単結晶シリコン集積回路の活性領域が水素イオン注入等のダメージを受けず、素子本来の特性を十分に発揮することのできる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device where a single crystal silicon integrated circuit is made on an insulating substrate without an adhesive, an active area does not receive damage due to a hydrogen ion implantation etc., and the proper characteristic of the device can be sufficiently shown. - 特許庁

半導体基板のトレンチに挟まれた領域に、イオン注入法により、不純物拡散領域を形成する場合に、不純物拡散領域およびその周辺での結晶欠陥の発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of suppressing a crystal defect in an impurity diffusion region or in the circumference of the region, when the impurity diffusion region is formed in a region enclosed by the trench of a semiconductor substrate by ion implantation method. - 特許庁

Ｂｉ−ＣＭＯＳ半導体装置の製造方法において、フォトレジスト工程を追加することなく、縦型ＰＮＰ型バイポーラトランジスタのエミッタ領域とＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域とのイオン注入条件をそれぞれ独立に設定することができるようにする。例文帳に追加

To obtain a fabrication method of Bi-CMOS semiconductor device in which ion implantation conditions can be set independently for the emitter region of a vertical PNP bipolar transistor and the source-drain region of a PMOS transistor without requiring additional photoresist processes. - 特許庁

金属シリサイド層を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、ソース／ドレイン領域に砒素（Ａｓ）が高濃度でイオン注入される場合であっても、金属膜のシリサイド化が面内で均一になされるようにする。例文帳に追加

To silicify a metal film uniformly within a plane even if arsenic (As) is ion-implanted into a source/drain region with high concentration in a semiconductor device manufacturing method having a process for forming a metal silicide layer. - 特許庁

リーク電流が増大するのを防止することができ、よって、実効的な耐圧を向上させることができ、しかも、特殊なイオン注入やエピタキシャル再成長を用いることなく、製造が容易な半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of preventing an increase in leakage current to thereby improve effective voltage resistance, and also easy to be manufactured without using special ion implantation or epitaxial regrowth, and a method for manufacturing the same. - 特許庁

さらに、上記工程をMOSトランジスタの閾値電圧調整用イオン注入と同時に行なうことにより、工程数の増加を抑えるとともに高精度かつ低コストで短TATな半導体装置の製造方法を提供することを特徴とする。例文帳に追加

Further, by performing the above step concurrently with ion implantation for threshold voltage adjustment of the MOS transistor, the manufacturing method of the semiconductor device is provided for suppressing an increase in man-hours, with high accuracy, low cost and short TAT. - 特許庁

エッチングやイオン注入等に伴う物理現象に起因した不都合、および、マスクパターンを製作する際の電子線描画に伴う物理現象に起因した不都合を解消に適した転写用マスクを得るための転写用マスクデータ補正装置を提供する。例文帳に追加

To provide a transfer mask data correction system to obtain a transfer mask suitable to eliminate the troubles caused by the physical phenomenon which follows the etching or ion implantation and the electron beam lithography when manufacturing a mask pattern. - 特許庁

素子の微細化で問題となるチャネル抵抗とＪＦＥＴ抵抗のトレードオフの関係を改善し、ソース領域とベース領域をイオン注入で作製するときに同一のマスクを用いて作製する半導体装置及びその製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a semiconductor device whose source region and base region are formed by ion injection by using the same mask and a manufacturing method therefor by improving the tradeoff relation between a channel resistance and a JFET resistance which is a problem arising when an element is made thin. - 特許庁

本願発明の発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、半導体装置において、不純物イオンが注入されたシリコン上に、シリサイド膜を有する配線において、前記シリコンの酸素濃度が１×１０^18／ｃｍ^3以下とすることにより上記問題を解決した。例文帳に追加

In wiring possessing a silicide film on silicon, to which impurity ions are implanted in a semiconductor device, the problem is solved by keeping the oxygen concentration in the silicon at 1×10^18/cm^3 or lower. - 特許庁

異なる再拡散長特性を有する不純物をイオン注入後アニールするに際し、過渡増速拡散現象（ＴＥＤ）及び通常の熱処理に伴う不純物の再分布の拡がり量を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein the amount of flares of redistribution of impurities accompanying transient enhanced diffusion phenomenon (TED) and regular thermal treatment is restrained, when the impurities having different re-diffusion length property are annealed after ion implantation. - 特許庁

シリコンイオンの注入、及びその後の熱処理により量子井戸構造の活性層を無秩序化して形成された窓構造領域を有する半導体レーザ装置において、窓構造領域１０ａ及びその近傍（上クラッド層９ａ）には転位ループが実質的に存在しない。例文帳に追加

In the semiconductor laser device, having the window structure area formed by making random the active layer of the quantum well structure through the implantation of silicon ions and following heat treatment; no transition loop practically exists in the window structure region 10a and the neighborhood (upper clad layer 9a). - 特許庁

半導体基体１６上にシリコン酸化物絶縁膜からなる表面保護膜２３を有し、この表面保護膜２３の少なくとも表面域が、イオン注入３７によって改質されている、半導体装置２５及びその製造方法を特徴とする。例文帳に追加

A semiconductor device 25, where a surface protective film 23 constituted of a silicon oxide insulating film, is installed on a semiconductor substrate 16 and at least the surface area of the surface protection film 23 is improved by ion implantation 37 and the manufacturing method are arranged. - 特許庁

イオン注入装置のアークチャンバにフィラメントを固定する絶縁体の表面に汚染物質が付着することでフィラメントとアークチャンバとの電気的絶縁がとれなくなるのを解消し、安定的にプラズマが発生するようにする。例文帳に追加

To stably generate a plasma by preventing electrical insulation between a filament and an arc chamber from being damaged by the polluting matter to the surface of an insulator for fixing the filament to the arc chamber of an ion implanter. - 特許庁

高濃度イオン注入後の硬化したレジスト膜を温度を上げて真空中でアッシング処理してもポッピング現象がなく、そのため飛散した変質層等の残渣の発生のない半導体集積回路装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device which performs ashing processing for a resist film which is cured after high concentration ion implantation under a vacuum at a higher temperature without a popping phenomenon, and therefore does not cause a scattered residue of a degeneration layer etc. - 特許庁

フローティングゲート電極を有する半導体記憶装置において、フローティングゲート電極をマスクとしてイオン注入したときの、トンネリング媒体となりうるゲート酸化膜およびフローティングゲート電極端部への欠陥発生の問題を、工数を増大させることなく解消する。例文帳に追加

To overcome a problem without increasing man-hours that defects occur at both ends of a gate oxide film which can be a tunnelling medium and a floating gate electrode when ions are implanted using the floating gate electrode as a mask, in a semiconductor device having the floating gate electrode. - 特許庁

本発明は、素子分離酸化膜の膜厚変化部位を所定の膜厚に保持してイオン注入を規制することにより、実効ベース領域の安定化による特性向上を図る半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of improving characteristics by stabilizing an effective base region by regulating ion implantation by keeping a film thickness variation portion of an element separation oxide film in a predetermined film thickness, and a method for manufacturing the same. - 特許庁

電源電圧が異なっていてもイオン注入抵抗をアノード、エピタキシャル領域をカソードとする寄生ダイオードが生じず、且つ、外部にて立ち上げ順序回路が不要となるように動作する半導体集積回路装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit device, where a parasitic diode whose anode is an ion implantation resistor and whose cathode is an epitaxial region will not occur even if the power voltage is different, and moreover which operates so that a startup sequence circuit can be dispensed with at the outside. - 特許庁

半導体基板１００の表裏両面から光電変換領域（１３０，１４０）を形成することにより、高エネルギーのイオン注入装置や厚膜レジストを使用することなく、半導体基板１００の表面から深い位置に光電変換領域（１３０，１４０）を容易に形成することができる。例文帳に追加

Photoelectric conversion regions (130, 140) are formed from both sides of a semiconductor substrate 100, so that the photoelectric conversion regions (130, 140) can be easily formed at a deep position from the surfaces of the semiconductor substrate 100 without using a high-energy ion implanter and a thick resist. - 特許庁

アクティブマトリクス基板とその製造方法、及び電気光学装置とその製造方法において、蓄積容量の下部電極において必要な比抵抗値を確保しながらイオン注入に起因する蓄積容量の絶縁膜へのダメージを低減させて歩留まりを向上させること。例文帳に追加

To improve yields in an active matrix substrate, its manufacturing method, an optoelectronic device and its manufacturing method by reducing damage on an insulation layer of storage capacitance caused by an ion implantation while maintaining necessary specific resistance on the lower electrode of the storage capacitance. - 特許庁

裏面照射型の固体撮像装置において、受光部側と回路側との素子分離層を所定のマスクパターンを介した酸素イオン注入と、その後の熱処理によって半導体基板中に酸化膜を形成することにより実現する。例文帳に追加

In solid state image pickup device of rear surface irradiation type, an element isolation layer between a light receiving part side and a circuit side is realized by forming an oxide film in a semiconductor substrate through oxygen ion implantation by way of a predetermined mask pattern and a thermal treatment thereafter. - 特許庁

例えば、電子注入層のような他の機能層からの発光層への金属イオンの拡散が防止され、発光特性に優れる発光素子、かかる発光素子を備えた信頼性の高い発光装置および電子機器を提供すること。例文帳に追加

To provide a light-emitting element excellent in luminescence characteristics in which diffusion of metal ions from other functional layer such as an electron injection layer to a light-emitting layer is prevented, and to provide a highly reliable light-emitting device equipped with this light-emitting element and an electronic apparatus. - 特許庁

高耐圧特性を得るために、深ジャンクションの低不純物濃度ソース・ドレイン領域を形成するＭＯＳ型半導体装置の製造において、低不純物濃度ソース・ドレイン領域を自己整合法にて形成すると共に注入イオンがチャネル領域へ突き抜けることのないようにする。例文帳に追加

To form a lightly-doped source/drain region by self-matching and to prevent implanted ions from being passed through a channel region in the production of an MOS-type semiconductor device for forming the lightly-doped source/drain region of deep junction, in order to acquire high-withstand voltage characteristics. - 特許庁

熱輸送装置１において、作動流体を還流させるために毛細管力を発生するウィック部又は気相若しくは液相の作動流体が流れる流路の表面に、イオン注入、熱酸化、水蒸気酸化等で被覆処理を施こす。例文帳に追加

In the heat transport device 1, the coating treatment is applied with ion implantation, thermal oxidation, and steam oxidation or the like on a wick part generating capillary force to circulate the working fluid or the surface of the flow path where the working fluid of the gas phase or the liquid phase flows. - 特許庁

ＲＯＭ機能を付加した複数種類（例えば２電源系）のＣＭＯＳトランジスタを製造するに際し、イオン注入の回数及びレジストパターン形成の回数を減らし、製造工数を削減することができる半導体装置の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor device manufacturing method with which the manufacturing man-hour can be reduced by reducing the numbers of ion implantation times and resist pattern formation times at manufacturing of a plurality of kinds (for example, two power supplying systems) of CMOS transistors additionally having ROM functions. - 特許庁

本発明は、レジストマスク端が斜め形状であるために生じる問題を解決するとともに、不純物のイオン注入をマスクすべき領域の境界領域以外における不純物分布をほぼ保持する半導体装置の製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that almost holds a dopant distribution in regions other than a twilight zone of a region where the ion implantation of a dopant should be masked while solving a possible problem generated because a resist mask end is of a slanted shape. - 特許庁

イオン注入段階での隔離された導電パターンの間で放電が発生し、絶縁破壊が起こって素子機能を遂行することができないことを防ぐ液晶表示装置のための新たな薄膜トランジスタ製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a new thin film transistor for a liquid crystal display device, where an electric discharge is prevented from occurring between isolated conductive patterns to cause a dielectric breakdown to damage a device in a stage in which ions are implanted. - 特許庁

正極電極、負極電極、セパレータの積層体を、同一方向に１回以上折り曲げることで形成される巻回素子をケースに封入し、電解液を注入してなるリチウムイオン二次電池の、歩留まりと信頼性が向上する製造方法と、それに用いる製造装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method and manufacturing device used for it improving yield and reliability for a lithium-ion secondary battery made sealing in a case a wound-round element formed by folding a laminated body of a positive electrode, a negative electrode, and a separator one or more times in the same direction and filling electrolyte solution in it. - 特許庁

素子の微細化で問題となるチャネル抵抗とＪＦＥＴ抵抗のトレードオフの関係を改善し、ソース領域とベース領域をイオン注入で作製するときに同一のマスクを用いて作製する半導体装置及びその製造方法を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor device wherein the trade-off relation between channel resistance and JFET resistance, which is an obstacle to device miniaturization, is improved and the same mask is used to form a source region and a base region by ion implantation, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

従来の高電流型のイオン注入装置では、ウェハ冷却性能以上に温度が上昇し、ウェハ表面の電荷が逃げる間もなく蓄積し続けるため、ウェハ温度上昇によるレジストの変質やウェハのチャージアップによる層間膜破壊が発生する。例文帳に追加

To prevent a sample such as a wafer from being irradiated continuously with an ion beam of large current, all in a breath. - 特許庁

伝導性をもった金属グリッドを試料台上に設置して立体高分子試料の表面にプラズマイオン注入が行われるようにすることで、高分子表面改質を成し、これにより高分子表面の電気伝導度を向上させる方法及びその装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for treating the surface of a three-dimensional polymer sample, comprising setting a conductive metal grid on a sample table and injecting plasma ions into the surface of the three-dimensional polymer sample, to modify the surface of the polymer sample and improve the electric conductivity of the surface of the polymer sample, and to provide equipment therefor. - 特許庁

イオン注入装置のプラズマ生成室６外部の側壁側に該側壁と所定間隔をもってマグネット７ａ、７ｂを配置すると共に、プラズマ生成室６側壁とマグネット７ａ、７ｂの間に磁性体部材８ａ、８ｂを配置する。例文帳に追加

Magnets 7a, 7b are arranged at a side of side walls outside a plasma-generating room 6 of the ion implanting device with a certain interval, and the side walls and magnetic body members 8a, 8b are arranged between the side walls of the plasma-generating room 6 and the magnets 7a, 7b. - 特許庁

イオン注入装置に使用されるベローズ組立体18は、一端側の第１取付部分56を第１室に固定し、他端側の第２取付部分52においてベローズ組立体を摺動可能に第２室に取付け、第１，第２取付部分間に伸縮可能なベローズ54を配置する。例文帳に追加

In a bellows assembly 18 to be used for an ion implanter, a first mounting part 56 on one end side is fixed to a first chamber, the bellows assembly is slidably mounted to a second chamber at a second mounting part 52 on the other side, and an extendable bellows 54 is arranged between the first and second mounting parts. - 特許庁

コントロールゲート３の両側の部分のシリコン基板１に、イオン注入によりソース領域およびドレイン領域としての拡散層４を形成してメモリトランジスタを形成し、ＭＯＮＯＳ型半導体不揮発性記憶装置を製造する。例文帳に追加

Diffused layers 4 are formed on each side of the control gate 3 on the silicon substrate 1 through ion implantation to serve as a source region and a drain region for the formation of a memory transistor, and thus a MONOS- type semiconductor nonvolatile memory device is fabricated. - 特許庁

絶縁基板２上に単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａが形成されている半導体装置２０の製造方法において、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａを絶縁基板２に転写するときに、水素イオン注入面で単結晶Ｓｉ基板の不要部分１１を剥離させる。例文帳に追加

In the manufacturing method of a semiconductor device 20 formed of a single crystal Si thin film transistor 16a provided on a insulating substrate 2, unnecessary part 11 of the single crystal Si substrate in the hydrogen ion pouring surface is separated when the single crystal Si thin film transistor 16a is transferred onto the insulating substrate 2. - 特許庁