「イオン注入装置」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

約４５度以上、約１１０度以下の角度で高アスペクト比のリボンイオンビームを曲げることができ、質量分析のために分析スリットを通してその焦点を合わせることのできる、イオン注入装置用の高分解能磁気アナライザを提供する。例文帳に追加

To provide a high resolution magnetic analyzer for an ion implantation device capable of bending ribbon ion beams with a high aspect ratio with an angle between about 45 degrees or larger and about 110 degrees or lower, capable of setting a focus through an analyzing slit for mass analysis. - 特許庁

本発明に係る水処理装置は、発電システム系統１２，１９にその系統水を浄化する脱塩器２０を備え、前記発電システム系統水に含まれるイオン種の少なくとも１種が薬剤注入物質に由来するイオン種である被処理水ｃを水処理するものである。例文帳に追加

The water treatment apparatus has a desalting device 20 provided to its electric power producing systems 12 and 19 to purify the system water of both electric power producing systems 12 and 19 to treat water (c) to be treated being ion species which are contained in the electric power producing systems and at least one of which originates from the chemical agent injecting substance. - 特許庁

予測されたチャージアップ評価素子の破壊率が予め設定された閾値を超えた場合、判定部２２は、イオン注入を制御する装置コントローラ１２を介して、上記対応関係において、チャージアップ評価素子の破壊率が前記閾値以下となる状態にイオンビーム形状を調整する。例文帳に追加

When the predicted destruction rate of the charge-up evaluation element exceeds a threshold set beforehand, a judgment part 22 adjusts the ion beam shape to make a destruction rate of the charge-up evaluation element not more than the threshold through a device controller 12 for controlling ion implantation in the above corresponding relation. - 特許庁

上記の課題を解決するため、本発明は、半導体表面から離れた任意の一固まりの不純物領域を半導体基板内部に形成する工程であって、イオン注入用のマスクパターン端の配置の変更を伴った、複数回のイオン注入を行う工程を備える半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device has a process that forms one arbitrary lump of dopant regions off the surface of a semiconductor inside a semiconductor substrate, and a process that performs ion implantation a plurality of times with the disposition of a mask pattern end for the ion implantation changed. - 特許庁

本発明に係る半導体装置及びその製造方法は、ゲート電極の形状、拡散層形成用イオン注入領域の形状若しくは範囲、又は、素子領域の周辺形状に特徴があり、あるいは、イオン注入前に素子領域の一部を被覆する絶縁膜を形成する点に特徴を有するものである。例文帳に追加

A semiconductor device and its manufacturing method characteristically has a profile of a gate electrode, a profile or scope of a diffusion layer forming ion implantation region, or a peripheral profile of an element region, or has an insulation film coating a part of the element region formed before ion implantation. - 特許庁

本発明は，ＳＯＩ層にイオンを注入してＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧を制御する半導体装置の製造方法であって，しきい値電圧制御イオンを，その濃度ピーク値がＳＯＩ層の１／２深さ位置を中心としてＳＯＩ層厚さの１０％範囲内に位置するような濃度分布で注入する。例文帳に追加

In this method of manufacturing this semiconductor device for implanting ions into an SOI layer to control a threshold voltage of an MOSFET, the threshold voltage control ions are implanted in a concentration distribution wherein the concentration peak value thereof is positioned in the 10% range of the SOI layer thickness centering the 1/2 depth position of the SOI layer. - 特許庁

ＳｉＣ単結晶の表面の少なくとも一部にドーパントをイオン注入する工程と、イオン注入後のＳｉＣ単結晶の表面上にＳｉ膜を形成する工程と、Ｓｉ膜が形成されたＳｉＣ単結晶をＳｉ膜の溶融温度以上の温度に加熱する工程と、を含む、ＳｉＣ半導体装置の製造方法である。例文帳に追加

The manufacturing method of the SiC semiconductor device includes a process in which a dopant is ion-implanted on at least a part of the surface of SiC monocrystal, a process in which an Si film is formed on the surface of the SiC monocrystal after ion implantation, and a process in which the SiC monocrystal on which the Si film is formed is heated at the melting temperature of the Si film or higher. - 特許庁

イオン注入を阻害するマスクで覆われている箇所と他の箇所との境界でのイオン注入量の分布において高い急峻さが得られる膜製造方法と、その膜製造方法を利用して磁性材料の膜が形成された磁気記憶媒体と、そのような磁気記憶媒体が搭載された情報記憶装置とを提供する。例文帳に追加

To provide: a method of manufacturing a film, which can largely change the implanted ion amount at the boundaries between the areas covered by the masks preventing ion implantation and other areas; a magnetic recording medium including the magnetic films made by the manufacturing method; and an information recording apparatus using such a magnetic recording medium. - 特許庁

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の主表面のトレンチ形成領域１０に不純物をイオン注入する工程と、その不純物がイオン注入されたトレンチ形成領域１０をエッチングすることによってトレンチ５ａ〜５ｃを形成する工程と、トレンチ５ａ〜５ｃを埋め込むように素子分離絶縁膜７を形成する工程とを備えている。例文帳に追加

This method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of ion-implanting impurities into a trench formation region 10 on the main surface of a silicon substrate 1, a step of forming trenches 5a-5c, by etching the trench formation region 10 so as to ion-implant the impurities, and to embed the trenches 5a-5c, to form an element isolation insulating region 7. - 特許庁

開示される半導体装置の製造方法は、フッ素イオン注入を中膜厚のゲート酸化膜１２を形成すべき領域５Ｂに、フッ素の飛程Ｒｐが基板１中で１５〜１５０ｎｍとなるようなイオン注入条件で行った後、領域５Ｂの表面のケミカル酸化膜７を除去し、次に酸化処理により領域５Ｂに中膜厚のゲート酸化膜１２を形成する。例文帳に追加

The disclosed semiconductor device manufacturing method comprises implanting fluorine ions into a region 5B for forming a medium- thickness gate oxide film 12 under the condition of a fluorine range Rp of 15-150 nm in a substrate 1, removing a chemical oxide film 7 on the surface of the region 5B, and applying the oxidation to form the medium-thickness gate oxide film 12 on the region 5B. - 特許庁

また、ＢｉＣＭＯＳを有してなる半導体装置の製造方法の場合、イオン注入法によってベース領域１４を形成した後、イオン注入による欠陥回復のための熱処理を施し、その後、熱酸化処理を施すことによって基板１表面のゲート電極１１端近傍に酸化膜を形成しあるいはここの酸化膜の膜質を改善する。例文帳に追加

In a method of manufacturing a semiconductor device having a BiCMOS, a base region 14 is formed through implantation of ions, then a thermal treatment, is carried out for recovering from defects caused by implantation of ions, and then an oxide film is formed near the end of a gate electrode 11 on the surface of a substrate 1 or an oxide film formed on the surface is improved in film quality by a thermal oxidation treatment. - 特許庁

ＣＭＯＳを有してなる半導体装置の製造方法の場合、イオン注入法によってＬＤＤ１２、１３を形成した後、イオン注入による欠陥回復のための熱処理を施し、その後、熱酸化処理を施すことによって基板１表面のゲート電極１１端近傍に酸化膜を形成しあるいはここの酸化膜の膜質を改善する。例文帳に追加

In a method of manufacturing a semiconductor device equipped with a CMOS, LDDs 12 and 13 are formed by implantation of ions, then a thermal treatment is carried out for recovering from defects caused by implantation of ions, and thereafter an oxide film is formed near the end of a gate electrode 11 on the surface of a substrate 1 or an oxide film formed on the surface is improved in film quality by a thermal oxidation treatment. - 特許庁

半導体装置を構成する絶縁膜２に不活性ガス、窒素および水素の内の少なくとも一種のイオン６を注入して絶縁膜２中に多数の空隙８を形成し、絶縁膜２の比誘電率をイオン注入前よりも低下させ、これによって低誘電率絶縁膜１０を得る。例文帳に追加

A method for obtaining the low permittivity insulating film comprises the steps of forming a number of air gaps 8 in the insulating film 2 by implanting at least a kind of ion 6 out of inert gas, nitrogen, or hydrogen to the insulating film 2 which composes the semiconductor device, and lowering the relative permittivity of the insulating film 2 lower than before the ion implantation, resulting in obtaining a low permittivity insulating film 10. - 特許庁

イオン注入装置１０１のディスク１０２は中心を同じとした内側ディスク１０３と外側ディスク１０４とに区画され、それぞれ別々の第３，４モータ１０５，１０６で所望の周速度に制御可能とすることで内外周差によって生じるイオン注入量の差を補正でき１バッチのウエハ処理枚数を増やせる。例文帳に追加

The difference in the amounts of ion implantation caused by the inner and outer peripheral difference can thereby be corrected to increase the number of processed wavers in one batch. - 特許庁

素子分離領域１３により画素部間が分離された固体撮像装置１０、１０Ａまたは１０Ｂを製造する際に、能動領域となる部分をパターニングして、このアクティブパターンをマスク１９として半導体基板１１上にイオン注入を行うことにより、イオン注入領域の一部または全域を素子分離領域１３とする。例文帳に追加

When solid-state imaging devices 10, 10A, or 10B having pixel portions separated by an element area region 13 is manufactured, a part to become an active region is patterned and ion injection using the active pattern as a mask 19 is performed on a semiconductor substrate 11 to form a part or the whole of the ion injection region as the element separation region 13. - 特許庁

本実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、基板上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン膜を結晶化して多結晶シリコン膜を形成する工程と、プラズマドーピング法を用いて、前記多結晶シリコン膜にイオンを注入する工程と、前記イオンを注入した前記多結晶シリコン膜の表面を研磨する工程と、を備える。例文帳に追加

A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: forming an amorphous silicon film on a substrate; forming a polycrystalline silicon film by crystallization of the amorphous silicon film; injecting ions into the polycrystalline silicon film by using a plasma doping method; and polishing the surface of the polycrystalline silicon film into which the ions are injected. - 特許庁

ＳＯＩ層１０４に注入されたイオン１１２によりＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧が制御される半導体装置において，しきい値電圧制御イオン１１２は，その濃度ピーク値がＳＯＩ層１０４の１／２深さ位置（１／２Ｔ_ＳＯＩ）とＳＯＩ層１０４の下部界面位置（Ｔ_ＳＯＩ）との間に位置する濃度分布で注入されている。例文帳に追加

In the semiconductor device, in which the threshold voltage of a MOSFET is controlled with ions 112 implanted in an SOI layer 104, the concentration peak value of threshold voltage control ions 112 is implanted in the concentration distribution located at the position between the 1/2 depth position (1/2TSOI) of the SOI layer 104 and the lower interfacial position (TSOI) of the SOI layer 104. - 特許庁

ケーシング本体に回路基板を収納し、ケーシング本体を蓋する蓋体に電極を取り付け、回路基板から電極板に高圧電力を供給して電極板からイオンを発生させるイオン発生装置において、ケーシングが大型化しても電極板が割れるおそれがなく、かつポッティング用の樹脂の注入を短時間で行うことができるイオン発生装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion generator for injecting resin for potting quickly without any risk of cracks in an electrode plate even if a casing is upsized in the ion generator for storing a circuit board in a casing body, mounting an electrode to a lid body for covering the casing body, and supplying high-voltage power from the circuit board to the electrode plate for generating ions. - 特許庁

ダミーゲート電極４０を用いてソースドレイン領域７を形成した後にダミーゲート電極を除去して、ゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、ダミーゲート電極４０を除去した後に、ポケット構造領域５２を形成するイオン注入を、ダミーゲート電極があった溝に対してステップ注入による角度注入５２１によって行う。例文帳に追加

In a method of manufacturing a semiconductor device, which forms source and drain regions 7 using a dummy gate electrode 40 and thereafter, the electrode 40 is removed to form a gate electrode, and after the electrode 40 is removed, an ion implantation for forming regions 52 of a pocket structure is performed so that an angle implantation 521 using a step implantation is performed in a groove, where the electrode 40 existed. - 特許庁

インジウムを用いてポケット領域を形成し、かつインジウムのイオン注入によるリーク電流の増加を低減することのできる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of forming a pocket area by using indium and decreasing the increase of leak current by ion injection of indium. - 特許庁

材料またはハイブリッドスカベンジレス現像ワイヤの摩擦帯電特性を調整するためのイオン注入を用いる静電潜像を現像する装置及び電極構造例文帳に追加

DEVICE AND ELECTRODE STRUCTURE FOR DEVELOPING ELECTROSTATIC LATENT IMAGE USING ION IMPLANTATION FOR TRIBOELECTROSTATIC CHARGE CHARACTERISTIC OF MATERIAL OR HYBRID SCANVENGELESS DEVELOPING WIRE AND ELECTRODE STRUCTURE - 特許庁

デジタル周波数合成およびデジタル位相合成を応用して電極電圧の位相を制御する高エネルギーイオン注入装置、並びに、電極電圧の位相を正確に較正する方法例文帳に追加

HIGH-ENERGY ION IMPLANTATION DEVICE CONTROLLING ELECTRODE VOLTAGE PHASE BY APPLYING DIGITAL FREQUENCY SYNTHESIS AND PHASE SYNTHESIS, AND METHOD FOR CORRECTLY CALIBRATING ELECTRODE VOLTAGE PHASE - 特許庁

半導体装置を、窒化物半導体からなる結晶層２，３に原子番号２０以上でかつＩＩ族原子のイオン注入によって形成された高抵抗領域７を具備するよう構成する。例文帳に追加

The semiconductor device is configured to have the high-resistance region 7 formed in crystal layers 2 and 3 formed of nitride semiconductors by injecting ions of ≥20C group II atoms. - 特許庁

半導体基板を研削して薄くし、その研削面にイオン注入を行うことにより作製される半導体装置の逆漏れ電流を少なくすること。例文帳に追加

To reduce reverse leakage current of a semiconductor device produced by grinding a semiconductor substrate to have a smaller thickness and performing ion implantation on the grinding surface. - 特許庁

イオン注入装置４０のプラテン１０を構成するターンテーブル１１、フィンガ１２およびプラテンカバー１３の全てを単結晶シリコンにより形成する。例文帳に追加

A turn table 1, a finger 12, and a platen cover 13 constituting the platen 10 of the ion implantation device 40 are all formed with a single crystal silicon. - 特許庁

イオン注入装置１は、処理基板の主面に対する光軸の角度を調節可能なレーザー光を主面に向けて発するレーザー光照射部１１を含む。例文帳に追加

The ion implantation device 1 includes a laser beam radiating part 11 to radiate to a principal plane of the substrate to be treated a laser beam whose optical axis angle against the principal plane is adjustable. - 特許庁

次に、プラズマ照射装置によりゼオライトをプラズマ中に暴露してエネルギーを注入し、導入した水素ガスをイオン化してゼオライトを水素化する。例文帳に追加

Next, the zeolite is exposed into a plasma from a plasma irradiation device to inject energy therein and the introduced gaseous hydrogen is ionized, by which the zeolite is hydrogenated. - 特許庁

比較的低いエネルギーでのイオン注入により、低オン抵抗化とブロッキング効果を向上し、良好な電気特性を実現できる半導体装置を得る。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having satisfactory electrical characteristics, with its on-resistance reduced and blocking effect improved by ion implantation with a relatively low energy. - 特許庁

炭化珪素半導体装置の製造方法が、炭化珪素基板を準備する工程と、炭化珪素基板に不純物イオンを注入する工程と、炭化珪素基板を熱処理する熱処理工程とを含む。例文帳に追加

The method for manufacturing the silicon carbide semiconductor device comprises steps of: preparing a silicon carbide substrate; implanting an impurity ion to the silicon carbide substrate; and heat treating the silicon carbide substrate. - 特許庁

イオン注入された不純物原子の活性化のための熱処理温度を低くして、デバイス特性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide semiconductor device fabricating method in which properties of a device can be improved through making a heat treatment temperature low, for activating atoms of impurities subjected to ion implantation. - 特許庁

半導体デバイス製造装置は、ロードロックチャンバ１０５と、ロードロックチャンバ内の搬入アセンブリ１２５と、ロードロックチャンバに気密封止して連結されたイオン注入ターゲットチャンバ１２０とを含む。例文帳に追加

A semiconductor device manufacturing apparatus includes a load lock chamber 105, a transport assembly 125 in the load lock chamber, and an airtight ion implantation target chamber 120 connected to the load lock chamber. - 特許庁

可視領域でも有効に機能を発現する光触媒を、イオン注入装置のような特殊な設備を使用することなく製造する方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide the method for producing a photocatalyst effectively exhibiting the function even in visible ray region without using a special equipment such as an ion implantation device. - 特許庁

電離させた軽イオンを電圧で加速させて半導体基板に注入し、半導体基板の選択的ライフタイム制御をおこなう遮蔽マスク、およびそのような遮蔽マスクを用いた半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a shielding mask wherein ionized light ions are accelerated by a voltage and implanted in a semiconductor substrate, and selective life time control of a semiconductor substrate is performed, and a semiconductor manufacturing equipment using the shielding mask. - 特許庁

ＳＯＩ基板１００を用いたＳＯＩ構造の半導体装置において、活性層３となるシリコン基板に対してＡｒイオンを注入することにより格子歪み層４を形成する。例文帳に追加

In this semiconductor device of SOI structure using an SOI substrate 100, a lattice strain layer 4 is formed by injecting Ar ions into a silicon substrate acting as an active layer 3. - 特許庁

半導体装置の小型化及び薄膜化により影響されるしきい値電圧を，しきい値電圧制御イオンを好適に注入することにより制御する。例文帳に追加

To control a threshold voltage which is influenced by reduction in the size and thickness of a semiconductor device, by suitably implanting the threshold voltage control ions. - 特許庁

シリサイドプロセス前にイオン注入を行う半導体装置およびその製造方法であって、より確実にＭＩＳＦＥＴにおけるリーク電流の抑制が図れるものを実現する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof in which ion implantation is conducted before the silicide process and leak current in MISFET can be controlled more reliably. - 特許庁

半導体基板に不純物を打ち込む際、コンタミネーションを防止するとともに、不純物を所望量で正確に打ち込むことができ、また、メンテナンスが容易なイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation apparatus for preventing contamination during implanting impurities into a semiconductor substrate, assuring accurate implantation of the impurities of a desired amount, and facilitating maintenance. - 特許庁

バイアホール内に形成した裏面電極と隣接半導体素子の電極との間のリーク電極をイオン注入法により低減する半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a leak electrode between a back electrode formed in a via hole and the electrode of an adjacent semiconductor element is reduced by ion implantation, and to provide its fabrication process. - 特許庁

本発明は、プラズマ・電子シャワー及びプラズマフラッド法のような他の方法より優れた特異な利点を有する、イオン注入に起因する過剰電荷を中和させるための方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus which has significant advantages over other methods, such as plasma and electron showers and plasma flood system, for neutralizing excess charge due to ion implantation. - 特許庁

基板にダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a heat treatment method and heat treatment apparatus for performing both activation of implanted ions and recovery of an introduced defect without damaging a substrate. - 特許庁

ＩＶ族半導体にボロンを浅くイオン注入する方法に関し、ＩＶ族半導体基板に浅いｐ型不純物ドープ領域を容易に作成することができる半導体装置の製造方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of easily preparing a shallow p-type impurity doped area on a IV group semiconductor substrate with regard to a method of shallow ion implantion of boron into a IV group semiconductor. - 特許庁

ワーク５に注入するイオンを含むプラズマを発生させるための構成部品として、主に、支持電極３、ケース６および対向電極９などの構造的に簡素な構成部品のみを用いて表面処理装置を構成する。例文帳に追加

The surface treatment apparatus is constituted by using only structurally simple components such as a support electrode 3, a case 6, and counter electrodes 9, as the components to generate the plasma including an ion to be charged into a work 5. - 特許庁

イオン注入の際に、フォトレジストの硬化する面積を減少させてレジスト除去性を改善し、かつ、その寸法精度の向上が図れ、フォトレジストのチャージアップをも防止可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a semiconductor device which can improve resist removability by reducing the setting area of resist and its size precision and prevent the photoresist from being charged up during ion injection. - 特許庁

高集積度・高密度のデバイスであってもゲート電極に遮蔽されることなくイオンを注入することのできる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device into which ions are implanted without being shielded by a gate electrode, even in a device of high integration degree and high density. - 特許庁

十分な洗浄を合理的に行うことによりメンテナンス費用の可及的な低減を図り得る鉄イオン注入装置の洗浄システムを提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning system for an iron ion injecting device for reducing maintenance cost as much as possible by reasonably performing sufficient cleaning. - 特許庁