「イオン注入装置」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

異なるサイズのウェーハを処理することの労力や時間、さらには製造コストの削減が可能となり、処理中のウェーハ外周囲部の破損がないイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanter capable of reducing labor, time and a manufacturing cost for processing wafers having different sizes without causing damage to the outside peripheral part of each wafer during processing. - 特許庁

パーティクルを発生させることなく、簡単な構造で短時間に、かつ注入状態においても、ホルダとイオンビームとの間の角度を高精度で計測することができる装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device capable of measuring accurately the angle between a holder and an ion beam with a simple structure in a short time without generating particles, and even in an injected state. - 特許庁

プラズマイオン注入法と成膜を複合化し、被処理物の表面物性を物理的ないし化学的に改質し、成膜するプラズマ表面処理法及び装置を実現する。例文帳に追加

To provide a method and a device for plasma surface treatment in which a plasma ion implanting method and film deposition are combined, the surface physical properties of a work are physically or chemically modified, and film deposition is performed thereon. - 特許庁

コードイオン注入を行わないセルの閾値電圧が高くなり読み出しマージンが小さくなることを抑制する半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory for suppressing the decrease of a reading margin due to the increase of the threshold voltage of a cell in which code ion implantation is not operated, and a method for manufacturing the semiconductor memory. - 特許庁

セル電流の低下を防止することができると共に、拡散層間のリークを低減する素子分離イオン注入のドーズ量を十分高く確保することができるフラットセル型メモリ半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a flat cell-type memory semiconductor device which is capable of preventing a cell current from deteriorating and enhancing implanted element isolation ions in dose so as to reduce a leakage current between diffusion layers enough. - 特許庁

高低2種類のしきい値のＭＯＳトランジスタで構成するマスクＲＯＭを内蔵した半導体装置においてしきい値イオン注入ダメージによるゲート酸化膜の信頼性劣化を抑制する。例文帳に追加

To suppress the deterioration of a gate oxide film due to threshold ion implantation damage in a semiconductor device incorporating a mask ROM that is composed by two kinds MOS transistors with high and low thresholds. - 特許庁

本発明は、ウェハの交換が伴うものであっても、処理室を大型化することなく、小型・軽量化されて設置面積も増加することのないイオン注入装置を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide an ion implanting device making it small and lightweight without enlarging a treatment chamber even if a wafer is replaceable and preventing increase in an installation area. - 特許庁

この場合、ＩＨ型線形加速器３０としては、ＡＰＦ収束及び補助的に四重極収束機能を備えたＩＨ型線形加速器３０とすると、イオン注入装置を更に、小型化、省電力化することが可能となる。例文帳に追加

In this case, the ion implanting device can be made more compact and power-saving, if the IH type linear accelerator 30 is made provided with an APF convergence function, and supplementarily, a quadrupole convergence function. - 特許庁

２０Ｈｚないし３００Ｈｚの状態の周波数で稼働できる磁気走査システムを使用した、連続的混成タイプ及びバッチ・タイプ両方の重イオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide the heavy ion implanting instrument of both a continuous hybrid type and a batch type using a magnetic scan system operated at a frequency from 20Hz to 300Hz condition. - 特許庁

イオン注入法によりトレンチ側壁部に炭化珪素からなる導電層を形成する場合であれ、その導電層としての機能を適正に維持可能とする炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a silicon-carbide semiconductor device wherein, even though in the case of forming a conductive layer made of silicon carbide at the sidewall of its trench by an ion implanting method, the conductive layer can maintain properly a function required as a conductive layer. - 特許庁

シリサイドプロセス前にイオン注入を行う半導体装置であって、より確実にＭＩＳＦＥＴにおけるリーク電流の抑制が図れるものを実現する。例文帳に追加

To achieve a semiconductor device that performs ion implantation before silicide process, and can control a leakage current in MISFET more reliably. - 特許庁

本発明はウエハーとイオンビームの間の相対運動と幾何学関係を変化させることにより、均一ウエハーに対する注入方法と装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for uniformly implanting ions into a wafer by changing a relative motion and a geometrical relationship between the wafer and an ion beam. - 特許庁

上記ダイヤモンド薄膜５−１２にイオン注入装置を用い、加速電圧６０ｋＶ、ドーズ量１×１０^１４ｃｍ^−２でドーパントを打ち込む。例文帳に追加

A dopant is driven to the diamond thin film 5-12 at an acceleration voltage of 60 kV and a dose of 1×10^14 cm^-2 by using an ion implantation device. - 特許庁

不純物イオン注入時に形成されたフレンケル型結晶欠陥を終端させ、ボロンの増速拡散を抑制することで、逆短チャンネル効果を改善した半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which improves reverse short channel effect by terminating Frenkel crystal defects formed during impurity ion implantation, and suppressing enhanced diffusion of boron. - 特許庁

一般的に市販されているイオン注入装置を用いて、半導体基板の深い位置に形成される素子分離領域または光電変換素子の不純物濃度分布を改善する。例文帳に追加

To improve impurity concentration distribution of an element isolation region formed at a deep position of a semiconductor substrate or a photoelectric conversion element, by using a commercially available ion implantation device. - 特許庁

ウェーハのツイスト角度を、イオン注入条件の一つとして与えられる角度に精度良く合わせることができる方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus which enable an accurate adjustment of a twist angle to an angle given as one of conditions of an ion implantation. - 特許庁

イオン注入されたレジストをプラズマアッシング処理により、レジスト残渣による欠陥発生を抑制しつつ迅速に除去することが可能なプラズマアッシング方法及びプラズマアッシング装置を得る。例文帳に追加

To provide a plasma ashing method and a plasma ashing apparatus capable of promptly removing resist residue while preventing fault occurrence due to the resist residue by applying a plasma ashing process to an ion-implanted resist. - 特許庁

ソース領域側だけに不活性イオン注入領域が形成される非対称型ＳＯＩ電界効果トランジスタを容易に実現する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for easily providing an asymmetrical SOI (Silicon On Insulator) field effect transistor formed with an inactive ion implantation region only on a source region side. - 特許庁

枚葉式のＳＰＭ洗浄方法及び装置において、高濃度のイオン注入が施されたレジストを短時間で且つ残渣の発生を抑制しながら除去する。例文帳に追加

To remove a high-concentration ion-implanted resist in a short time while preventing generation of residue in a single-wafer SPM cleaning method and apparatus. - 特許庁

イオン注入した部分が残留しても最終加工物に染色された部分が残らない基板加工方法および半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of processing substrate which does not leave a stained portion on a final workpiece, even if ion-implanted portion remains therein. - 特許庁

半導体基板のＳＴＩ端部近辺での応力集中とイオン注入起因の微少な欠陥の発生との相乗作用による結晶欠陥の発生を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which the occurrence of crystal defect due to synergistic action of concentration of stress in the vicinity of the STI end of a semiconductor substrate and the occurrence of microdefects caused by ion implantation is suppressed. - 特許庁

イオン注入時に自然酸化膜を除去しておき、レジスト剥離工程等のシリコン基板表面が酸化され易い工程を省略可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device manufacturing method which is capable of dispensing with a process such as a resist separating process where the surface of a silicon substrate is liable to be oxidized, by a method wherein a natural oxide film is removed when ions are implanted. - 特許庁

ウエハ保持プラテンの動作に関する設定値が誤った値で設定されていても、ウエハ保持プラテンが正常に回転しているか否かを検査することができるイオン注入装置の検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide an inspection method for an ion implantation device, capable of inspecting whether or not a wafer holding platen is normally rotating even if a setting value relating to the operation of the wafer holding platen is set to a false value. - 特許庁

半導体装置の狭スペース素子と広スペース素子にそれぞれソース・ドレイン領域のイオン注入に最適な膜厚のゲート側壁を形成する。例文帳に追加

To enable a gate side wall which has an optimum thickness for implanting ions to form source/drain regions to be provided to a narrow space element and a wide space element included in a semiconductor device respectively. - 特許庁

待機時の省電力化を達成しつつ待機状態と稼動状態の切換えのロス時間を低減させるイオン注入装置及びその稼動制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation device capable of reducing a loss time of the changeover between a waiting state and an operating state while accomplishing power saving in waiting, and to provide its operation control method. - 特許庁

いわゆるオフ基板を使用して形成されるＡｌＧａＡｓ系イオン注入型ゲインガイドレーザ発光装置における、通電による遠視野像の水平方向の半値幅(θ//)の減少の改善を図る。例文帳に追加

To improve reduction of half-width (θ//) in the horizontal direction of a far field pattern by current flow, in an AlGaAs based ion implantation type gain guide laser light emitting device which is formed by using a so-called off substrate. - 特許庁

面積の大きな基材に対して、均一に、スパッタリングによる成膜と、プラズマイオン注入による表面改質とを行うことが可能な基材表面処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for treating the surface of a base material, which can uniformly deposit a film on a base material having a large surface area by sputtering and reform the surface of the base material by plasma ion implantation. - 特許庁

ビーム走査器とビーム平行化器との間に設けられていて、イオンビームをＹ方向において絞る働きをするユニポテンシャルレンズを構成する電極の組立誤差や製作誤差によって生じるイオンビームのＸＺ平面内での軌道のずれを当該ユニポテンシャルレンズにおいて電気的に修正することができるイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanting apparatus which is installed between a beam scanner and a beam collimator, and capable of electrically correcting a deviation of an orbit in an XZ plane of the ion beam caused by an assembling error and a production error of an electrode constituting a unipotential lens to converge the ion beam in Y-direction in the unipotential lens. - 特許庁

イオン注入装置１０は、半導体ウェハ１００を配置するプロセスチャンバ１２と、ソース部２４とイオンビーム選別部２６と後段加速部２８とからなり半導体ウェハ１００にイオンビームＩＢを照射するビームライン部１４と、ビームライン部１４の後段加速部２８にＨ_2ガスを供給するＨ_2ガス供給部１８とを備えている。例文帳に追加

The ion implanting apparatus 10 comprises a process chamber 12 for arranging a semiconductor wafer 100, a beam line part 14 having a source portion 24, an ion beam selecting portion 26 and a post stage accelerating portion 28 and irradiating an ion beam IB to the semiconductor wafer 100, and H2 gas supplying part 18 for supplying H2 gas to the post stage accelerating portion 28 of the beam line part 14. - 特許庁

イオンビーム３を照射するウエハ５を保持するウエハホルダ６を有するエンドステーション４と、前記エンドステーション４にイオンビーム３を導くビームライン（１、３１ａ、２、３１ｂ）と、を有するイオン注入装置に、ウエハホルダ６に保持したウエハ５の一部を非接触で加熱する加熱手段１０を設ける。例文帳に追加

On the ion implantation device having an end station 4 with wafer holders 6 holding wafers 5 on which ion beams 3 are irradiated, and beam lines (1, 31a, 2, 31b) guiding the ion beam 3 to the end station 4, a heating means 10, heating a part of the wafers 5 held on the wafer holders 6 without contacting the wafer, is provided. - 特許庁

しかもこの注入制御装置２６ａは、更に、スイープマグネット１２によるイオンビームのスイープ周波数を、スイープするイオンビームのイオン種およびエネルギーの少なくとも一方に応じて切り換える機能と、このスイープ周波数の切り換えに応じて、スキャン機構１６によるターゲットの最低スキャン回数を切り換える機能とを有している。例文帳に追加

The ion implanter has a function for switching a sweep frequency of the ion beam by the sweep magnet 12 according to at least one of an ion beam of an ion species and a wide energy which are to be swept, and a function for switching the lowest scanning times of the target by the scanning device 16 according to the switching of the sweep frequency. - 特許庁

ＲＯ膜装置と電気脱イオン装置で構成される純水製造装置において、ＮａＣｌ等の薬剤注入を行うことなく、電気脱イオン装置における必要塩類濃度を確保して脱塩に必要な電流値を十分に高め、安定かつ効率的な脱塩を行って高水質の処理水を得る。例文帳に追加

To provide a pure water manufacturing device constituted of an RO membrane device and an electric deionizing device which sufficiently increases an electric current value required for desalting by securing the required concentration of salts in the electric deionizing device without injecting an agent such as NaCl and thereby performs the stable and efficient desalting process to obtain the treated water of high quality. - 特許庁

開処理時において確実にマスフローコントローラが全閉状態となっており、チャンバー内へガスが突入するのを防ぐことができるガス制御装置、ガス制御装置の制御方法、及びそれらを用いたイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide: a gas control device capable of preventing gas from rushing into a chamber where a mass flow controller is securely in a completely closed state at time of an open processing; a method of controlling the gas control device; and an ion implantation device using them. - 特許庁

ゲート電極の下部からゲート電極の形成されていない基板上の領域に斜め方向のイオン注入を行って形成される不純物拡散領域を有する半導体装置において、半導体装置のサイズを従来に比して縮小化することができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for allowing the size of the semiconductor device to be smaller than the conventional size concerning the semiconductor device having an impurity diffusion region which is formed by obliquely implanting ions from the lower part of a gate electrode to a region on a substrate without the formation of the gate electrode. - 特許庁

フッ素または抗菌性金属をイオン注入している部分は、人工歯１１の表面、義歯床１２の表面、維持装置１９の表面、咬合誘導装置１３の表面、歯科矯正装置１４の表面、人工歯根２１に被せる上部構造等である。例文帳に追加

Parts where the fluorine or the antimicrobial ions are implanted are the surface of an artificial tooth 11, the surface of a denture base 12, the surface of a retaining appliance 19, the surface of an occlusion guiding appliance 13, the surface of an orthodontic appliance 14, and a superstructure to cover an artificial dental root 21. - 特許庁

複数組の永久磁石を配置することにより形成されるカスプ磁場を用いて電子の閉じ込めを行うことによって、スキャンされるイオンビームに対して、広範囲にわたる電子の安定な供給を可能にする電子中和装置と、電子中和方法、及び、電子中和装置を有するイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electron neutralizing device and an electron neutralizing method in which stable supply of electrons in wide range to the ion beam scanned is made possible by enclosing the electrons using a cusp field formed by arranging a plurality of sets of permanent magnets, and an ion injecting device having the electron neutralizing device. - 特許庁

異なるサイズのウェハを同一の半導体製造装置およびイオン注入装置でウェハ載置台、搬送系、ハンドリングロボット等の部品を交換することなく作業注入することが出来るようにするためのウェハサイズコンバージョンホルダー及びそれを用いたウェハ保持方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To obtain a wafer size conversion holder that can perform supply of wafers with different sizes by the same semiconductor-manufacturing apparatus and an ion- implanting apparatus, without replacing the parts of wafer placement rest, conveyance system, handling robot, or the like, and a wafer retention method which uses it. - 特許庁

同一基板上にＴＦＴと蓄積容量とが形成される液晶表示装置において、蓄積容量形成のためのイオン注入工程を別途追加することなく、かつ、ソース領域でのキャリアの注入による信頼性の低下を防止することができる非対称ＬＤＤ構造のＴＦＴを有する液晶表示装置及びその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a liquid crystal display having FETs of asymmetric LDD structure and storage capacitor on the same substrate and its manufacturing method which can avoid reducing the reliability due to injection of carriers at source regions, without separately adding any ion implanting process for forming the storage capacitors. - 特許庁

炭化珪素基板にイオン注入された不純物を活性化するためのアニールを行う際に形成された変質層を、高い生産性で、かつ、炭化珪素半導体装置の特性の劣化を招くことなく除去することが可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device, which can remove a deteriorated layer formed by annealing for activating impurities ion-implanted to a silicon carbide substrate, with high productivity and without degrading characteristics of the silicon carbide semiconductor device. - 特許庁

電界効果半導体装置に関し、Ｖ_th制御の為のイオン注入に依る損傷を低減し、高いチャネル移動度を維持できるようにして、高周波特性及び高速動作性が良好なＨＥＭＴを含む電界効果半導体装置を実現できるようにする。例文帳に追加

To obtain a field effect semiconductor device which contains a HENT and is excellent in high-frequency characteristics and high-speed operating characteristics by reducing the device in damage by ion implantation for controlling Vth and keeping it high in channel mobility. - 特許庁

補償イオン注入後の不純物のシリコン基板内での拡散を押さえ、トランジスタ特性や素子分離特性の変動を防止することができ、安定で特性の変動やばらつきの少ない半導体装置を実現することができる半導体装置のコンタクト形成方法の提供を課題とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is stable and reduces the fluctuation or dispersion of characteristics, by suppressing the diffusion of an impurity inside a silicone substrate after compensation ion injection, and preventing the fluctuation of transistor characteristics or element separation characteristics. - 特許庁

半導体装置の製造方法に関し、シリサイド膜の形成に先立つ非晶質化のためのイオン注入の突き抜けを防止しつつ、ソース／ドレイン領域及びゲート電極のシート抵抗を低減しうる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which prevents punch-through of ion implantation for making amorphous layers prior to the formation of silicide films, and reduces sheet resistance in source/drain areas and a gate electrode in the manufacturing method of the semiconductor device. - 特許庁

ＣＭＯＳ構造を用いた半導体装置の製造方法において、ウェル領域形成とソース／ドレイン領域形成のためのマスクを共用し、それぞれの領域形成のためのイオンを垂直に注入する工程を含む半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。例文帳に追加

In the method of manufacturing a semiconductor device using CMOS structure, the above theme is solved by the method of manufacturing a semiconductor device including a process of implanting ions for formation of each region, sharing a mask for formation of a well region and formation of source/drain regions. - 特許庁

イオン注入法を用いつつ触媒元素の成長核が形成されたカーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、この基材を用いたカーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a base material for carbon nanotube production, in which growth nuclei of a catalytic element are formed while using an ion implantation method, a method for producing carbon nanotubes using the base material, a semiconductor device, and a method for manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

イオン注入法によりゲート層が形成された炭化珪素半導体装置と比較して、ゲートの入力抵抗が低く、かつ、ゲート、ドレイン間の耐圧が高いＪＦＥＴを備える炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide semiconductor device which has the lower input resistance of a gate in comparison with a silicon carbide semiconductor device in which a gate layer is formed with an ion implantation method, and also has a JFET having higher voltage resistance between the gate and a drain, and to provide a manufacturing method of the same silicon carbide semiconductor device. - 特許庁