「イオン注入装置」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明はイオンイオン注入により磁気パターンを形成する磁気記録媒体及びその製造方法及び磁気記録再生装置に関し、主磁性膜内の記録領域に対する良好な磁気記録を可能とすることを課題とする。例文帳に追加

To make it possible to perform satisfactory magnetic recording to recording areas in a main magnetic film in a magnetic recording medium in which a magnetic pattern is formed by ion implantation, its manufacturing method and a magnetic recording and reproducing apparatus. - 特許庁

次にｐ型トランジスタのゲート加工を行い、ｎ型トランジスタを保護膜で被覆した後アクセプター・イオンを質量非分離型イオン注入装置で行う。例文帳に追加

Then, the gate of a p-type transistor is worked, the n-type transistor is covered with a protective film, and acceptor ions are implanted by a mass nonseparation-type ion implantation apparatus. - 特許庁

バッチ式イオン注入処理において、イオンビームのビーム電流に周期変動が存在する場合にもドーズ量の均一性を向上させ、それを用いて製造される半導体装置の特性を均一化する。例文帳に追加

To improve uniformity of a dose even when a beam current of an ion beam has periodic variation during batch type ion implantation processing, and to make uniform characteristics of a semiconductor device manufactured using the same. - 特許庁

イオンビームの幅方向におけるビーム電流密度分布の均一性の低下、平行度の悪化および基板処理速度の低下を抑制しつつ、基板の大型化に対応可能なイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation device capable of coping with enlargement of a board while suppressing reduction of homogeneity of a beam current density distribution in a width direction of an ion beam, aggravation of a parallel degree, and reduction of a treatment speed of the board. - 特許庁

イオン濃度調整体に溜まった血液を速やかに抜き取って患者に注入することができ、また必要によりイオン濃度調整装置１（１Ａ、１Ｂ）の洗浄操作、イオン濃度調整した血液の輸血操作、イオン濃度調整した血液を無菌的に必要な量を分割して保存する操作を選んで簡単に切り替えることができるイオン濃度調整装置を提供すること。例文帳に追加

To provide ion concentration controlling equipment which makes it possible to pick out the blood, which is accumulated in the ion concentration controlling body, and pour to the patient, and as the need arises, select and change the treatment that is cleaning the ion concentration controlling equipment, transfusion of ion concentration controlled blood, and aseptic division of the ion concentration controlled blood into the required amount and preservation. - 特許庁

基板２にイオンビーム１４を照射してイオン注入等の処理を施す際に、プラズマ発生装置２０から放出させたプラズマ３０を基板２の近傍に供給して、イオンビーム照射に伴う基板表面の帯電を抑制する。例文帳に追加

When a treatment of ion implantation or the like is applied by irradiating an ion beam 14 to a substrate 2, the charging of the substrate surface accompanied with the ion beam irradiation is suppressed by supplying a plasma 30 discharged from a plasma generator 20 to the neighborhood of the substrate 2. - 特許庁

所望のイオン種を質量分析スリット１１８で選別し、角度補正装置１２０に入れ、水平面（ｘｚ面）内で平行な幅w_2のリボン形イオンビームに変換して、エンドステーション１２２内の加工物１２４にイオン注入する。例文帳に追加

A desired ion species is selected by a mass spectrometry slit 118, put into an angle correction apparatus 120, changed into a w_2 width ribbon form ion beam parallel in a horizontal plane (xz plane), and ion implantation is carried out to a workpiece 124 in an end station 122. - 特許庁

集束イオンビームを用いる微細部位解析装置において、イオン種がGaのGa集束イオンビーム３の前照射によって試料４の表面に注入されたGaを、試料４の表面温度の測定のための参照元素とし、分析時の試料４の表面の微細部位の温度を決定する。例文帳に追加

In the minute part analyzer using the focused ion beam, Ga whose ion kind is Ga is poured on a surface of a sample 4 by pre-radiating Ga focused ion beam 3 to make it a reference element for measuring a surface temperature of the sample 4, and the temperature of the minute part on the surface of the sample 4 during analysis is determined. - 特許庁

このイオン注入装置は、リボン状のイオンビーム４を発生させるイオン源２内に原料ガス３４を導入するものであってＹ方向に配列された複数のガス導入部３８と、それから導入する原料ガス３４の流量を調節する複数の流量調節器３６とを備えている。例文帳に追加

The ion implantation apparatus is provided with a plurality of gas introducing parts 38 introducing raw material gas 34 into an ion source 2 generating a ribbon-shape ion beam 4 and arranged in the Y-direction, and a plurality of flow regulators 36 controlling the flow of the introducing raw material gas 34. - 特許庁

本発明は、完全空乏型のＳＯＩ層を用いたＭＯＳ−ＦＥＴ半導体装置の製造方法であって、閾値電圧制御のためにチャネル領域にイオン注入される不純物の濃度のピークが前記ＳＯＩ層中に存在するように注入エネルギーを調節して、前記不純物をイオン注入する。例文帳に追加

In the method for manufacturing MOS-FET semiconductor device using a perfect depletion type SOI layer, an impurity is ion-implanted adjusting implantation energy so that the peak concentration of the impurity to be ion-implanted into a channel area to control a threshold voltage exists in the SOI layer. - 特許庁

対象体に注入される不純物イオンが設定された深さ以上に注入されるチャネリング現象を防止するため、対象体の傾きと回転角が設定値の範囲にあるかどうかを検証し、これを通じて対象体が整列配置されるようにするイオン注入設備の対象体整列検証装置及びその方法を提供する。例文帳に追加

To provide an object body alignment inspection device of an ion implantation system for aligning and disposing an object body, by inspecting whether inclination and a rotation angle of an object body are in the range of a set value for preventing channeling phenomenon, wherein impurity ion to be implanted to an object body is implanted to a set depth or more, and its method. - 特許庁

半導体装置を製造する方法は、チャンバ２０１内でイオンを生成する段階，イオンを用いてチャンバ２０１内でターゲット２４１，２４２からスパッタリングされる材料を生成する段階，チャンバ２０１内でスパッタリングされた材料から他のイオンを生成する段階，チャンバ２０１から他のイオンを抽出する段階および他のイオンをウェハ１１１内に注入する段階を備える。例文帳に追加

This method comprises steps of generating ions in a chamber 201, generating materials sputtered from targets 241 and 242 in the chamber 201 using the ions, generating other ions from the materials sputtered in the chamber 201, extracting the other ions from the chamber 201, and implanting the other ions in a wafer. - 特許庁

複数種類のイオンを照射可能なイオン照射手段と、半導体ウエハが設置される複数のステージと、各ステージをイオン照射手段に対して相対移動させる移動手段と、ステージ上に半導体ウエハを設置する搬送手段と、制御手段と、イオンの種類を制御手段に入力する入力手段を備えるイオン注入装置。例文帳に追加

An ion implanter includes ion irradiation means capable of applying a plurality of types of ions, a plurality of stages where semiconductor wafers are installed, transfer means for transferring each stage relative to the ion irradiation means, transportation means for installing semiconductor wafers on the stages, control means, and input means for supplying a type of ion to the control means. - 特許庁

貯蔵施設の載置台兼用電極７の上に載置貯蔵された海産物Ｓにマイナスイオン発生電極５を接触あるいは接近させた状態とし、マイナスイオン発生電圧供給装置９からマイナスイオン発生電圧を供給し、マイナスイオン発生電極５から海産物Ｓにマイナスイオンを注入することにより海産物を貯蔵する。例文帳に追加

The marine product is stored by making a state in which the marine product S placed on an electrode 7 used combinedly as a carrying platform in a storage installation is contacted with or approached by an anion- generating electrode 5 to apply an anion-generating voltage thereto from an anion-generating voltage-applying device 9, and pouring the anion to the marine product S from the anion-generating electrode 5. - 特許庁

高エネルギーイオン分析装置や半導体製造用のイオン注入装置等における電荷粒子を加速するための高電圧の発生を主目的とする高電圧発生装置の高電圧を高精度で測定できる高電圧測定装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high voltage measuring device capable of measuring high voltage of a high voltage generating device generating high voltage to accelerate charged particles in a high-energy ion analyzer, an ion injector for manufacturing a semiconductor and the like as its main purpose. - 特許庁

２台のイオンビーム供給装置により基板の上半分と下半分にイオン照射するインライン式のイオン照射装置において、１台のイオンビーム供給装置が停止又は処理途中で異常終了した場合であっても、基板全面に所望のドーズ量が注入できるようにする。例文帳に追加

To provide an in-line type ion irradiation device, irradiating the upper half and the lower half of a substrate with ions using two ion beam supply devices, which is structured so that a desired dosage can be injected over the whole surface of the substrate even when one ion beam supply device stops or abnormally completes its operation in the course of processing. - 特許庁

ｍ（ｍは２以上の整数）本のリボン状イオンビームによるガラス基板上での照射領域を少なくとも部分的に重ね合わせて、ガラス基板上に所定の注入量分布を実現するイオン注入装置において、各リボン状イオンビームのビームの電流密度分布を効率的に調整する。例文帳に追加

To efficiently adjust a current density distribution of beams of respective ribbon-like ion beams in an ion implanter for at least partially overlapping irradiation regions on a glass substrate by m (m is an integer equal to or larger than 2) lines of ribbon-like ion beams and realizing a predetermined implantation amount distribution. - 特許庁

ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルのトランジスタの拡散層に不純物イオンを注入する際、不純物イオンがゲート電極を貫通して、トランジスタのチャネル領域にも進入し、不純物濃度が上昇してリーク電流が増加することがないように、拡散層に不純物イオンを注入するようにした、ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルを有する半導体装置の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a TAT(Trench Access Transistor) DRAM cell in which an impurity ion is implanted to a diffusion layer to prevent the impurity ion from penetrating a gate electrode and entering a channel region of a transistor, and to prevent, a concentration of impurity from increasing and a leakage current increasing when implanting the impurity ion into the diffusion layer of a transistor of TAT DRAM cell. - 特許庁

外部磁場による干渉や擾乱等のない、イオン注入装置、プラズマエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置等用の磁気中性線放電プラズマ発生装置を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetic neutral line discharge plasma generation device for ion implantion system, plasma etching system, plasma CVD system or the like, which is free of interference or disturbances by an external magnetic fields. - 特許庁

トレンチゲート構造の縦型ＭＯＳトランジスタ５０を含む半導体装置１００の製造方法であって、チャネルが構成されるＮウェル２１に対応する注入領域に、少なくとも不純物を、注入領域が完全に非晶質状態となる臨界注入量以上にイオン注入して、完全に非晶質化された非晶質領域２０を形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the semiconductor device 100 including a vertical MOS transistor 50 of a trench gate structure, at least impurities are implanted into an implantation region corresponding to n wells 21 forming a channel at not less than a critical implantation quantity in which the implantation region can become a complete amorphous state, thereby forming an amorphous region 20 in a complete amorphous state. - 特許庁

イオン注入装置１は、接地電位に保持される処理室２と、高電位に保持されるイオン源４と、イオン源４と処理室２とを電気的に絶縁状態で連結するとともに両者を連通する開口部６ａを有する主絶縁体６と、イオン源４に材料ガスを供給する材料ガス供給装置１０と、を備える。例文帳に追加

The ion implanting device 1 comprises: a treatment chamber 2 held at the ground potential; an ion source 4 held at high potential; a main insulator 6 having an opening 6a for connecting the ion source 4 and the treatment chamber 2 in an electrically insulated state and allowing both of them to communicate each other; and a material gas supply device 10 for supplying material gas to the ion source 4. - 特許庁

脱塩装置で被処理水の薬剤注入物質（ｐＨ調整剤のアンモニア）を除去することなく、被処理水の他の不純物イオンのみを除去し、薬剤注入物質の負荷と冷却負荷を軽減させた水処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a water treatment apparatus for removing only other impurity ions of water to be treated without removing a chemical agent-injecting substance (ammonia being a pH control agent) of water to be treated by a desalting device to reduce the load of the chemical agent injection substance and cooling load. - 特許庁

スパッタリング装置やイオン注入装置などの複雑かつ高価な装置を用いることなく、金属酸化物半導体を廉価に製造するとともに、金属酸化物半導体の特性を広範囲に制御する。例文帳に追加

To inexpensively manufacture a metal oxide semiconductor and control characteristics of the metal oxide semiconductor in a wide range without using a complicated and expensive apparatus such as a sputtering system or an ion implanter. - 特許庁

酸素イオン注入工程とアニール工程を半導体装置の製造方法に応用し、半導体装置のコストパフォーマンスを著しく向上させた半導体装置とその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and its manufacturing method remarkably improving cost performance of the semiconductor device by applying an oxygen ion injection process and an annealing process to the manufacturing method of the semiconductor device. - 特許庁

イオン注入装置、その導波管、質量分析装置及びこの装置のビームガイドにマイクロ波出力を配給する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an ion implantation device, a waveguide and a mass analyzer therefor, and a method of distributing microwave output to a beam guide of the mass analyzer. - 特許庁

イオン注入装置等のビーム処理装置に適用されるビーム偏向走査装置において、ビーム軌道を間にして対向し合うように一対の走査電極２１Ａ、２１Ｂを配置する。例文帳に追加

In the beam deflection scanning device to be applied for a beam treatment device such as an ion implantation device, a pair of scanning electrodes 21A, 21B are provided to face each other with a beam orbit in between. - 特許庁

ＢＦ_３を原料ガスとするイオン注入を実施した後に、タングステンＷで構成される引き出し電極のスリット間のＷ堆積物を除去するため、複雑なパラメータ設定あるいは機構、クリーニング用ガスの導入系を別途設けることなく、原料ガスを用いたクリーニングを可能とするイオン注入装置のクリーニング方法及びそのための機構を有するクリーニング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for cleaning an ion implanter, capable of cleaning using a raw material gas without additionally providing a complicated parameter setup or mechanism and a cleaning gas introduction system, for removing a W deposit between slits of extraction electrodes comprising tungsten W after performing ion implantation using BF_3 as a raw material gas, and to provide a cleaning device having a mechanism for the method. - 特許庁

電界効果型半導体装置の製造方法に関し、ＳＯＩウエハに於けるＳｉ層にＧｅをイオン注入してＳｉＧｅ層を生成させるに際し、Ｇｅのイオン注入量が少なくても、チャネル領域には充分な濃度のＧｅが存在するＳｉＧｅ層を生成できるようにし、電界効果型半導体装置に於けるキャリヤ移動度を高めて電流駆動力を向上しようとする。例文帳に追加

To generate an SiGe layer where Ge of sufficient concentration exists in a channel area even if the ion implanting quantity of Ge is less when ion- implanting Ge to an Si layer in an SOI wafer, to improve carrier moving degree in a field effect semiconductor device, and to improve current driving force on the manufacture method of the field effect semiconductor device. - 特許庁

本発明のイオン注入装置は、質量分析磁石のビームガイド200、電界を与えるパワー源、及びマルチ−カスプド磁界を与え、複数の磁石220を有する磁気装置170を備える。例文帳に追加

The ion implantation device according to the invention comprises a beam guide 200 of mass analysis magnet, a power source for providing electric field, and a magnetic device 170 providing a multicusped magnetic field and having multiple magnets 220. - 特許庁

イオン注入領域の位置あわせ誤差を抑制することにより、特性の安定した半導体装置を製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, wherein the semiconductor device having stable characteristics can be manufactured by suppressing a positioning error of an ion implantation region. - 特許庁

低エネルギーの電子を放出可能であり、メンテナンス負担が軽減されるエレクトロンフラッド装置及びそれを備えるイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electron flood apparatus capable of discharging electrons with low energy and being maintained with mitigated burden, and an ion implanter having it. - 特許庁

筒状体の内周側表面へのスパッタ法を用いたイオン注入法及びその装置並びに筒状体の内周側表面へのスパッタ法を用いたコーティング法及びその装置例文帳に追加

ION IMPLANTATION METHOD USING SPUTTERING METHOD TO INNER PERIPHERAL SURFACE SIDE OF CYLINDRICAL BODY AND AND APPARATUS THEREFOR AND COATING METHOD USING SPUTTERING METHOD AND APPARATUS THEREFOR - 特許庁

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１１に不純物イオンを注入することにより、ソース領域２５又はドレイン領域１９の拡散層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法である。例文帳に追加

In the method, an impurity ion is implanted to a silicon substrate 11, thus manufacturing a semiconductor device with a process for forming the diffusion layer of source or drain region 25 or 19. - 特許庁

本発明のイオン注入装置は、質量分析磁石114、通路139に電界を与えるパワー源174、及び通路139にマルチ−カスプド磁界を与える磁気装置170を含む。例文帳に追加

The ion implantation apparatus includes a mass spectrometry magnet 114, a power source 174 applying an electric field to a passage 139, and a magnetic apparatus 170 applying a multi-cusp magnetic field to the passage 139. - 特許庁

高精度のセルフアライメント構造を形成して半導体層に拡散層を形成する不純物元素のイオン注入を行うことにより、特性の向上を図る半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which a self-alignment structure of high precision is formed, and an impurity element forming a diffusion layer is ion-implanted in a semiconductor layer, to improve characteristics. - 特許庁

ビーム電流が不安定でもウェハへの不純物面内分布が均一になるイオン注入装置及び半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation device in which surface distribution of impurities on a wafer becomes uniform, even if the beam current is unstable, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device. - 特許庁

支持基板へ確実に不純物をイオン注入できる半導体装置の製造方法と、支持基板の電位をすばやく操作できる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of surely performing ion implantation of an impurity into a support substrate, and the semiconductor device capable of quickly operating a potential of the support substrate. - 特許庁

メカニカルスキャン方式のイオン注入装置において、基板のノッチ位置検出用の照明装置を構成する発光器に真空容器外から光を導くライトガイドを屈伸させずに済むようにする。例文帳に追加

To dispensing with bending and stretching of a light guide leading light from a vacuum vessel to a light-emitting unit constituting an illuminating device for notch position detection of a substrate, in a mechanical scanning system ion implanting device. - 特許庁

ウェーハのオリフラ部分の割れや欠けを防止するとともに、装置の稼働率の向上が図れるウェーハホルダ及びこれを備えたイオン注入装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a wafer holder which prevents cracking or chipping of the orientation flat section of a wafer and an ion implanter equipped with the holder. - 特許庁

演算装置３４は、測定装置により測定されたゲート長のウェハ面内の分布に基づき、ウェハ面内における閾値電圧を均一化するためのイオン注入のドーズ量のデータを演算する。例文帳に追加

An arithmetic unit 34 computes data on a dosage of ion implantation for uniforming a threshold voltage in the wafer surface on the basis of a distribution of gate lengths measured by the measuring units in the wafer surface. - 特許庁

レジスト膜を用いてイオン注入を行う工程を経る電気光学装置の製造方法において、表示欠陥のない、表示特性の良い電気光学装置を得る。例文帳に追加

To obtain an optoelectronic device which exhibits no display defects and hence good display performance, in a method of manufacturing an optoelectronic device system subjected to a process step, where ions are implanted using a resist film. - 特許庁

このイオン注入装置は、複数のビーム電流計測器１８で計測したビーム電流ＩＢに基づいて各フィラメント６に流すフィラメント電流ＩＦを制御する制御装置２２を備えている。例文帳に追加

This apparatus is provided with a control device 22 for controlling filament currents IF carried to respective filaments 6, based on beam currents IB measured by plural beam current measuring instruments 18. - 特許庁

このイオン注入装置は、複数のビーム電流計測器１８で計測したビーム電流ＩＢに基づいて各フィラメント６に流すフィラメント電流ＩＦを制御する制御装置２２を備えている。例文帳に追加

This ion implanter is provided with a control device 22 for controlling a filament current IF to flow through respective filaments 6 according to a beam current IB measured by a plurality of beam current measuring instruments 18. - 特許庁

このような装置は、非結晶シリコン膜３に例えばボロンのイオン注入を行った後、パターニングして島状の半導体膜４ａ、４ｂを形成し、いずれか一方に選択的に例えばボロン又はリンを注入することで得ることができる。例文帳に追加

A device like this is provided by performing ion-implantation, for example of boron, with an amorphous silicon film 3, and then patterning to form island-like semiconductor films 4a and 4b, and selectively implanting, for example, boron or phosphorous into either of them. - 特許庁

高耐圧トランジスタの注入分離領域とレトログレードウェルの作成の為のイオン注入を同時に行う製造プロセスを提供することによってマスク枚数の削減とそれに伴う製造工程の縮減さらには低コストの半導体装置を提供する。例文帳に追加

A manufacturing process in which the ion implantation for the implantation separation area of the high-withstand voltage transistor and the ion implantation for the retrograde well formation are performed at the same time is provided to decrease the number of masks, reduce manufacturing processes accompanying them, and further provide a low-cost semiconductor device. - 特許庁