「イクステンション」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

次に、少なくともゲート電極１１１ａをマスクとして基板１０１にＮ型不純物を導入し、Ｎ型イクステンション領域１１３を形成する。例文帳に追加

Then, an n-type impurity is introduced into the substrate 101 by taking at least the gate electrode 111a as a mask to form an n-type extension region 113. - 特許庁

少なくともゲート電極１１１ａをマスクとして基板１０１にＮ型不純物を導入し、Ｎ型イクステンション領域１１３を形成する。例文帳に追加

An N-type impurity is introduced into the substrate 101 by using at least the gate electrode 111a as a mask to form an N-type extension region 113. - 特許庁

少なくともゲート電極１１１ａをマスクとして、基板１０１におけるＮ型イクステンション領域１１３の下にＰ型不純物を導入し、Ｐ型ポケット領域１１４を形成する。例文帳に追加

A P-type impurity is introduced below the N-type extension region 113 on the substrate 101 by using at least the gate electrode 111a as a mask to form a P-type pocket region 114. - 特許庁

続いて、少なくともゲート電極１１１ａをマスクとして、基板１０１におけるＮ型イクステンション領域１１３の下にＰ型不純物を導入することにより、Ｐ型ポケット領域１１４を形成する。例文帳に追加

Subsequently, a p-type impurity is introduced below the n-type extension region 113 on the substrate 101 by taking at least the gate electrode 111a as a mask to form a p-type pocket region 114. - 特許庁

ここで、Ｎ型イクステンション領域１１３に対するＮ型不純物としての砒素（Ａｓ）の導入量を、高誘電率ゲート絶縁膜１１０の膜厚に基づいて定められる所定値以下である範囲に設定する。例文帳に追加

Herein, an introduction amount of arsenic (As) as the n-type impurity into the n-type extension region 113 is set within a certain range of a predetermined value or lower defined on the basis of the thickness of the high dielectric constant gate insulating film 110. - 特許庁