| 例文 (636件) |
エミッタ領域の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 636件
熱電子エミッタ１２は複数のエミッタ領域１４からなり、各エミッタ領域１４は六ホウ化ランタンの焼結体でできている。例文帳に追加
The thermionic emitter 12 consists of a plurality of emitter regions 14, each of which is made of a sintered compact of lanthanum hexaboride. - 特許庁
また、エミッタ領域９に接するベース領域５は、エミッタ領域９からコレクタ領域３に向かいＧｅ組成比が増加している。例文帳に追加
Further, in a base region 5 contacting the emitter region 9, a Ge composition ratio increases from the emitter region 9 to the collector region 3. - 特許庁
第１エミッタ領域１１１の少なくとも一部はｐ^＋ エミッタ領域１００であり，第２エミッタ領域１１１は，ｐ^＋ エミッタ領域１００に接している。例文帳に追加
At least a portion of the first emitter region 111 is formed as a p^+-emitter region 100, and the second emitter region 111 is brought into contact with the p^+-emitter region 100. - 特許庁
エミッタまたはコレクタ領域はベース領域とヘテロ接合を形成する。例文帳に追加
The emitter region or the collector region forms the base region and heterojunction. - 特許庁
そのベース領域３内にｎ形のエミッタ領域４が形成されている。例文帳に追加
An n-type emitter region 4 is formed in the base region 3. - 特許庁
その後、ベース領域１７の表面にエミッタ領域１９を形成する。例文帳に追加
Then, an emitter region 19 is formed on the surface of the base region 17. - 特許庁
ベース領域２０６内には、エミッタ／ソース領域２０８が形成されている。例文帳に追加
An emitter/source region 208 is formed within the base region 206. - 特許庁
トレンチ６は、エミッタ領域５および固定電位領域２と接する。例文帳に追加
The trench 6 is in contact with an emitter region 5 and a fixed potential region 2. - 特許庁
次に、エミッタ５９領域のシリコンゲルマニウム層５１上にエミッタ５９を形成する。例文帳に追加
Then, an emitter 59 is formed on the silicon germanium layer 51 on the emitter 59 region. - 特許庁
溝の底部からエミッタ拡散によりより微小なエミッタ領域を形成する。例文帳に追加
Its fine emitter region is formed by an emitter diffusion performed from the bottom portion of the groove. - 特許庁
互いに分離された複数のエミッタ領域１４によって熱電子エミッタ１２を構成する。例文帳に追加
A thermionic emitter 12 is structured by a plurality of emitter regions 14 separated from each other. - 特許庁
第２エミッタ領域１１０上にはエミッタ電極が形成されていない一方、第２エミッタ領域１１０と隣接する部分のベース領域１０３上にはエミッタ電極が形成されている。例文帳に追加
While no emitter electrode is formed on the second emitter region 110, an emitter electrode is formed on that part of a base region 103 which is adjacent to the second emitter region 110. - 特許庁
コレクタ領域１５は、エミッタ領域１４と離間するとともにエミッタ領域１４を包囲するように形成されている。例文帳に追加
The collector region 15 is formed to be isolated from the emitter region 14 and to surround the emitter region 14. - 特許庁
そしてｐエミッタ領域を，低濃度のｐチャネル領域１０３と高濃度のｐ^＋エミッタ領域１００とで構成した。例文帳に追加
The p emitter region is composed of a low-concentration p-channel region 103 and a high-concentration p^+ emitter region 100. - 特許庁
電流抑制領域１７は、エミッタ領域１４の底面を覆うように、エミッタ領域１４の下方に形成されている。例文帳に追加
The current suppression region 17 is formed under the emitter region 14 so as to cover the base of the emitter region 14. - 特許庁
第１領域２では、エミッタ領域２２及びボディ領域２４がエミッタ電極１２と接している。例文帳に追加
In the first region 2, the emitter region 22 and body region 24 are in contact with the emitter electrode 12. - 特許庁
第１のベース領域１８は、第２のエミッタ領域２２および第３のエミッタ領域２３と電気的に接続している。例文帳に追加
The 1st base area 18 is electrically connected to the 2nd and 3rd emitter areas 22, 23. - 特許庁
また、エミッタ層は、故意に不純物をドーピングしていないアンドープ半導体の第１エミッタ領域１１と、第２導電型ドーパントをドーピングした半導体の第２エミッタ領域１２とから成り、第２エミッタ領域１２が第１エミッタ領域１１全体を囲っている。例文帳に追加
The emitter layer consists of s first emitter region 11 of undoped semiconductor which is not doped with dopant intentionally and a second emitter region 12 of semiconductor which is doped with second conductivity dopant, and the second emitter region 12 surround the whole of the first emitter region 11. - 特許庁
エミッタ領域１７０はベース領域１５０の中に形成され、ベース領域１５０より浅い。例文帳に追加
An emitter region 170 is formed in the base region 150 and shallower than the base region 150. - 特許庁
ドリフト領域１９は、ボディ領域１２によってエミッタ領域８から分離されている。例文帳に追加
The drift region 19 is separated from the emitter region 8 by the body region 12. - 特許庁
ＩＧＢＴ１００は、エミッタ領域８と、ボディ領域１２と、ドリフト領域１９を備える。例文帳に追加
The IGBT100 includes an emitter region 8, a body region 12 and a drift region 19. - 特許庁
エミッタ領域は第１導電型領域においてベース領域上に位置している。例文帳に追加
The emitter regions are positioned on the base region in the first conductivity-type region. - 特許庁
半導体領域２１３ａにはｐボディ領域２０３ａ、ｐ＋エミッタ領域２０３ｃ及びｎ＋エミッタ領域２０４ａが形成されており、半導体領域２１３ｂにはｐボディ領域２０３ｃ、ｐ＋エミッタ領域２０３ｄ及びｎ正孔バリア領域２１１が形成されている。例文帳に追加
A p-body region 203a, a p^+emitter region 203c, and an n^+emitter region 204a are formed in the region 213a, and a p-body region 203c, a p^+emitter region 203d, and an n-hole barrier region 211 are formed in the region 213b. - 特許庁
エミッタ開口部は、エミッタ開口部ＥＬ１及びＥＬ２を含めすべて同一形状を有し、エミッタ端子側領域２１のエミッタ開口幅がベース端子側のエミッタ開口幅よりも広く形成されている。例文帳に追加
All the emitter openings have an identical shape, inclusive of emitter openings EL1, EL2, and the emitter-opening width of each emitter-terminal-side region 21 is so formed as to be made wider than the emitter-opening width of each base-terminal side. - 特許庁
このエミッタ領域４内にベース領域４を露出させ、エミッタ電極６がそのエミッタ領域４内に露出するベース領域４ｂにもコンタクトするように設けられている。例文帳に追加
In this emitter region 4, the base region 3 is exposed in this emitter region 4, and the emitter electrode 6 is provided so as to contact with a base region 4b exposed in the emitter region 4. - 特許庁
バイポーラトランジスタにおいて、エミッタ電極引き出し配線層９をエミッタ領域５と、エミッタ領域５とベース領域３との接合近傍での空乏層領域２１を完全に覆うような形状とする。例文帳に追加
In the bipolar transistor, an emitter electrode lead layer 9 is formed into such a shape as to completely cover the emitter region 5 and a depletion region 21 near the junction between the emitter region 5 and the base region 3. - 特許庁
このベース領域３およびエミッタ領域４にそれぞれコンタクトしてベース電極５およびエミッタ電極６が設けられている。例文帳に追加
A base electrode 5 and an emitter electrode 6 are provided in contact with the respective base region 3 and emitter region 4. - 特許庁
ベース領域３及びエミッタ領域４の上部に、それぞれベース電極パターン９ａ、エミッタ電極パターン１０ａを形成する。例文帳に追加
A base electrode pattern 9a and an emitter electrode pattern 10a are formed respectively on the upper part of a base region 3 and an emitter region 4. - 特許庁
エミッタ電極２はエミッタ領域１２とＰ型ベース領域１１の第２の部分１１ｂとに接続されている。例文帳に追加
An emitter electrode 2 is connected to the emitter region 12 and the second part 11b of the p-type base region 11. - 特許庁
トランジスタを構成するベース領域にコレクタ領域やエミッタ領域を形成するに際し、ベース領域内におけるコレクタ領域やエミッタ領域の位置ずれを低減する。例文帳に追加
To reduce displacement of a collector region and an emitter region within a base region for formation of the collector and emitter regions within the base region that constitutes a transistor. - 特許庁
ｎ^-領域２ａに接するように形成されたエミッタ電極７を備える。例文帳に追加
It has an emitter electrode 7 formed in contact with the n^- region 2a. - 特許庁
エミッタ領域４３、４４には、いずれも配線コンタクト部は備えていない。例文帳に追加
The emitter regions 43 and 44 are not provided with any wiring contacts. - 特許庁
エミッタパッド５近傍のベース領域２に複数のマルチエミッタ領域６が形成されており、ベース領域２に形成されているベースコンタクト１０とマルチエミッタ領域６との距離が、エミッタパッド４から遠ざかるにつれて短くなるようにしている。例文帳に追加
A plurality of multi-emitter areas 6 are formed in a base area 2 close to the emitter pad 5, and distances between base contacts 10 formed in the base area 2 and the multi-emitters 6 are gradually shortened in accordance with separation from the emitter pad 5. - 特許庁
そして，ｎ^＋エミッタ領域１０４とｐチャネル領域１０３とｐ^＋ エミッタ領域１００とのいずれもがエミッタ電極１０９に接するようにした。例文帳に追加
The n^+ emitter region 104, the p-channel region 103, and the p^+ emitter region 100 are brought into contact with an emitter electrode 109. - 特許庁
エミッタ領域１１と真性ベース領域９はヘテロ接合を形成する。例文帳に追加
The emitter area 11 and intrinsic base area 9 are connected by heterojunction. - 特許庁
スペーサはエミッタまたはコレクタ領域を外部領域から電気的に絶縁するために配置される。例文帳に追加
The spacer is arranged to electrically insulate the emitter region or the collector region from an external region. - 特許庁
Ｐ型ベース領域３内の基板表面にＮ^+型のエミッタ領域５が形成されている。例文帳に追加
An N+-type emitter region 5 is formed on the surface of the substrate within the P-type base region 3. - 特許庁
ベース領域１３やエミッタ領域１４を形成して半導体素子を形成する。例文帳に追加
A base region 13 and an emitter region 14 are formed to form a semiconductor device. - 特許庁
ＩＧＢＴ１の領域２６ｂには、ｎ^+型エミッタ領域１６ａ、１６ｂが形成されていない。例文帳に追加
N+-type emitter areas 16a and 16b are not formed in the area 26b of the IGBT1. - 特許庁
エミッタ領域７とコレクタプラグ領域８とは配線１０によって短絡する。例文帳に追加
The emitter region 7 and the collector plug region 8 are short-circuited through a wiring 10. - 特許庁
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