例文 (332件) |
バイポーラ接合トランジスタの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 332件
片持ちベースを有する超高速ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ例文帳に追加
VERY HIGH SPEED HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING CANTILEVERED BASE - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いたRFパワーモジュール例文帳に追加
RF POWER MODULE USING HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁
半導体装置1は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)である。例文帳に追加
The semiconductor device 1 is a heterojunction bipolar transistor (HBT). - 特許庁
SiGeヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加
SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
バイポーラ接合トランジスターを用いたマグネチックRAMの動作方法例文帳に追加
WRITING METHOD FOR MAGNETIC RAM USING BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR - 特許庁
静電気放電に耐久性を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ素子例文帳に追加
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR DEVICE WITH ELECTROSTATIC DISCHARGE RUGGEDNESS - 特許庁
電極構造、ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびそれらの製造方法例文帳に追加
ELECTRODE STRUCTURE, HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法及びパワーアンプ例文帳に追加
MANUFACTURE OF HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, AND POWER AMPLIFIER - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びこれを用いた電力増幅器例文帳に追加
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND POWER AMPLIFIER EMPLOYING IT - 特許庁
更に、前記バイポーラ接合トランジスタ(202)は、オーバードライブされる。例文帳に追加
And, the bipolar junction transistor (202) is overdriven. - 特許庁
ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ及びその製造方法例文帳に追加
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
半導体装置、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、並びにその製造方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE, HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタおよびその製造方法例文帳に追加
HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
ヘテロ接合型バイポーラトランジスタおよびその製造方法例文帳に追加
HETEROJUNCTION TYPE BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁
耐破壊性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加
To provide a heterojunction bipolar transistor superior in destruction resistance. - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びこれを製造する方法例文帳に追加
HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
接合型バイポーラトランジスタにおいて、ベース電極を容易に形成する。例文帳に追加
To form base electrodes with ease in a junction bipolar transistor. - 特許庁
混合信号回路用集積バイポーラ接合形トランジスタ例文帳に追加
INTEGRATED BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR FOR MIXED SIGNAL CIRCUIT - 特許庁
低下した熱抵抗を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ例文帳に追加
HETERO JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING REDUCE THERMAL RESISTANCE - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびそれを備える増幅器例文帳に追加
HETERO JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND AMPLIFIER PROVIDED WITH IT - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ集積化受光回路の製造方法例文帳に追加
MANUFACTURING METHOD FOR HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR INTEGRATION LIGHT RECEIVING CIRCUIT - 特許庁
垂直型バイポーラ接合トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加
VERTICAL BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、及びその製造方法例文帳に追加
HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法および送受信機例文帳に追加
HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD AND TRANSMITTER/RECEIVER - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ例文帳に追加
EPITAXIAL WAFER FOR HETERO JUNCTION BI-POLAR TRANSISTOR - 特許庁
改良型エミッタ−ベース接合を持つヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法例文帳に追加
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING IMPROVED EMITTER-BASE JUNCTION, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE TRANSISTOR - 特許庁
SiGe膜の形成方法とヘテロ接合トランジスタの製造方法、及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ例文帳に追加
SiGe FILM FORMING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING HETEROJUNCTION TRANSISTOR AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのシリコン・ゲルマニウム・ベース形成方法例文帳に追加
FORMING METHOD OF SILICON GERMANIUM BASE OF HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁
ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて電子ブロッキング効果を確実に防止できるようにする。例文帳に追加
To surely prevent electron blocking effect in a double heterojunction bipolar transistor. - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS FABRICATING METHOD - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法、及びそれを用いた電力増幅器例文帳に追加
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND POWER AMPLIFIER USING THE SAME - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタを有する半導体装置の信頼性を向上させる。例文帳に追加
To improve the reliability of a semiconductor device having a heterojunction bipolar transistor. - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法、並びに、通信装置例文帳に追加
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTER AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND COMMUNICATION APPARATUS - 特許庁
エミッタ・ベース・グレーディング構造が改良されたヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)例文帳に追加
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR(HBT) HAVING IMPROVED EMITTER/BASE GRADING STRUCTURE - 特許庁
III−V材料上にダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造する方法例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING DOUBLE-HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR ON III-V MATERIAL - 特許庁
単結晶ベースを有するヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ及び関連する方法例文帳に追加
HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING SINGLE CRYSTAL BASE AND METHOD RELATED THERETO - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ、及びその製造方法例文帳に追加
EPITAXIAL WAFER FOR HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
バンドギャップの狭いベース層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加
To provide a heterojunction bipolar transistor having a base layer with a narrow bandgap. - 特許庁
半導体装置の製造方法、及びヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法、並びに増幅器例文帳に追加
FABRICATION OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, AND AMPLIFIER - 特許庁
変調器およびへテロ接合バイポーラトランジスタを含むモノリシック統合光学構成要素例文帳に追加
MONOLITHIC INTEGRATED OPTICAL COMPONENT INCLUDING MODULATOR AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁
静電気放電に耐久性を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ素子を提供する。例文帳に追加
To provide a heterojunction bipolar transistor (HBT) device having an electrostatic discharge ruggedness. - 特許庁
化合物半導体基板の成長方法及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ例文帳に追加
GROWING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成要素として含む半導体装置及びその製造方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AS COMPONENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁
エミッタ層4、べース層5、コレクタ層6を具備するヘテロ接合バイポーラトランジスタである。例文帳に追加
The hetero junction bipolar transistor comprises an emitter layer 4, a base layer 5, and a collector layer 6. - 特許庁
炭素ドープベース層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法例文帳に追加
MANUFACTURE OF HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING CARBON-DOPED BASE LAYER - 特許庁
降伏電圧を増大させるGaAsSb/InP ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)を提供する。例文帳に追加
To provide a GaAsSb/InP hetero-junction bipolar transistor (HBT) that increases breakdown voltage. - 特許庁
フォトダイオードと共に形成したバイポーラ接合トランジスタを提供する。例文帳に追加
To provide a bipolar junction transistor formed together with a photodiode. - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ集積化受光回路及びその製造方法例文帳に追加
HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR INTEGRATED LIGHT- RECEIVING CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
ヘテロ接合バイポーラトランジスタにリエントリ形状を形成するためのセルフアライメント・プロセス例文帳に追加
SELF-ALIGNMENT PROCESS FOR PRODUCING REENTRY FORM HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁
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