「ヘテロ接合型」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ｎ型及びヘテロ接合型有機薄膜トランジスタ例文帳に追加

n-TYPE AND HETERO-JUNCTION ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラ型ガン効果四端子素子例文帳に追加

HETERO JUNCTION BIPOLAR GUNN EFFECT 4-TERMINAL ELEMENT - 特許庁

ヘテロ接合型バイポーラトランジスタとその製造方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ヘテロ接合型電界効果トランジスタ例文帳に追加

HETEROJUNCTION-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR - 特許庁

ヘテロ接合型遷移金属酸化物デバイス例文帳に追加

HETEROJUNCTION DEVICE COMPOSED OF TRANSITION METAL OXIDE - 特許庁

ノーマリオフ型ヘテロ接合電界効果トランジスタ例文帳に追加

NORMALLY-OFF HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR - 特許庁

ヘテロ接合型半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

ヘテロ接合電界効果型トランジスタ例文帳に追加

HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR - 特許庁

ヘテロ接合電界効果型半導体装置例文帳に追加

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

電荷移動型ヘテロ接合構造体及びその製造方法例文帳に追加

CHARGE TRANSFER HETEROJUNCTION STRUCTURE, AND MANUFACTURE THEREOF - 特許庁

ヘテロ接合型電界効果半導体装置例文帳に追加

HETERO-JUNCTION FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

倒置型メタモルフィック多接合ソーラーセルにおけるヘテロ接合サブセル例文帳に追加

HETERO-JUNCTION SUBCELL IN INVERTED METAMORPHIC MULTIJUNCTION SOLAR CELL - 特許庁

バックコンタクト単一ヘテロ接合型太陽電池の製造方法及びバックコンタクト単一ヘテロ接合型太陽電池例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF BACK CONTACT SINGLE HETEROJUNCTION-TYPE SOLAR BATTERY, AND BACK CONTACT SINGLE HETEROJUNCTION-TYPE SOLAR BATTERY - 特許庁

ＡＢＯ式血液型遺伝子に存在する遺伝子多型部位においては、集団内におけるヘテロ接合体である頻度（ヘテロ接合性）が非常に高い。例文帳に追加

At the above gene polymorphism site, the frequency of being a heterozygote ( i.e. heterozygosity ) in a cluster is very high. - 特許庁

窒化物半導体材料を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタ例文帳に追加

HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR USING NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL - 特許庁

ヘテロ接合型半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ヘテロ接合型バイポーラトランジスタおよびその製造方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION TYPE BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

ヘテロ接合型電界効果トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF - 特許庁

ヘテロ接合型バイポーラ半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

HETERO-JUNCTION TYPE BIPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ヘテロ接合型電界効果半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

高移動度ヘテロ接合相補型電界効果トランジスタおよびその方法例文帳に追加

HIGH-MOBILITY HETERO-JUNCTION COMPLEMENTARY FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS METHOD - 特許庁

ヘテロ接合電界効果型トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

HETERO-JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

さらに、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタを単位トランジスタとして、マルチフィンガー型ヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。例文帳に追加

Furthermore, a multi-finger heterojunction bipolar transistor is constituted using the heterojunction bipolar transistor as a unit transistor. - 特許庁

改良型エミッタ−ベース接合を持つヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING IMPROVED EMITTER-BASE JUNCTION, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE TRANSISTOR - 特許庁

当該交互ヘテロ接合層５は、ｐ型層１とｎ型層２とにより挟持されている。例文帳に追加

The alternate hetero-junction layer 5 is sandwiched by the p-type layer 1 and the n-type layer 2. - 特許庁

ｐｎ接合型ヘテロ構造化合物半導体発光素子及びその形成方法例文帳に追加

PN JUNCTION-TYPE HETEROSTRUCTURE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS FORMING METHOD - 特許庁

バックコンタクト単一ヘテロ接合型太陽電池及び関連する製造プロセスを提供する。例文帳に追加

To provide a back contact single heterojunction-type solar battery and a manufacturing process thereof. - 特許庁

ヘテロ接合型バイポ—ラトランジスタのコレクタ空乏層容量の飽和のシミュレーション法例文帳に追加

SATURATION SIMULATION METHOD FOR COLLECTOR DEPLETION LAYER CAPACITY OF HETEROJUNCTION TYPE BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁

静電気耐量が大きいヘテロ接合型電界効果トランジスタとその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a hetero junction field effect transistor with large electrostatic resistance, and its manufacturing method. - 特許庁

ヘテロ接合型化合物半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

HETERO-JUNCTION COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

寄生抵抗を低減できるヘテロ接合型化合物半導体電界効果トランジスタを提供すること。例文帳に追加

To provide a hetero-junction compound semiconductor field-effect transistor having less parasitic resistance. - 特許庁

MR I多形のヘテロ−またはホモ接合型の存在は、FSAP活性の差異的調節により同定される。例文帳に追加

The presence of heterozygous or homozygous type of MR I polymorphism is determined by the differential modulation of FSAP activity. - 特許庁

リーク電流が少なくて高耐圧のヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction field-effect transistor in which a leakage current is small and a breakdown strength is high. - 特許庁

標識化プライマー及び制限断片長多型を用いて生物がホモ接合型かヘテロ接合型かを検出する方法例文帳に追加

METHOD FOR DETECTING WHETHER ORGANISM IS HOMOZYGOUS OR HETEROZYGOUS USING LABELLED PRIMER AND RFLP - 特許庁

交互ヘテロ接合５は、ｐ型のラメラ層３とｎ型のラメラ層４とが交互に接合されることにより、構成されている。例文帳に追加

The alternate hetero-junction layer 5 is constituted by alternatively joining a p-type lamellar layer 3 and an n-type lamellar layer 4. - 特許庁

半導体装置１００は、ｐ型の埋込み層２６と、ｐ型埋込み層２６上に設けられており、ヘテロ接合面３が構成されている窒化物半導体のヘテロ接合層３２を備えている。例文帳に追加

A semiconductor device 100 includes a p-type buried layer 26, and a hetero-junction layer 32 of a nitride semiconductor provided on the p-type buried layer 26 and having a hetero-junction surface 3. - 特許庁

良好なボディコンタクトを得ることが可能でかつヘテロ接合層の電位を好適に制御可能なヘテロ接合ＭＩＳ型電界効果型トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a hetero junction MIS field effect transistor capable of obtaining excellent body contact and of preferably controlling the potential of a hetero junction layer. - 特許庁

本発明の一実施例に係るヘテロ接合素子１００は、無機半導体材料により構成されており、ｐ型層１、ｎ型層２、および交互ヘテロ接合層５により構成されている。例文帳に追加

A hetero-junction element 100 in one embodiment of the present invention is made of an inorganic semiconductor material and consists of a p-type layer 1, an n-type layer 2, and an alternate hetero-junction layer 5. - 特許庁

所望のリセスエッチング深さを安定して得ることができるヘテロ接合電界効果型トランジスタの製造方法およびヘテロ接合電界効果型トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a heterojunction field-effect transistor by which a desired recess etching depth can be stably obtained, and to provide the heterojunction field-effect transistor. - 特許庁

ＧａＮ系ヘテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、ヘテロ接合に接するバリアーを薄いＡｌＮ層とＧａＮ層からなる多層構造とする。例文帳に追加

In a GaN system heterojunction field effect transistor, the barrier which is contact with heterojunction is formed as a multilayer structure which consists of a thin AlN layer and a GaN layer. - 特許庁

半導体装置は、Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≦x<1, 0≦y<1)のチャネル層２上に、Al_zGa_1-zN(Al組成zは0≦z≦1)の電子供給層３から成るヘテロ接合を形成したIII族窒化物半導体ヘテロ接合電界効果型トランジスタである。例文帳に追加

A semiconductor device is a group-III nitride semiconductor heterojunction field effect transistor, having a heterojunction formed on a channel layer 2 of Al_xIn_yGa_1-x-yN (0≤x<1, 0≤y<1) as an electron supply layer 3 of Al_zGa_1-zN (Al composition z satisfies 0≤z≤1). - 特許庁

ＳｉＧｅＣヘテロ接合バイポーラトランジスタの代表例のコレクタは、ｎ型単結晶Ｓｉ層、及びｎ型単結晶ＳｉＧｅ層からなる。例文帳に追加

An exemplary SiGeC heterojunction bipolar transistor has a collector comprising an n-type single crystal Si layer and an n-type single crystal SiGe layer. - 特許庁

また、第１の半導体と第２の半導体とは、導電タイプ（ｐ型又はｎ型）が相違し、これによりダブルヘテロ接合構造とされる。例文帳に追加

Further more, the third semiconductor is different from the first and second semiconductors in the conductive type (p-type or n-type), whereby a double heterojunction structure is prepared. - 特許庁