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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > ペンタジエニルに関連した英語例文

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ペンタジエニルを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 151



例文

ジシクロペンタジエニル例文帳に追加

Dicyclopentadienyl iron; Bis(η-cyclopentadienyl)iron  - 日本法令外国語訳データベースシステム

(アルキルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムの製造方法及びその方法により製造される(アルキルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウム、並びにその(アルキルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムを原料とする薄膜の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING (ALKYLCYCLOPENTADIENYL) CYCLOPENTADIENYLRUTHENIUM, THE SAME COMPOUND PRODUCED BY THE SAME METHOD AND METHOD FOR PRODUCING THIN MEMBRANE USING THE SAME COMPOUND AS RAW MATERIAL - 特許庁

シクロペンタジエニルトリカルボニルマンガン例文帳に追加

Cyclopentadienyltricarbonyl manganese; Tricarbonyl(η-cyclopentadienyl) manganese  - 日本法令外国語訳データベースシステム

二-メチルシクロペンタジエニルトリカルボニルマンガン例文帳に追加

2-Methylcyclopentadienyl manganese tricarbonyl; (Methylcyclopentadienyl)tricarbonylmanganese  - 日本法令外国語訳データベースシステム

例文

ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING BIS(ETHYLCYCLOPENTADIENYL) RUTHENIUM - 特許庁


例文

ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムの製造法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING BIS(ETHYLCYCLOPENTADIENYL)RUTHENIUM - 特許庁

バナジウムのモノシクロペンタジエニル錯体の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING MONO(CYCLOPENTADIENYL)VANADIUM COMPLEX - 特許庁

ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウムの製造方法及びその製造方法により製造されるビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING BIS(CYCLOPENTADIENYL)RUTHENIUM AND BIS(CYCLOPENTADIENYL)RUTHENIUM PRODUCED BY THE METHOD - 特許庁

シクロペンタジエニル環にC_7-20芳香族置換基を有する次式のシクロペンタジエニル白金(IV)化合物。例文帳に追加

This photoactive platinum (IV) compound is a cyclopentadienyl platinum (IV) compound having 7-20C aromatic substituent on the cyclopentadienyl ring expressed by the following formula. - 特許庁

例文

チオ(シクロペンタジエニル)(フェノキシ)チタン錯体の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING THIO(CYCLOPENTADIENYL)(PHENOXY) TITANIUM COMPLEX - 特許庁

例文

フルベンシクロペンタジエニル金属錯体を基とする触媒系例文帳に追加

FULVENE CYCLOPENTADIENYL METAL COMPLEX-BASED CATALYST SYSTEM - 特許庁

架橋シクロペンタジエニル化合物およびメタロセンの製造方法例文帳に追加

PRODUCTION OF CROSSLINKED CYCLOPENTADIENYL COMPOUND AND METALLOCENE - 特許庁

高純度ビス(シクロペンタジエニル)マグネシウム及びその製法例文帳に追加

HIGH-PURITY BIS(CYCLOPENTADIENYL)MAGNESIUM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

高純度ビス(メチルシクロペンタジエニル)マグネシウム及びその製造方法例文帳に追加

HIGH-PURITY BIS(METHYLCYCLOPENTADIENYL)MAGNESIUM, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ストロンチウムの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PREPARING BIS(PENTAMETHYLCYCLOPENTADIENYL)STRONTIUM - 特許庁

置換シクロペンタジエニル銅錯体及びその製造方法例文帳に追加

SUBSTITUTED CYCLOPENTADIENYL COPPER COMPLEX AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

(シクロペンタジエニル)(2,4−ジメチルペンタジエニル)ルテニウムまたはビス(2,4−ジメチルペンタジエニル)ルテニウムの有機溶媒溶液を原料として用いて、ルテニウム含有膜を製造する。例文帳に追加

The ruthenium-containing film is produced by using an organic solvent solution of (cyclopentadienyl) (2, 4-dimethylpentadienyl) ruthenium or bis-(2, 4-dimethylpentadienyl) ruthenium as a raw material. - 特許庁

融点の高い(シクロペンタジエニル)(2,4−ジメチルペンタジエニル)ルテニウムまたはビス(2,4−ジメチルペンタジエニル)ルテニウムを用いたルテニウム含有膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a ruthenium-containing film using (cyclopentadienyl) (2, 4-dimethylpentadienyl) ruthenium with a high melting point, or bis-(2, 4-dimethylpentadienyl) ruthenium. - 特許庁

(2,4−ジメチルペンタジエニル)(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム及び(2,4−ジメチルペンタジエニル)(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムに対して0.1〜100重量%のビス(2,4−ジメチルペンタジエニル)ルテニウムを含有するルテニウム錯体混合物を原料として用い、CVD法等によりルテニウム含有膜を製造する。例文帳に追加

This method for producing a ruthenium-containing film by a CVD method or the like uses, as a starting material, a ruthenium complex mixture that includes: (2,4-dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)ruthenium; and 0.1-100 wt.% of bis(2,4-dimethylpentadienyl)ruthenium based on the (2,4-dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)ruthenium. - 特許庁

この有機金属化合物はメチルシクロペンタジエニルマンガントリカルボニルを含む。例文帳に追加

The organometallic compound includes methyl cyclopentadienyl manganese tricarbonyl. - 特許庁

該有機金属化合物はメチルシクロペンタジエニルマンガントリカルボニルを含んでいることができる。例文帳に追加

The organometallic compound may include methylcyclopentadienyl manganese tricarbonyl. - 特許庁

シクロペンタジエニル鉄(II)アレーンカチオン錯塩又はその類縁体の製造法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING CYCLOPENTADIENYL IRON (II) ARENE CATION COMPLEX SALT OR ANALOGUE THEREOF - 特許庁

単一の炭素架橋したビスシクロペンタジエニル化合物及びこれのメタロセン錯体例文帳に追加

BISCYCLOPENTADIENYL COMPOUND BRIDGED WITH SINGLE CARBON AND ITS METALLOCENE COMPLEX - 特許庁

置換メチレン架橋された置換インデニル−置換シクロペンタジエニル化合物の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING SUBSTITUTED METHYLENE-CROSSLINKED SUBSTITUTED INDENYL-SUBSTITUTED CYCLOPENTADIENYL COMPOUND - 特許庁

シクロペンタジエニルカルボニル基を含む放射性化合物を用いた診断及び治療用薬剤例文帳に追加

DIAGNOSTIC OR THERAPEUTIC MEDICINE USING CYCLOPENTADIENYL CARBONYL GROUP-CONTAINING RADIACTIVE COMPOUND - 特許庁

前記第2の物質は、前記シクロペンタジエニル金属前駆物質中の金属とは異なる金属を含む。例文帳に追加

The second material comprises a metal different from the metal in the cyclopentadienyl metal precursor. - 特許庁

錯体化のためのガスとしては、βジケトン系ガスやシクロペンタジエニル系ガスを含むものを用いる。例文帳に追加

As the gas for complexing, gas containing β diketone gas and cyclopentadiene gas is used. - 特許庁

シクロペンタジエニル金属前駆物質を用いた異なる金属含有薄膜のイン・シトゥー堆積例文帳に追加

IN SITU DEPOSITION OF DIFFERENT METAL-CONTAINING FILM USING CYCLOPENTADIENYL METAL PRECURSOR - 特許庁

下記一般式(I)で表される希土類金属のトリス第二ブチルシクロペンタジエニル錯体。例文帳に追加

The tris(sec-butylcyclopentadienyl) complex of a rare earth metal represented by general formula (I) is provided. - 特許庁

これら第1のサイクルは、シクロペンタジエニル金属前駆物質をパルス的に導入することを含む。例文帳に追加

These first cycles include pulsing a cyclopentadienyl metal precursor. - 特許庁

類縁構造化合物を含有する(2,4−ジメチルペンタジエニル)(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムから、類縁構造化合物を分離することにより、5重量%以下の類縁構造化合物を含有する(2,4−ジメチルペンタジエニル)(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムを得て、それを原料として用いて薄膜を製造する。例文帳に追加

This ruthenium-containing thin film is produced by using the (2,4-dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)ruthenium containing ≤5 wt.% compound having the resembling structure as a raw material, which is obtained by separating the compound having the resembling structure from the (2,4-dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)ruthenium containing the compound having the resembling structure. - 特許庁

シリルブリッジを有するフルオレニル−シクロペンタジエニル配位子およびシリルブリッジを有するフルオレニル−シクロペンタジエニルメタロセンの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING FLUORENYL-CYCLOPENTADIENYL LIGAND HAVING SILYL BRIDGE AND FLUORENYL-CYCLOPENTADIENYL METALLOCENE HAVING SILYL BRIDGE - 特許庁

ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム誘導体の製造方法及びその製造方法により製造されるビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム誘導体並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR BIS(CYCLOPENTADIENYL) RUTHENIUM DERIVATIVE, BIS(CYCLOPENTADIENYL)RUTHENIUM DERIVATIVE MANUFACTURED BY THE METHOD, AND MANUFACTURING METHOD FOR RUTHENIUM FILM OR RUTHENIUM COMPOUND FILM - 特許庁

ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム誘導体の製造方法及びその方法により製造されるビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム誘導体並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法例文帳に追加

PROCESS FOR PREPARING BIS(CYCLOPENTADIENYL)RUTHENIUM DERIVATIVE, BIS(CYCLOPENTADIENYL)RUTHENIUM DERIVATIVE PREPARED THROUGH THE PROCESS AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS FOR RUTHENIUM FILM OR RUTHENIUM COMPOUND FILM - 特許庁

ビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウムの製造方法及びその方法により製造されるビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウム並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING BIS(ALKYLCYCLOPENTADIENYL) RUTHENIUM, BIS(ALKYLCYCLOPENTADIENYL)RUTHENIUM PRODUCED BY THE SAME METHOD AND METHOD FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF RUTHENIUM THIN FILM OR RUTHENIUM COMPOUND THIN FILM - 特許庁

ビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウムの製造方法及びその製造方法により製造されるビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウム並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING BIS(ALKYLCYCLOPENTADIENYL) RUTHENIUM AND BIS(ALKYLCYCLOPENTADIENYL)RUTHENIUM PRODUCED BY THE SAME METHOD FOR PRODUCTION AND METHOD FOR PRODUCING RUTHENIUM THIN FILM OR RUTHENIUM COMPOUND THIN FILM - 特許庁

3つのシクロペンタジエニル配位子のうち少なくとも1つが置換シクロペンタジエニル基であり、水素原子からなる配位子を持つ周期律表4族遷移金属化合物。例文帳に追加

This transition metal compound is composed of a transition metal of the group IV in the periodic table and ligands comprising three cyclopentadienyl ligands and one hydrogen atom, wherein at least one of the cyclopentadienyl ligands is a substituted cyclopentadienyl. - 特許庁

5つのシクロペンタジエニル配位子を持ち、4つのシクロペンタジエニル配位子はどちらか一方の金属に対してη^5配位をしており、1つのシクロペンタジエニル配位子が2つの周期律表4族の遷移金属の間でブリッジしており、しかもσ−πアリル型の配位をする新規な遷移金属化合物。例文帳に追加

The novel transition metal compound is a compound having five cyclopentadienyl ligands wherein four cyclopentadienyl ligands are each independently coordinated to either one of the metals by η^5-bond and one cyclopentadienyl ligand is bridged between two transition metals of the Group IV of the Periodic Table and is coordinated to the two transition metals by a σ-π allyl bond. - 特許庁

反応溶剤中で顔料を分散させ、塩化アルミニウムとアルミニウム存在下、フェロセンとともに加熱して顔料表面にシクロペンタジエニル鉄錯体部位を有する顔料とし、次にこのシクロペンタジエニル鉄錯体部位を有する顔料のシクロペンタジエニル環に酸性または塩基性官能基を導入する表面処理顔料の製造方法。例文帳に追加

Further, in the process for producing the objective surface-treated pigment, a pigment is dispersed in the reaction solvent, heated together with ferrocene in the presence of aluminum chloride and aluminum to form the pigment bearing cyclopentadienyliron complex sites on the pigment surfaces, finally an acidic or basic functional group is introduced into the cyclopentadienyliron complex site of the pigment bearing the cyclopentadienyl ring. - 特許庁

このチタン原料には、塩素原子を含まず、チタンを含むメチルシクロペンタジエニルトリス(ジメチルアミノ)チタニウムを用いる。例文帳に追加

Methylcyclopentadienyl tris(dimethylamino)titanium that does not include a chlorine atom and includes titanium is used as the titanium raw material. - 特許庁

立体特異性メタロセン触媒は、中心遷移金属原子と配位した2つの立体的に非類似のシクロペンタジエニル基を有する。例文帳に追加

The stereospecific metallocene catalyst has two sterically dissimilar cyclopentadienyl groups which are coordinated with a centered transition metal atom. - 特許庁

本発明によれば、金属の供給源化学物質はイットリウムとランタンのシクロペンタジエニル化合物である。例文帳に追加

The source chemicals of the metals are cyclopentadienyl compounds of yttrium and lanthanum. - 特許庁

2つのシクロペンタジエニル環1の間は,シリレンまたはメチレンからなる架橋基3で架橋されている。例文帳に追加

The two cyclopentadienyl rings 1 are crosslinked with a crosslinking group 3 comprising a silylene or methylene. - 特許庁

メタロセン触媒における2つのシクロペンタジエニル環1の間は架橋しており,且つ活性中心金属2に不斉構造を持たない。例文帳に追加

The two cyclopentadienyl rings 1 in the metallocene catalyst are crosslinked and the active central metal 2 has no asymmetric structure. - 特許庁

粒状固体と官能基との反応によるオレフィン重合用の架橋されていないモノシクロペンタジエニル金属錯体触媒例文帳に追加

UNCROSSLINKED MONOCYCLOPENTADIENYL METAL COMPLEX CATALYST FOR OLEFIN POLYMERIZATION BY REACTION OF GRANULAR SOLID WITH FUNCTIONAL GROUP - 特許庁

置換メチレン架橋された置換インデニル−置換シクロペンタジエニル化合物の効率的な製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently producing a substituted methylene-crosslinked substituted indenyl-substituted cyclopentadienyl compound. - 特許庁

トリス(エチルシクロペンタジエニル)ランタノイドとその製造方法およびそれを用いた気相成長法による酸化物薄膜の製造方法例文帳に追加

TRIS(ETHYLCYCLOPENTADIENYL)LANTHANOID, METHOD OF PRODUCING THE SAME AND METHOD OF PRODUCING OXIDE THIN FILM THROUGH VAPOR-PHASE - 特許庁

本発明の課題は、簡便な方法により、高純度ビス(シクロペンタジエニル)マグネシウム及びその製法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a high-purity bis(cyclopentadienyl)magnesium and a method for producing the compound by a simple method. - 特許庁

本発明の課題は、簡便な方法により、高純度ビス(メチルシクロペンタジエニル)マグネシウム及びその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide high-purity bis(methylcyclopentadienyl)magnesium, and a method for producing the same by a simple method. - 特許庁

例文

不純物含量の少ない高純度のシクロペンタジエニル鉄(II)アレーンカチオン錯塩又はその類縁体を簡易な操作で得る。例文帳に追加

To produce a high-purity cyclopentadienyl iron (II) arene cation complex salt with little impurity content, or an analogue thereof by a simple operation. - 特許庁

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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
  
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