ミリアンペアを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 17件
ロ イオン注入法を用いるものであって、ビーム電流が五ミリアンペア以上のもの例文帳に追加
(b) Coating devices that employ ion implantation method and with a beam current of 5 milliamperes or more - 日本法令外国語訳データベースシステム
出力段は、約50ミリアンペアのシンクおよびソース電流を提供する。例文帳に追加
An output stage provides approximately fifty milliamps of sink and source current. - 特許庁
発光ダイオード(108〜118)はディスプレイ(102)の背後に配置され、それぞれの発光ダイオード(108〜118)は公称で200ミリアンペア以下で作動する(より好ましくは100ミリアンペア以下で作動する)。例文帳に追加
The light-emitting diodes (108-118) are arranged behind the display (102), and the respective light-emitting diodes (108-118) operate nominally at 200 mA or lower (more preferably, operates at 100 mA or lower). - 特許庁
該装置は、50ミリアンペアの最大作動電流、及び/又は、約25マイクロアンペアの最大待機電流を持つことができる。例文帳に追加
The device may have a maximum operating current of 50 milliamperes and/or a maximum standby current of about 25 microamperes. - 特許庁
20ミリアンペアの動作電流において、1ワット当たり少なくとも75ルーメンの出力を有する白色発光ソリッドステートランプの提供。例文帳に追加
To provide a white light emitting solid-state lamp having an output of at least 75 lumens per watt at a 20-milliampere drive current. - 特許庁
該装置は、50ミリアンペアの最大作動電流、及び/又は、約25マイクロアンペアの最大待機電流を持つことができる。例文帳に追加
The device can accommodate the maximum operation current of 50 mA and/or the maximum standby current of approximately 25 μA. - 特許庁
ホ スパッタリング法を用いるものであって、毎時一五マイクロメートル以上の溶着速度における電流密度が一〇ミリアンペア毎平方センチメートル以上のもの例文帳に追加
(e) Coating devices that use the sputtering method and has a current density of 10 milliamperes per square centimeter or more for hourly deposition rates of 15 micrometers or more - 日本法令外国語訳データベースシステム
(四) ビームエネルギーが六五キロ電子ボルト以上、かつ、ビーム電流が四五ミリアンペア以上のものであって、加熱された半導体材料の基板に酸素を注入することができるもの例文帳に追加
4. Ion implanters with beam energies of 65 kiloelectron volts or more and beam currents of 45 milliamperes or more, that are capable of implanting oxygen on a heated superconductor material substrate - 日本法令外国語訳データベースシステム
3 主材料にIII—V族化合物半導体(砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを除く。)を用いたもの(最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワット以下のものを除く。)例文帳に追加
iii. Photocathodes which use a III-V compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material (excluding those with a maximum radiation sensitivity of 10 milliamperes per watt or less.) - 日本法令外国語訳データベースシステム
3 主材料にIII—IV族化合物半導体(砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを除く。)を用いた光電陰極(最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワット以下のものを除く。)例文帳に追加
iii. Photocathodes using a III-IV compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material (excluding those with a maximum radiation sensitivity of 10 milliamperes per watt or less) - 日本法令外国語訳データベースシステム
Y=放電電流値(ミリアンペア)/放電時間(ミリ秒)とした場合、Yが3以上であることを特徴とするワイヤーボンディング用ボールの製造方法。例文帳に追加
The manufacturing method of the wire bonding ball, wherein Y is 3 or more, if Y = discharge current value (milliamperes)/discharge time (milliseconds). - 特許庁
高温保存時の芯材腐食を抑え、数百ミリアンペア程度のパルス放電が可能な有機電解液電池の正極の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a positive electrode of an organic electrolytic solution battery capable of pulse discharge of approximately several hundred mA in which corrosion of a core material in storage at a high temperature is suppressed. - 特許庁
印加される電流は、テスト温度における飽和光出力P_satを組立体に発生させる電流より大きく、また150ミリアンペア未満である。例文帳に追加
The applied current is larger than that causing the assemblies to generate the saturated optical output P_sat at the test temperature and less than 150 mA. - 特許庁
原光出力の少なくとも50%を発光し、85℃の温度で85%の相対湿度の環境において10ミリアンペアで少なくとも1000時間動作させた後の動作電圧が実質的に変化しない特徴を有する。例文帳に追加
The diode is characterized in that it will emit at least 50% of its original optical power and remains substantially unchanged in operating voltage after operating for at least 1,000 hours at 10 milliamps in an environment of 85% relative humidity at a temperature of 85°C. - 特許庁
メモリ回路6の消費電流が数ミリアンペア程度であるのに対して、このデジタル入出力ポートは、1ライン当たり最大24mAを供給することができるので、メモリ回路6の電源としては十分な電力供給能力を備えている。例文帳に追加
The consumed current of a memory circuit 6 is about several mA while the digital input/output port maximally supplies a current of 24 mA per line, so that a sufficient power supply capacity is provided as the power supply of the memory circuit 6. - 特許庁
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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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