「メモリ・セル」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ＦＡＭＯＳメモリ・セルをＦＡＭＯＳメモリ・セルを電気的に消去する。例文帳に追加

To electrically erase an FAMOS memory cell. - 特許庁

メモリ・セル・アレイは、メモリ・セル・アレイのビット線とワード線のマトリックスの交点に配置されたメモリ・セルを有する。例文帳に追加

The memory cell array includes memory cells arranged at crossing points of a bit-line and word-line matrix of the memory cell array. - 特許庁

このメモリ・セルは、次に冗長メモリ・セルにより置き換えられることができる。例文帳に追加

This memory cell may then be replaced with a redundant memory cell. - 特許庁

メモリ・セルにおける金属ラインのレイアウト例文帳に追加

LAYOUT OF METAL LINE IN MEMORY CELL - 特許庁

縮小表面領域を有するＳＲＡＭメモリ・セル例文帳に追加

SRAM MEMORY CELL HAVING REDUCED SURFACE REGION - 特許庁

不揮発性メモリ・セルの精密プログラミング・システム例文帳に追加

PRECISION PROGRAMMING SYSTEM OF NONVOLATILE MEMORY CELLS - 特許庁

不揮発性磁気メモリ・セルおよび装置例文帳に追加

NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY CELL AND DEVICE - 特許庁

強誘電メモリ・セルの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY CELL - 特許庁

ランダム・アクセス・メモリ・セルを提供する。例文帳に追加

To provide a random access memory cell. - 特許庁

フィン・メモリ・セルおよびその製造方法例文帳に追加

FINNED MEMORY CELL AND ITS FABRICATING METHOD - 特許庁

メモリ・セル構造およびその製造方法例文帳に追加

MEMORY CELL STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ゲート制御ダイオード・メモリ・セル例文帳に追加

GATE CONTROLLED DIODE MEMORY CELLS - 特許庁

ポリシリコン浮遊ゲートにＰＮ接合を形成した不揮発性メモリ・セル及びそのメモリ・セルを製造する方法例文帳に追加

NONVOLATILE MEMORY CELL WITH P-N JUNCTION FORMED IN POLYSILICON FLOATING GATE, AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

デュアルビット・メモリ・セルのアレーで２つの記憶サイトを含む１つのメモリ・セルを選択するビット線デコーダ構造を提供すること。例文帳に追加

To provide a bit line decoder scheme selecting one memory cell comprising two storage site in a dual bit memory cell array. - 特許庁

メモリ・セルの設計に関する種々の制約を同時に叶えるメモリ・セルの金属ラインのレイアウトを提供する。例文帳に追加

To provide the layout of the metallic lines of a memory cell for simultaneously removing various constraints relating to the design of a memory cell. - 特許庁

補正電圧は、他のメモリ・セル及び／又は選択ゲートからＮＡＮＤストリングのメモリ・セルに静電容量カップルされた電圧を補正する。例文帳に追加

The correction voltage corrects a voltage static-capacity-coupled with the memory cells in the NAND string from other memory cells and/or selection gates. - 特許庁

補正電圧を１又は複数のメモリ・セルに印加して、メモリ・セルの消去オペレーションを実質的に好適化できる。例文帳に追加

By applying a correction voltage to one or more memory cells, it is possible to make preferable the erasure operation of the memory cells virtually. - 特許庁

選択されたメモリ・セルをプログラムするため、該選択されたメモリ・セルの第１のトンネル接合が飛ばされる。例文帳に追加

For programming a selected memory cell a first tunnel junction of the selected memory cell is skipped. - 特許庁

充電能力を有するゲート制御ダイオード・メモリ・セルを提供する。例文帳に追加

To provide gate controlled diode memory cells having charging capability. - 特許庁

半導体デバイス・メモリ・セルおよびその選択的消去方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE MEMORY CELL, AND ITS SELECTIVE ERASING METHOD - 特許庁

読取り回路がフラッシュ・メモリ・セルのセル電圧を読み取る。例文帳に追加

A reading circuit reads cell voltage of a flash memory cell. - 特許庁

デュアル・トンネル接合メモリ・セルを有するメモリ・デバイス例文帳に追加

MEMORY DEVICE INCLUDING DUAL TUNNELING JUNCTION MEMORY CELL - 特許庁

三重ウェルを有するフラッシュ・メモリ・セルの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF FLASH MEMORY CELL HAVING TRIPLE WELL - 特許庁

フラッシュ・メモリ・セルは好適にシリコン基板２０内に製造される。例文帳に追加

A flash memory cell is favorably manufactured within a silicon substrate 20. - 特許庁

トンネル接合に直列の磁気トンネル接合を備えたメモリ・セル例文帳に追加

MEMORY CELL WITH MAGNETIC TUNNEL JUNCTION IN SERIES WITH TUNNEL JUNCTION - 特許庁

メモリ・セルは、半導体フィーチャおよび相変化材料を含む。例文帳に追加

To provide a memory cell etc. containing semiconductor features and a phase-change material. - 特許庁

不揮発性磁気メモリ・セル及びそれを用いた記憶回路ブロック例文帳に追加

NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY CELL AND STORAGE CIRCUIT BLOCK EMPLOYING THE SAME - 特許庁

プレーナの半導体基板を含むメモリ・セル構造を提供すること。例文帳に追加

To provide a memory cell structure including a planar semiconductor substrate. - 特許庁

メモリ・セルの抵抗状態を高い信頼性で検出する。例文帳に追加

To detect the resistance state of memory cells with high reliability. - 特許庁

本発明は、メモリ・セルを形成するフィン構成を提供する。例文帳に追加

A fin arrangement forming a memory cell is provided. - 特許庁

メモリ・セルを選択するための消費電力量を低減する。例文帳に追加

To reduce power consumption for selecting a memory cell. - 特許庁

１つの実施形態において、受信ユニットが、目標メモリ・セルを含むメモリ・セル集合体中の各メモリ・セルについての特性パラメータの値を読み取る。例文帳に追加

In one embodiment, a receiving unit reads the values of the characteristic parameters for each memory cell in the memory cell collection including a target memory cell. - 特許庁

第１の磁界Ｈｙ２をメモリ・セルに加えている間に、選択されたメモリ・セル１２に、ワード線１４による第２の磁界Ｈｙ１と、ビット線１６による第３の磁界Ｈｘを加え、第２と第３の磁界が合成されたときに前記選択されたメモリ・セルの情報が切り換えられる。例文帳に追加

While a first magnetic field Hy2 is added to a memory cell, a second magnetic field Hy1 through a word line 14 and a third magnetic field Hx through a bit line 16 are added to a selected memory cell 12, and when the second and third magnetic fields are synthesized, the information of the selected memory cell is switched. - 特許庁

メモリ・デバイスは、２つの直列のトンネル接合を有するメモリ・セルを含む。例文帳に追加

A memory device includes a memory cell possessing two series tunnel junctions. - 特許庁

ワードライン電圧及びメモリ・セル性能を増強するためのレベル・シフタ例文帳に追加

LEVEL SHIFTER FOR BOOSTING WORDLINE VOLTAGE AND MEMORY CELL PERFORMANCE - 特許庁

多層構造の不揮発性磁気メモリ・セル及びそれを用いた記憶回路ブロック例文帳に追加

NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY CELL HAVING MULTILAYER STRUCTURE AND STORAGE CIRCUIT BLOCK USING THE SAME - 特許庁

ゲート制御ダイオードを使用するメモリ・セルおよびこれの使用方法、半導体構造例文帳に追加

MEMORY CELL USING GATE CONTROL DIODE AND ITS USAGE, SEMICONDUCTOR STRUCTURE - 特許庁

電界プログラム可能記憶素子を有するメモリ・セル、およびそれを作動させる方法例文帳に追加

MEMORY CELL HAVING ELECTRIC FIELD PROGRAMMABLE MEMORY ELEMENT AND OPERATING METHOD THEREFOR - 特許庁

メモリ・セルは、第１の方向に走るポリシリコン・ゲート２を有して提供される。例文帳に追加

This memory cell is provided with a polysilicon gate 2 running in a first direction. - 特許庁

２つの記憶サイトが１つのワードゲートの下にあるツインＭＯＮＯＳメモリ・セルを提供すること。例文帳に追加

To provide a twin MONOS memory cell in which two storage sites exist under one word gate. - 特許庁

メモリ・セル構造（１０）であって、 複数のビット線（１２）と、それに交差するワード線（１４）とを含む。例文帳に追加

A memory cell structure 10 comprises a plurality of bit lines 12 and word lines 14 across them. - 特許庁

メモリ・デバイス内のメモリ・セルの安定性をテストするためのデータ処理装置および方法例文帳に追加

DATA PROCESSOR AND METHOD FOR TESTING STABILITY OF MEMORY CELL IN MEMORY DEVICE - 特許庁

不変ピッチのワード線及びビット線を持つメモリ・セル・アレイ（３００）を開示した。例文帳に追加

In the device there is provided with a memory cell array 300 having word lines and bit lines with fixed pitches. - 特許庁

独立の非対称ゲートを有するデュアル・ゲート・トランジスタが設けられたメモリ・セル例文帳に追加

MEMORY CELL EQUIPPED WITH DUAL GATE TRANSISTOR WITH INDEPENDENT AND ASYMMETRICAL GATE - 特許庁

よりコンパクトであり、あまり電力を消費しない強誘電体メモリ・セルを提供すること。例文帳に追加

To provide a further miniaturized ferroelectric memory cell which does not consume electric power so much. - 特許庁