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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > ランプ化に関連した英語例文

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ランプ化の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3360



例文

半導体ウエハWの一方の面に貼付された紫外線硬型の接着剤AD層を有する接着シートSに紫外線照射を行う光照射装置10であって、半導体ウエハWの一方の面側に配置された紫外線ランプ12と、半導体ウエハWの他方の面側に配置されるとともに、半導体ウエハW横を通過した光の漏洩を遮断するカバー材13とを備えている。例文帳に追加

The light irradiation device 10 which irradiates an adhesive sheet S having a layer of an ultraviolet curing type adhesive AD stuck to one surface of a semiconductor wafer W with an ultraviolet ray includes an ultraviolet lamp 12 disposed on the one surface side of the semiconductor wafer W, and a cover material 13 disposed on the other surface side of the semiconductor wafer W and blocking leakage of the ultraviolet ray passed by the semiconductor wafer W. - 特許庁

半導体ウエハWの一方の面に貼付された紫外線硬型の接着剤AD層を有する接着シートSに紫外線照射を行う光照射装置10であって、半導体ウエハWの一方の面側に配置された紫外線ランプ19と、半導体ウエハWの他方の面側に配置されるとともに、半導体ウエハW横を通過した光の漏洩を遮断するカバー材13とを備えている。例文帳に追加

The light irradiation device 10 which irradiates an adhesive sheet S having a layer of an ultraviolet curing type adhesive AD stuck to one surface of a semiconductor wafer W with an ultraviolet ray includes an ultraviolet lamp 19 disposed on the one surface side of the semiconductor wafer W, and a cover material 13 disposed on the other surface side of the semiconductor wafer W and blocking leakage of the ultraviolet ray passed by the semiconductor wafer W. - 特許庁

基板と、該基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸物からなる透明導電膜とを備える透明導電膜付基板における透明導電膜の改質方法であって、前記透明導電膜にフラッシュランプを用いて光照射量が2〜25J/cm^2であるフラッシュ光を照射して前記透明導電膜を加熱することによりアニール処理を施すことを特徴とする透明導電膜の改質方法。例文帳に追加

In the reforming method of the transparent conductive film in the substrate with the transparent conductive film equipped with the substrate and the transparent conductive film consisting of the complex oxide of zinc and tin formed on the substrate, the transparent conductive film is heated by irradiating flashlight on it with a light irradiation volume of 2 to 25 J/cm^2 with the use of a flash lamp to give annealing treatment. - 特許庁

半導体ウエハWの一方の面に貼付された紫外線硬型の接着剤AD層を有する接着シートSに紫外線照射を行う光照射装置10であって、半導体ウエハWの一方の面側に配置された紫外線ランプ12と、半導体ウエハWの他方の面側に配置されるとともに、半導体ウエハW横を通過した紫外線の漏洩を遮断するカバー材13とを備えている。例文帳に追加

The light irradiation device 10 irradiates an adhesive sheet S having a layer of an ultraviolet curing type adhesive AD layer stuck on one surface of a semiconductor wafer W with ultraviolet light, The light irradiation device 10 includes an ultraviolet lamp 12 disposed on the one surface side of the semiconductor wafer W, and a cover material 13 disposed on the other surface side of the semiconductor wafer W and blocking leakage of the ultraviolet light passed by the semiconductor wafer W. - 特許庁

例文

本発明は、用紙上に転写されたトナー像を加圧・加熱することにより定着するための加熱ロール及び加圧ロールと、前記加熱ロールを加熱するためのヒータランプ、及び前記加熱ロールの表面温度を検出する手段を用いた電子写真方式印刷装置において、印刷待機中及び印刷中の加熱ロール表面温度に対して、印刷起動時の加熱ロール表面温度を変させることを特徴とする。例文帳に追加

As for the electrophotographic printer using the heating roll and a pressure roll for fixing a toner image transferred onto a sheet by pressurizing/heating the toner image, a heater lamp for heating the heating roll and a means for detecting the surface temperature of the heating roll, the surface temperature of the heating roll at the start-up of printing is varied from that at a printing standby and in the midst of printing. - 特許庁


例文

そして、ワイヤロープ11を介して歩板4,5の傾斜角度を変えるジガーシリンダ7と、油圧ユニット(作動液圧源)15からの作動油をジガーシリンダ7に給排する給排通路16と、アキュームレータ30からの作動油圧をジガーシリンダ7に導く加圧通路18と、この給排通路16と加圧通路18を選択的に開通させる通路切換手段とを備え、この通路切換手段が展開、格納作動時に給排通路16を開通させる一方、ランプ時に加圧通路18を開通させて歩板4,5の傾斜角度を潮位等の変に対応して自動的に変える構成とした。例文帳に追加

When this means is operated, an inclination angle of the step boards 4 and 5 is altered automatically corresponding to a change in the sea level or the like by opening the passage 18 in ramping while the passage 16 is opened in storing operation. - 特許庁

配管の外側に設置した超音波トランスデューサから配管内部の被測定流体へ超音波を入射し、被測定流体中に存在する反射体により反射した超音波の周波数がドップラー効果により変することを利用して被測定流体の流速分布を計測するクランプオン型ドップラー式超音波流速分布計であって、超音波トランスデューサと管体との間に音波伝搬性の楔を介在させてなる超音波流速分布計に関する。例文帳に追加

A clamp-on type Doppler type ultrasonic flow velocity distribution meter is provided, in which the ultrasonic waves enter fluid to be measured inside the pipe from an ultrasonic transducer outside the pipe, and the flow velocity distribution of the fluid is measured by utilizing a change caused by the Doppler effect in frequencies of ultrasonic waves reflected by a reflector in the fluid to be measured. - 特許庁

モノ環状テルペンフェノール合物と、使用するフラッシュランプの主発光波長領域に主吸収波長領域を有する光吸収材料、前記主発光波長領域より長波長側に吸収波長ピークを有する光吸収材料、或いは、少なくとも前記主発光波長領域から可視光領域に渡ってほぼ平坦な光吸収性を有する光吸収材料のいずれかとを含有させる。例文帳に追加

The toner includes a monocyclic terpene phenol compound and a light absorbing material having a dominant absorption wavelength region in the dominant emission wavelength region of a flash lamp used, a light absorbing material having an absorption wavelength peak on the longer wavelength side than the above dominant emission wavelength region or a light absorbing material having nearly constant light absorbency over the range from at least the above dominant emission wavelength region to the visible light region. - 特許庁

遊技盤上の所定の入賞口23に遊技球が入賞したとき、複数のリール51A〜51Cを回転および停止させて図柄を変動表示する変動表示装置40を備えた弾球遊技機において、リール回転により図柄の変動が開始されるときおよびリール停止によりその変動停止が確定するときに、それぞれ点灯状態又は消灯状態に変し、図柄の変動開始から変動停止が確定するまで前記消灯状態又は点灯状態のいずれかを維持する停止確定表示ランプ71A〜71Cを設けるよう構成する。例文帳に追加

The pachinko game machine is provided with stoppage establishment display lamps 71A-71C to be respectively changed to a lighted state or a put-out state when the variation of the patterns is started by reel rotation and when the variation stoppage is established by reel stoppage and to maintain either put-out state or lighted state after pattern variation start until the establishment of the variation stoppage. - 特許庁

例文

トランジスタTr1による電磁弁のコイルCLの通電遮断で発生するフライバック電圧(フライバックエネルギ)を抑えるようツェナダイオードZD1 でクランプされるツェナ電圧が、製造上における例えば、組付部品公差等に起因するばらつきを有しているため電磁弁の開弁タイミングがばらつき、結果として、内燃機関の燃料噴射量を規定する電磁弁への通電期間が変してしまうこととなる。例文帳に追加

Valve opening timing for a solenoid valve fluctuates to resultantly change an electrification period to the solenoid valve for prescribing the fuel injection quantity of an internal combustion engine, because Zener voltage clamped by a Zener diode ZD1 so as to suppress flyback voltage (flyback energy) caused by electrification cutting off for the coil CL of the solenoid valve by a transistor Tr1, has fluctuation due to such as assembly part tolerance in manufacturing. - 特許庁

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