「一方向凝固法」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目)

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例文 (62件)

一方向凝固法の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 62件

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例文

一方向凝固させたシリコンインゴットＣを作製する方法であって、ルツボ１内に貯留させたシリコン融液Ｌに多結晶シリコンの種結晶Ｓを浸した後、該種結晶と共に前記シリコンインゴットを引き上げて作製する工程を有し、前記種結晶は、平板状である。例文帳に追加

The method of manufacturing a unidirectional solidified silicon ingot C has a process for dipping a polycrystalline silicon seed crystal S into a silicon molten liquid L stored in a crucible 1 and pulling up the silicon ingot with the seed crystal, wherein the seed crystal is planar. - 特許庁

一方向凝固合金箔帯の厚さの薄いリボン状又はフレーク状の水素吸蔵合金を確実かつ迅速に製造でき、製造設備を簡素化して設備コストを低減することができる急冷合金箔帯製造設備とその方法を提供する。例文帳に追加

To provide the device and method for manufacturing a quenched alloy foil band by which a thin ribbon-like or a flake-like hydrogen occluding alloy of a unidirectionally solidified foil band is manufactured surely and rapidly and the cost of equipment is reduced by simplifying its configuration. - 特許庁

熱電材料の製造方法において、溶製処理後一方向凝固して得られる溶製材あるいは溶製材粉末を、金属缶に真空封入し、これを冷間または熱間溝ロール圧延加工することによって酸化反応や不純物の混入のない、高純度高密度微細結晶を有する熱電材料を容易に得る。例文帳に追加

Accordingly, the thermoelectric material is easily obtained with a high-purity and high-density fine crystal in which no oxidation reaction or mixture of impurities is contained. - 特許庁

初晶がγ相であるγ単相ＴｉＡｌ単結晶合金を種結晶として用い、この種結晶から好ましくは光学式浮遊帯域溶融法によって一方向凝固させ、ＴｉＡｌ基単結晶合金を育成する。例文帳に追加

γ-Single phase TiAl single crystal alloy whose primary crystal is γ-phase is used as a seed crystal and TiAl-based single crystal alloy is coagulated in one direction, preferably by optical type floating zone melting method from the above seed crystal to grow the TiAl-based single crystal alloy. - 特許庁

例文

セラミック製マザー基板１０の表面にレーザスクライビング法によってブレーク溝１１を格子状に形成し、該マザー基板を一方向に延在するブレーク溝に沿って１次分割し、ブレーク溝形成時に発生した溶融再凝固物（ドロス）をバレル研磨等で除去する。例文帳に追加

On the surfaces of a mother ceramic substrate 10, break grooves 11 are formed in a grid pattern by a laser scribing method, and the mother substrate is primarily divided along the break grooves which extend in one direction, then dross which is produced in the break groove formation process is removed by barrel polishing or the like. - 特許庁

例文

一方向凝固鋳造法により単結晶からなる産業用ガスタービン、航空機用のタービン動翼などを作製する際にフレッケル欠陥が発生することの少ない組成のNｉ基合金を得るためのＮｉ基単結晶合金の設計方法およびその設計方法により得られたＮｉ基単結晶合金に関するものである。例文帳に追加

To provide a method for designing an Ni based single crystal alloy for obtaining a Ni based alloy having a composition which enables the reduction of the generation of a freckle defect in the production of an industrial gas turbine, a turbine moving blade for aircraft or the like consisting of single crystals by a directional solidification casting method, and an Ni based single crystal alloy obtained by the designing method. - 特許庁

公知のニッケル基超合金からの比較的大型の単結晶部品もしくは一方向凝固された組織を有する部品の、熱処理を含んだ、適した製造法を生み出すことであり、該方法により、γ'相のラフト形成が生じる傾向がなく、それゆえ該部品の低い応力サイクル数（ＬＣＦ）での改善された機械的特性、殊に改善された疲労強度をもたらす組織を確立する。例文帳に追加

To provide an appropriate producing method including heat treatment of a relatively large single crystal component made of well-known nickel-based superalloy or a component having a structure coagulated in one direction, and to establish the structure having no tendency of causing raft forming of γ' phase, an improved mechanical characteristic at a low stress cycle frequency (LCF) of the component, and especially improved fatigue strength by the method. - 特許庁

アルカリ金属とＳｉとの化合物（固相）の生成後にこの化合物の融液から晶出させることによるＳｉの精製方法であって、少なくとも、前記化合物の一方向凝固による不純物除去を含むことと、アルカリ金属Ｓｉ融液の温度によるＮａ蒸気圧差を利用したＳｉの晶出およびアルカリ金属の再利用の工程を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The purification method of Si, by forming a compound (solid phase) of an alkali metal and Si, and crystallizing Si out of a melt of the compound, at least includes a step of removing impurity through unidirectional solidification of the compound, and includes steps of Si crystallization and alkali metal reutilization by making use of vapor pressure difference of Na depending on the temperature of the alkali metal/Si melt. - 特許庁

単結晶又は一方向凝固結晶の母材に積層部を形成する溶接方法において、前記母材の施工面より幾らか下部を強制的に冷却し、最大温度勾配が母材結晶の優先成長方向に沿った方向になるようにあらかじめ前記母材に温度勾配を付与しながら、母材結晶の優先成長方向の延長線上から肉盛する。例文帳に追加

In the deposition method of forming a buildup on a single crystal or directionally solidified crystal parent material, metal deposition is performed from an extension in a preferential growth orientation of parent material crystals while forcibly cooling a portion of the parent material somewhat below a processed surface and beforehand imparting a temperature gradient to the parent material so that a maximum temperature gradient is oriented along the preferential growth orientation of the parent material crystals. - 特許庁

例文

ニオブ酸カリウムの製造方法では、原料粉末を円筒状の白金製るつぼ２０内に充填し、白金製るつぼ２０を温度勾配を有する加熱炉１０内に配置し原料粉末を高温で溶融し融液状態にした後、白金製るつぼ２０を移動させるか加熱炉１０内を冷却するかの少なくともどちらか一方により、融液を一方向から凝固させる。例文帳に追加

In this method for producing potassium niobate, the original powder is charged into a cylindrical platinum crucible 20, the platinum crucible 20 is disposed in a heating furnace 10 having a temperature gradient, the original powder is melted at a high temperature to the melt state and, thereafter, at least either by moving the platinum crucible 20 or by cooling the inside of the furnace 10, the melt is solidified from one direction. - 特許庁

例文

本発明によるスパッタリングターゲットの製造方法は、スパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造することによって鋳造インゴットを形成するに際し、皿形鋳型に原料溶湯金属を充填し、一方向凝固を行うことによって鋳造金属相中に生成する巣を上部表面層に局在化させる工程を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method for manufacturing the sputtering target embraces a step where, in the forming of an ingot by melting and casting a sputtering target material, a pan-shaped mold is filled with a molten metal as a raw material and unidirectional solidification is performed to localize the cavities formed in a cast metal phase in the upper surface layer. - 特許庁

例文

また、アルミニウムを含有するシリコンを加熱溶融して溶融物を得、得られた溶融物にリンを添加することにより、又は、アルミニウムを含有するシリコンにリンを添加して混合物を得、得られた混合物を加熱溶融することによって、アルミニウム、リン及びシリコンを含有する溶融混合物を調製した後、鋳型内において一方向の温度勾配の下で、前記溶融混合物を凝固させるリン添加シリコンの製造方法を提供する。例文帳に追加

The process for producing the phosphorus-added silicon includes melting aluminum-containing silicon by heating to obtain a melt, and adding phosphorus to the melt, or adding phosphorus to aluminum-containing silicon to obtain a mixture, and melting the mixture by heating to prepare a molten mixture containing aluminum, phosphorus, and silicon, and solidifying the molten mixture under a temperature gradient in one direction in the mold. - 特許庁