「半導体光検出器」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

有機半導体光検出器例文帳に追加

ORGANIC SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR - 特許庁

半導体光検出器及び光照射タイミング検出器例文帳に追加

SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR AND PHOTOIRRADIATION TIMING DETECTOR - 特許庁

光検出器および半導体露光装置例文帳に追加

PHOTODETECTOR, AND SEMICONDUCTOR EXPOSURE DEVICE - 特許庁

光検出半導体装置およびモバイル機器例文帳に追加

PHOTODETECTING SEMICONDUCTOR APPARATUS AND MOBILE DEVICE - 特許庁

半導体光検出器の作製方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR - 特許庁

面発光型半導体レーザ１、半導体光検出器２および光制御層３を備える。例文帳に追加

The semiconductor light emitting device includes a surface light emitting semiconductor laser 1, a semiconductor photodetector 2, and an optical control layer 3. - 特許庁

半導体量子ドット素子、その製造方法、光スイッチ、半導体レーザ、および光検出器例文帳に追加

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, OPTICAL SWITCH, SEMICONDUCTOR LASER, AND PHOTODETECTOR - 特許庁

面発光型半導体レーザ１、フィルタ部３および半導体光検出器２を備える。例文帳に追加

The semiconductor light emitting device includes a surface-emitting semiconductor laser 1, a filter 3, and the semiconductor photodetector 2. - 特許庁

高感度の半導体光検出器、および半導体光メモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sensitive semiconductor photo detector, and a semiconductor optical storage device. - 特許庁

光検出器を備える半導体光増幅器及びその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER HAVING PHOTODETECTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER - 特許庁

半導体発光装置４１は、半導体レーザ１２と、半導体レーザ１２を載置するためのサブマウントである光検出器６２と、光検出器６２に配置され、半導体レーザ１２を加熱するための加熱部８５とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor light emitting device 41 comprises a semiconductor laser 12, a photodetector 62 serving as a sub-mount for mounting the semiconductor laser 12, and a heating part 85 for the semiconductor laser 12 mounted on the photodetector 62. - 特許庁

ノンアロイコンタクト用の半導体層を備えた導波路型光検出器例文帳に追加

WAVEGUIDE TYPE PHOTODETECTOR WITH SEMICONDUCTOR LAYER FOR NON-ALLOY CONTACT - 特許庁

光検出半導体装置、携帯端末装置および電子機器例文帳に追加

LIGHT DETECTION SEMICONDUCTOR DEVICE, PORTABLE TERMINAL DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

２次的な光検出器は、半導体基板内に埋め込まれている。例文帳に追加

The secondary photodetector is embodded into the semiconductor substrate. - 特許庁

半導体光電陰極及びそれを用いた光検出器及びそれを用いた光検出装置例文帳に追加

SEMICONDUCTOR PHOTOELECTRIC CATHODE, OPTICAL DETECTOR USING THE CATHODE, AND OPTICAL DETECTION EQUIPMENT USING THE CATHODE - 特許庁

光制御層３および半導体光検出器２は、面発光型半導体レーザ１の半導体積層構造１１側にこの順に重ね合わせて面発光型半導体レーザ１と共に一体に形成されている。例文帳に追加

The optical control layer 3 and the semiconductor photodetector 2 are overlapped on a semiconductor laminated structure 11 side of the surface emitting semiconductor layer 1 in this order, and are integrally formed with the surface emitting semiconductor laser 1. - 特許庁

ｎ型半導体層１４および光吸収層１１をこの順に積層してなる半導体光検出器１の上に、発光領域２３Ａを含む半導体積層構造２０を有する面発光型半導体レーザ２を備える。例文帳に追加

On a semiconductor photodetector 1 composed by laminating an n-type semiconductor layer 14 and the optical absorption layer 11 in the order, a surface light-emitting semiconductor laser 2 is provided with a semiconductor laminated structure 20 including a light emitting region 23A. - 特許庁

また、前記外部共振型半導体レーザー装置と光検出器からなるガス検出装置とした。例文帳に追加

Further, the gas detector is composed of the two-wavelength simultaneous outside resonance type semiconductor laser device and a photodetector. - 特許庁

レーザ光を検出するための検出器を別に設ける必要がない半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser which does not need an extra detector for detecting laser beam. - 特許庁

本発明の半導体レーザジャイロは、レーザ光Ｌを出射する半導体レーザ１０と、レーザ光Ｌをモニタする光検出器５０とを備える。例文帳に追加

The semiconductor laser gyro of this invention includes the semiconductor laser 10 for emitting laser light L, and an optical detector 50 for monitoring the laser light L. - 特許庁

具体的には、極性のあるＳｉ半導体層１１と、真性Ｓｉ半導体層１２と、前記Ｓｉ半導体層１１と逆極性のＧｅ半導体層１３と、が順に積層されている光検出器１である。例文帳に追加

In the photodetector 1, an Si semiconductor layer 11 having a polarity, an intrinsic Si semiconductor layer 12 and a Ge semiconductor layer 13 having a polarity reverse to that of the Si semiconductor layer 11 are laminated sequentially. - 特許庁

第１および第２のレーザ光を出射する半導体レーザと光検出器とを備える半導体レーザジャイロである。例文帳に追加

A semiconductor laser gyro is provided with a semiconductor laser emitting a first and second laser beams and an optical detector. - 特許庁

光学素子、半導体レーザ、光検出器、光学ヘッドおよび光ディスク再生装置例文帳に追加

OPTICAL ELEMENT, SEMICONDUCTOR LASER, OPTICAL DETECTOR, OPTICAL HEAD AND OPTICAL DISK PLAYER - 特許庁

光検出器１２３は半導体基板１２５に形成されており、半導体基板１２５は蓋部材１２９の内面に固定されている。例文帳に追加

The photodetector 123 is formed in a semiconductor substrate 125, and the semiconductor substrate 125 is fixed to an inner face of the lid member 129. - 特許庁

半導体光検出器１０はｎ型半導体基板１１上に、光検出層１２、多層膜半導体層１３およびｐ型コンタクト層１４をこの順に積層して構成されており、面発光型半導体レーザ２０と共に一体に形成されている。例文帳に追加

A light detecting layer 12, a multilayered film semiconductor layer 13, and a p-type contact layer 14 are laminated in this sequence on an n-type semiconductor substrate 11 for the formation of a semiconductor photodetector 10, and the semiconductor photodetector is formed integrally with a surface-emission semiconductor laser 20. - 特許庁

半導体基板１４１は移動量検出用光検出器１３１と電気回路１７１とを有し、半導体基板１４２は基準位置検出用光検出器１３２と電気回路１７２とを有している。例文帳に追加

The semiconductor substrate 141 has a photo detector 131 for detecting the amount of travel and an electric circuit 171, and the semiconductor substrate 142 has a photo detector 132 for detecting a reference position and an electric circuit 172. - 特許庁

半導体式の光電子増倍器及びシンチレータを用いたフォトン計数ＣＴ検出器例文帳に追加

PHOTON COUNTING CT DETECTOR USING SOLID-STATE PHOTOMULTIPLIER AND SCINTILLATOR - 特許庁

光ディスク判別センサ１０は、半導体レーザ１４と光検出器１３とを有している。例文帳に追加

An optical disk discriminating sensor 10 is provided with a semiconductor laser 14 and a photodetector 13. - 特許庁

半導体レーザの発光パワーを検出するためのパワー検出器と、検出器の出力のピーク値を検出するピーク検出する検出回路と検出器の出力のボトム値を検出するボトム検出回路を設ける。例文帳に追加

The bottom detection circuit 31 is controlled by a bottom detection control signal (u) having H level representing detection state and L level representing detection off state. - 特許庁

自然放出光を高反射率で反射することにより、半導体光検出器による自然放出光の検出レベルを低減し、もって光検出精度をより向上させることの可能な半導体発光装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light emitting device capable of reducing the detection level of spontaneous emission light by a semiconductor photodetector and thereby improving photodetection accuracy by reflecting the spontaneous emission light by high reflectivity. - 特許庁

自然放出光を選択的に反射することにより、半導体光検出器による自然放出光の検出レベルを低減し、もって光検出精度をより向上させることの可能な半導体発光装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light-emitting device, capable of reducing a detection level of amplified spontaneous emission light by a semiconductor photodetector, by selectively reflecting the amplified spontaneous emission light, thereby improving the light detection accuracy. - 特許庁

つまり、第２半導体層は、面発光型半導体レーザ２から半導体光検出器１側に射出される光Ｌ２が通過する領域とは異なる部分に設けられている。例文帳に追加

That is, a second semiconductor layer is provided on a part different from a region where the light L2 passes through from the surface light-emitting semiconductor laser 2 to the side of the semiconductor photodetector 1. - 特許庁

光検出器、および半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜の製造方法例文帳に追加

PHOTODETECTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE EMBEDDED Si INSULATING FILM - 特許庁

相分離が抑制されたＩＩＩ族窒化物材料系を用いた半導体構造及び光検出器例文帳に追加

SEMICONDUCTOR STRUCTURE EMPLOYING GROUP III NITRIDE MATERIAL SYSTEM WITH INHIBITED PHASE SEPARATION, AND PHOTODETECTOR - 特許庁

枠体１は、半導体レーザと光検出器、ビームスプリッタを保持および搭載する。例文帳に追加

The semiconductor laser, the photodetector and the beam splitter are held and mounted in a frame 1. - 特許庁

本２波長半導体レーザ装置１０は、７８０ｎｍのレーザ光を発光する第１の半導体レーザ素子１２Ａと、６５０ｎｍのレーザ光を発光する第２の半導体レーザ素子１２Ｂと、第１の半導体レーザ素子の出力制御用の光検出器１４とを備えている。例文帳に追加

The two-wavelength semiconductor laser 10 comprises a first semiconductor laser element 12A for emitting a laser beam of 780 nm, a second semiconductor laser element 12B for emitting a laser beam of 650 nm, and an optical detector 24 for controlling the output of the first laser element. - 特許庁

本半導体位置検出器においては、半導体導電層１２が形成された受光面に光が入射し、その入射光位置に応じて半導体導電層１２の両端部からそれぞれ出力される電流値が可変する半導体位置検出器において、半導体導電層１２の途中に両端部間の電気伝導を遮断可能なゲート電極１１を絶縁膜１０を介して設けた。例文帳に追加

In a semiconductor position detector where light enters the light receiving face where a semiconductor conductive layer 12 is made and the current values outputted each from both ends of the semiconductor conductive layer 12 vary according to the position of its incidence, a gate electrode 11 capable of interrupting the electric conduction between both ends is provided through an insulating film 10 in the middle of the semiconductor conductive layer 12. - 特許庁

光増幅器は、半導体光増幅器と、半導体光増幅器の信号帯域外の雑音光パワーを検出する雑音光パワー検出手段と、雑音光パワー検出手段によって検出された検出雑音光パワーに基づいて半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係を補正する補正手段と、を備える。例文帳に追加

The optical amplifier includes the semiconductor optical amplifier, a noise optical power detecting means of detecting noise optical power outside a signal band of the semiconductor optical amplifier, and a correcting means of correcting the relation between the drive current and noise optical power of the semiconductor optical amplifier, on the basis of the detected noise optical power detected by the noise optical power detecting means. - 特許庁

照度検出機能、近接検出機能を有する小型の光検出半導体装置、およびモバイル機器を提供する。例文帳に追加

To provide a small photodetecting semiconductor apparatus and a mobile device which have an illuminance detection function and a proximity detection function. - 特許庁

第１の光学ユニット１は、パッケージ２と第１の光透明基板３により半導体レーザ４と第１の光検出器（ＰＤ１）５と半導体レーザ４の出力をモニタする光検出器（ＰＤｍ１）６が密封されている。例文帳に追加

In a first optical unit 1, a semiconductor laser 4, a first photodetector (PD1) 5 and a photodetector (PDm1) 6 which monitors the output of a semiconductor laser 4 are hermetically sealed with a package 2 and a first optically transparent base plate 3. - 特許庁

検出部３は、光カプラ２によって分岐された半導体光増幅器１の出力光の光パワーを検出する。例文帳に追加

The detector 3 detects the light power of the output light of the semiconductor optical amplifier 1 which has been branched by the optical coupler 2. - 特許庁

信号取得手段は、積分型半導体検出器のノイズのうち光ショットノイズが支配的となる光強度の光を前記積分型半導体検出器で受けたときの信号の値を複数回、取得する。例文帳に追加

Signal acquisition means obtains values of signals a plurality of times when an integration type semiconductor detector receives light with optical intensity where an optical shot noise is dominant in noises of the integration type semiconductor detector. - 特許庁

検出器８は、光強度Ｉ_ＣＷ，Ｉ_ＣＣＷに基づいて、半導体光アンプ１および光ファイバ２の回転角速度を検出する。例文帳に追加

The detector 8 detects the rotation angular speeds of the semiconductor optical amplifier 1 and the optical fiber 2 on the basis of the light intensities I_CW and I_CCW. - 特許庁

半導体ウェハ中に光キャリアを励起するための変調されたポンプ光を出力するポンプレーザと、プローブ光を半導体ウェハへ照射するプローブレーザと、半導体ウェハにより反射されたプローブ光を検出する検出器とを有する。例文帳に追加

The device is provided with a pump laser for outputting a modulated pump light for exciting an optical carrier in a semiconductor wafer, a probe laser for irradiating the semiconductor wafer with a probe light, and a detector for detecting the probe light reflected by the semiconductor wafer. - 特許庁

金属製基板２００には、半導体レーザユニット２０１、光検出器２０１が搭載され、樹脂製基板１００には、半導体レーザユニット２０１、光検出器２０１が貫通する開口部１０１が形成されている。例文帳に追加

A semiconductor laser unit 201 and a photodetector 201 are loaded on a metal board 200, and an opening part 101 through which the semiconductor laser unit 201 and the photodetector 201 is exposed is formed on a resin substrate 100. - 特許庁