例文 (999件) |
半導体粒子の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1649件
また、該半導体ナノ粒子蛍光体において、半導体ナノ粒子蛍光体の発光ピーク波長は、507nm以上555nm以下であることが好ましい。例文帳に追加
A preferable light emission peak wavelength of the semiconductor nanoparticle phosphor is 507-555 nm. - 特許庁
半導体ナノ粒子を用いる反応の反応測定方法及び該測定方法を用いる半導体ナノ粒子の品質評価方法例文帳に追加
REACTION MEASUREMENT METHOD FOR REACTION USING SEMICONDUCTOR NANO-PARTICLE, AND QUALITY EVALUATION METHOD FOR SEMICONDUCTOR NANO-PARTICLE USING IT - 特許庁
無機半導体または蛍光体一次粒子の製造方法および無機半導体または蛍光体一次粒子例文帳に追加
METHOD OF PRODUCING INORGANIC SEMICONDUCTOR- OR PHOSPHOR-PRIMARY PARTICLE AND INORGANIC SEMICONDUCTOR- OR PHOSPHOR-PRIMARY PARTICLE - 特許庁
新規のII−III−N半導体ナノ粒子および当該II−III−N半導体ナノ粒子の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a new II-III-N semiconductor nanoparticle, and a method of manufacturing the same. - 特許庁
結晶成長後の半導体超微粒子を含有する有機液層から該半導体超微粒子を効率よく分離する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for efficiently separating semiconductor ultramicroparticles from an organic liquid phase containing semiconductor ultramicroparticles after crystal growth. - 特許庁
特に、半導体超微粒子は、吸光係数が高いCdTe、CdSe、CdSといったカルコゲン化合物半導体超微粒子とするのがよい。例文帳に追加
Particularly, the semi-conducor ultrafine particles are preferably selected from the chalcogen compound semiconductor ultrafine particles, such as CdTe, CdSe, CdS having high absorption coefficient. - 特許庁
表面に超微細孔を有する半導体微粒子およびその形成方法、並びに表面に超微細孔を有する半導体微粒子を用いるデバイス例文帳に追加
FINE SEMICONDUCTOR PARTICLE HAVING ULTRAFINE PORES ON ITS SURFACE, ITS FORMING METHOD AND DEVICE USING IT - 特許庁
複層半導体ナノ粒子の製造方法及び該方法によって製造された複層半導体ナノ粒子例文帳に追加
METHOD FOR PRODUCING DOUBLE-LAYER SEMICONDUCTOR NANO- PARTICLES AND DOUBLE-LAYER SEMICONDUCTOR NANO-PARTICLES PRODUCED BY THE METHOD - 特許庁
また、該半導体ナノ粒子蛍光体において、半導体ナノ粒子蛍光体の平均粒径は、10nm以下であることが好ましい。例文帳に追加
A preferable mean particle diameter of the semiconductor nanoparticle phosphor is not more than 10 nm. - 特許庁
半導体ナノ粒子の核を形成する反応と、核を成長させる反応を段階的に行う半導体ナノ粒子の製造方法。例文帳に追加
The method for producing semiconductor nanoparticles comprises carrying out a reaction to form the nucleus of a semiconductor nanoparticle and a reaction to grow the nucleus stepwise. - 特許庁
荷電粒子線露光装置、半導体デバイスの製造方法、半導体製造工場、荷電粒子線露光装置の保守方法例文帳に追加
CHARGED PARTICLE BEAM ALIGNER, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PLANT, METHOD OF MAINTAINING CHARGED PARTICLE BEAM ALIGNER - 特許庁
色素吸着半導体微粒子および半導体微粒子への色素吸着方法ならびに光電変換素子および光電気化学電池例文帳に追加
PIGMENT ADSORBING SEMICONDUCTOR FINE GRAIN, PIGMENT ADSORBING METHOD TO SEMICONDUCTOR FINE GRAIN, OPTOELECTRONIC TRANSDUCER ELEMENT AND OPTOELECTRONIC CHEMICAL CELL - 特許庁
基材粒子表面にpn接合を有する半導体結晶を形成して粒子状の半導体蛍光体とした。例文帳に追加
The particulate semiconductor fluorescent substance is obtained by forming a semiconductor crystal having the p-n junction on the surface of a base material particle. - 特許庁
発光強度が、粒径によらず、ほぼ均一で高い発光が得られる半導体ナノ粒子含有膜及び半導体ナノ粒子を提供する。例文帳に追加
To provide a film containing semiconductor nanoparticles, capable of achieving a luminescence of substantially uniform, high luminescence intensity regardless of particle size, and to provide the semiconductor nanoparticles and a biological labeling agent using the semiconductor nanoparticles. - 特許庁
これにより、半導体ナノ粒子の蛍光特性を維持したまま機能性半導体ナノ粒子を製造することが可能となった。例文帳に追加
By this, it is possible to manufacture functional semiconductor nanoparticles while maintaining the fluorescent characteristics of the semiconductor nanoparticles. - 特許庁
本発明は、窒化物半導体ナノ粒子(例えば、ナノ結晶)を提供する。例文帳に追加
This invention provides a nitride semiconductor nanoparticle (for example, a nanocrystal). - 特許庁
ポリエチレングリコール化金属、金属酸化物または半導体超微粒子例文帳に追加
POLYETHYLENE GLYCOLIZED METAL, METAL OXIDE, OR ULTRAFINE SEMICONDUCTOR PARTICLE - 特許庁
硫化物シェルを有するカルコゲン化亜鉛半導体超微粒子例文帳に追加
ZINC CHALOCOGENIDE SEMICONDUCTOR ULTRAFINE PARTICLE HAVING SULFIDE SHELL - 特許庁
半導体微粒子ペースト及びその製造方法、並びに光電変換素子例文帳に追加
SEMICONDUCTOR PARTICULATE PASTE AND ITS MANUFACTURING METHOD AS WELL AS PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT - 特許庁
窒化ガリウム系半導体材料を用いた荷電粒子検出器例文帳に追加
CHARGED PARTICLE DETECTOR USING GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR MATERIAL - 特許庁
このようなタイプの化合物半導体ナノ粒子は、従来、知られていない。例文帳に追加
This type of compound semiconductor nanoparticle is not conventionally known. - 特許庁
半導体封止用樹脂組成物は、機能性粒子100を含む。例文帳に追加
The semiconductor sealing resin composition includes a functional particle 100. - 特許庁
オリゴペプチド残基を結合してなる半導体超微粒子例文帳に追加
SEMICONDUCTOR ULTRAFINE PARTICLE FORMED BY BEING COUPLED WITH OLIGOPEPTIDE RESIDUE - 特許庁
半導体ナノ粒子を分散した蛍光性ガラスとその製造方法例文帳に追加
FLUORESCENT GLASS DISPERSED WITH SEMICONDUCTOR-NANOPARTICLE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁
複合機能磁性体コア−半導体シェルナノ粒子及びその製造方法例文帳に追加
BIFUNCTIONAL MAGNETIC CORE-SEMICONDUCTOR SHELL NANOPARTICLE AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF - 特許庁
フェライト、荷電粒子線露光装置、及び半導体デバイスの製造方法例文帳に追加
FERRITE, CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
球状シリカ粒子、樹脂組成物及び半導体液状封止材例文帳に追加
SPHERICAL SILICA PARTICLE, RESIN COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR LIQUID SEALING MATERIAL - 特許庁
半導体微粒子分散ガラス蛍光体及びこれを用いた光学機器例文帳に追加
SEMICONDUCTOR PARTICULATE DISPERSION GLASS PHOSPHOR AND OPTICAL EQUIPMENT USING IT - 特許庁
導電性粒子による薄膜半導体回路層(12)のダメージを回避する。例文帳に追加
Damage to the thin-film semiconductor circuit layer (12) that conductive particles cause is avoided. - 特許庁
無機マトリックス中に半導体ナノ粒子を分散した蛍光体例文帳に追加
FLUORESCENT SUBSTANCE OBTAINED BY DISPERSING SEMICONDUCTOR NANO PARTICLES IN INORGANIC MATRIX - 特許庁
結晶半導体粒子の製造方法および光電変換装置例文帳に追加
CRYSTAL SEMICONDUCTOR PARTICLE MANUFACTURING METHOD AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE - 特許庁
半導体結晶粒子を含有する薄膜状成形体、及びその用途例文帳に追加
THIN FILM-LIKE MOLDING CONTAINING SEMICONDUCTOR CRYSTAL GRAIN, AND ITS USE - 特許庁
III−V族化合物の半導体微粒子およびその製造方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR FINE PARTICLE OF GROUP III-V COMPOUND, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁
荷電粒子線装置、半導体検査装置及び試料加工方法例文帳に追加
CHARGED PARTICLE BEAM APPARATUS, SEMICONDUCTOR INSPECTION APPARATUS AND SAMPLE PROCESSING METHOD - 特許庁
荷電粒子線露光装置及び半導体デバイスの製造方法例文帳に追加
CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
金属酸化物半導体微粒子層積層体の製造方法例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FINE PARTICLE LAYER LAMINATE - 特許庁
荷電粒子線露光装置、及び半導体デバイスの製造方法例文帳に追加
CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
荷電粒子ビ—ム露光装置及び半導体デバイス製造方法例文帳に追加
CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE SYSTEM AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁
半導体発光素子、単粒子エッチングマスク及び微細構造体例文帳に追加
SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, SINGLE PARTICLE ETCHING MASK, AND FINE STRUCTURE - 特許庁
半導体処理チャンバにおける粒子残留物を減少させるための装置例文帳に追加
APPARATUS FOR REDUCING PARTICLE RESIDUE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING CHAMBER - 特許庁
荷電粒子線装置及び半導体デバイスの製造方法例文帳に追加
CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
荷電粒子線照射方法および半導体装置の製造方法例文帳に追加
CHARGED PARTICLE BEAM IRRADIATION METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
結晶半導体粒子の製造方法及び光電変換装置例文帳に追加
MANUFACTURING METHOD FOR CRYSTAL SEMICONDUCTOR PARTICLE, AND PHOTOVOLTAIC CONVERSION DEVICE - 特許庁
荷電粒子ビ—ム装置およびこれを用いた半導体集積回路例文帳に追加
CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT USING IT - 特許庁
超分岐構造配位子を有する半導体結晶超微粒子例文帳に追加
SEMICONDUCTIVE CRYSTAL ULTRAFINE PARTICLE HAVING LIGAND WITH HYPERBRANCHED STRUCTURE - 特許庁
冷却装置、荷電粒子線露光装置及び半導体装置の製造方法例文帳に追加
MANUFACTURE OF COOLING DEVICE, CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
半導体微粒子、光電変換材料および光電変換素子例文帳に追加
SEMICONDUCTOR FINE PARTICLES AS WELL AS MATERIAL AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT - 特許庁
有機半導体装置については、絶縁層3は、高分子粒子を含有する。例文帳に追加
For the organic semiconductor device, an insulating layer 3 contains macromolecular particles. - 特許庁
荷電粒子線露光装置及び半導体装置の製造方法例文帳に追加
CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE SYSTEM AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
発光層13は、GaN系半導体粒子21を含んでいる。例文帳に追加
The light emitting layer 13 includes GaN-based semiconductor particles 21. - 特許庁
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