| 例文 (999件) |
半導体粒子の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1649件
材料の無駄が少なく効率的に製造できる液晶表示装置、半導体素子、半導体素子用基板及び半導体素子配線用被覆金属粒子を提供する。例文帳に追加
To provide a liquid crystal display device in which wastefulness of materials is small and which can be manufactured efficiently, a semiconductor element, a substrate for semiconductor element, a coated metal grain for wiring semiconductor element. - 特許庁
直径２０ｎｍ以下の金属微粒子を溶媒中に分散した溶液を、半導体基板上に塗布する工程と、溶媒を蒸発させる工程と、金属微粒子と半導体基板を反応させ、半導体基板表面に金属半導体化合物薄膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。例文帳に追加
The method of manufacturing a semiconductor device includes: a step of applying a solution wherein fine metal particles having a diameter of ≤20 nm are dispersed in a solvent, onto the semiconductor substrate; a step of evaporating the solvent; and a step of forming a metal-semiconductor compound thin film on a surface of the semiconductor substrate by causing the reaction between the fine metal particles and the semiconductor substrate. - 特許庁
本発明の固体粒子の洗浄方法は、半導体を機械加工することにより発生する半導体屑１２を含む固体粒子が混入された排水１１をタンク１０に貯留し、タンク１０に酸性を示す物質を混入して、半導体屑１２の表面に付着した金属イオン１３を、半導体屑１２から分離させ、金属イオン１３を含む排水１１と半導体屑１２とを固液分離する。例文帳に追加
In this method for washing solid particles, drain 11 with solid particles mixed therein, containing semiconductor chips generated in machining of semiconductors, is stored in a tank 10, an acidic substance is mixed into the tank 10 to separate metal ions 13 adhering to the surface of the semiconductor chips 12 therefrom, and the drain 11 containing metal ions 13 is separated from the semiconductor chips 12. - 特許庁
少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、前記半導体層を構成する半導体粒子間に細長い形状の導電性粒子を混在させる。例文帳に追加
This photoelectric conversion element is provided at least with an element, in which a semiconductor layer is adhered to is one surface, a pair of electrodes which face the semiconductor layer of the electrode, and an electrolyte layer which is arranged between the semiconductor layer of the electrode and the paired electrodes, and conductive particles having a thin and long shape are mixed in semiconductor particles constituting the semiconductor layer. - 特許庁
半導体粒子を繊維中及び／又は繊維高分子の結晶界面領域もしくは非結晶領域に選択的に分散させてなる、赤外線及び荷電粒子放射特性を有する機能性繊維を使用した機能性製品において、半導体粒子の原料として、室温付近で荷電粒子を発生させる活性化エネルギーレベルが０．１−１．０ｅＶである半導体又は禁制帯を有する半導体を用い、その半導体粒子を絶縁体繊維マトリクスに０．００１−１０ｗｔ％配合して、繊維中及び／又は繊維表面に配列させることにより、生体赤外線及び荷電粒子放射能の大きな繊維を作成した。例文帳に追加
The functional cloth (product) using functional fibers is provided; wherein the functional fibers have infrared rays- and electrically charged particles-radiating characteristics, being obtained by selectively dispersing semiconductive particles in fibers and/or in the crystal interfacial regions or noncrystal regions of a fibrous polymer. - 特許庁
六ホウ化ランタン微粒子の製造方法、六ホウ化ランタン微粒子、六ホウ化ランタン焼結体、六ホウ化ランタン膜及び有機半導体デバイス例文帳に追加
METHOD FOR PRODUCING MICROPARTICLE OF LANTHANUM HEXABORIDE, MICROPARTICLE OF LANTHANUM HEXABORIDE, SINTERED COMPACT OF LANTHANUM HEXABORIDE, FILM OF LANTHANUM HEXABORIDE, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
そして、活性化された微粒子を半導体ウエハＷに堆積させることにより、堆積された各微粒子間に空間を有する多孔質膜を形成する。例文帳に追加
Then, the activated particulates are deposited on the semiconductor wafer W to form the porous film having space between the deposited particulates. - 特許庁
電波吸収材用球状フェライト粒子、その製造方法およびフェライト粒子を含む半導体封止用樹脂組成物例文帳に追加
SPHERICAL FERRITE PARTICLE FOR RADIO WAVE ABSORBING MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR SEALING CONTAINING FERRITE PARTICLES - 特許庁
導電性または半導体性微粒子は酸化チタン微粒子とし，金属層は亜鉛から構成することが好ましい。例文帳に追加
Preferably, particles of titanium oxide are used as the conductive or semiconductor-like particulates and the metal layer is made of zinc. - 特許庁
表面処理シリカ粒子の製造方法、表面処理シリカ粒子、エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置例文帳に追加
PROCESS FOR PRODUCING SURFACE TREATED SILICA PARTICLE, SURFACE TREATED SILICA PARTICLE, EPOXY RESIN COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
また、上記複合光半導体粒子が、コロイド状粒子の表面に１層〜５層の範囲で吸着しているようにする例文帳に追加
The composite photosemiconductor particles may be adsorbed on the surfaces of the colloid-like particles in one to five layers. - 特許庁
本発明は、半導体結晶からなる微粒子を、微粒子よりもエネルギーギャップの大きな導電性媒質で充填した構造となっている。例文帳に追加
The light-emitting device is constituted of particulates, consisting of a semiconductor crystal and filled with a conductive medium having an energy gap larger than that of the particulate. - 特許庁
スラリの二次粒子を単位粒子に分散してＣＭＰ装備に供給する半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給システムを提供する。例文帳に追加
To provide a slurry supply system for semiconductor CMP process in which secondary particles of slurry are supplied to a CMP equipment while being dispersed into unit particles. - 特許庁
球状シリカ粒子、樹脂組成物及び半導体液状封止材及び球状シリカ粒子の製造方法例文帳に追加
SPHERICAL SILICA PARTICLE, RESIN COMPOSITION, SEMICONDUCTOR LIQUID SEALING MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING SPHERICAL SILICA PARTICLE - 特許庁
前記半導体微粒子の平均粒子径は、前記ホール輸送層と前記電子輸送層との間の平均間隔よりも大きいことが好ましい。例文帳に追加
The average grain size of the semiconductor fine particle is preferably larger than the average interval between the hole transport layer and the electron transport layer. - 特許庁
化粧料に、少なくとも光半導体粒子と金属粒子とを構成要素とする光触媒機能体を含有する。例文帳に追加
This cosmetic contains a substance having the function body of a photocatalyst which comprises at least optical semiconductor particles and metal particles. - 特許庁
前記酸化物半導体粒子の粒径は主として２００〜１０００ｎｍであり、前記セラミック粒子の粒径は主として１〜１０００ｎｍである。例文帳に追加
The oxide semiconductor particles have particle sizes of mainly 200-1,000 nm, and the ceramic particles have particle sizes of mainly 1-1,000 nm. - 特許庁
半導体装置の製造方法、荷電粒子ビーム露光データ作成方法、荷電粒子ビーム露光データ作成プログラム、及び、ブロックマスク例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD AND PROGRAM FOR PREPARING CHARGED GRAIN BEAM EXPOSURE DATA, AND BLOCK MASK - 特許庁
荷電粒子ビーム露光用マスク、それを用いた荷電粒子ビーム露光方法及びその露光方法を用いた半導体装置の製造方法例文帳に追加
MASK FOR CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE, CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE METHOD USING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE EXPOSURE METHOD - 特許庁
この半導体微粒子のサイズは、水素のイオン注入深さに依存するため、粒子サイズが均一にできる。例文帳に追加
Since the size of these semiconductor fine grains depends upon the depth of the ion implantation of hydrogen, the size of the grains can be formed uniformly. - 特許庁
第１のエマルジョンは研磨粒子を有し、第２のエマルジョンは半導体ウエハから削り出された金属粒子を捕獲する。例文帳に追加
The first emulsion includes abrasive particles, and the second emulsion captures metal particles polished from the semiconductor wafer. - 特許庁
本発明の浄化材は、セラミックを基材とし、光触媒活性を有する半導体粒子とアパタイト粒子とを該基材表面部に有する。例文帳に追加
The cleaning material contains ceramics as a base material, and has semiconductor particles and apatite particles having a photocatalytic activity on a base material surface. - 特許庁
荷電粒子線露光装置の設計方法、荷電粒子線露光装置、及び半導体デバイスの製造方法例文帳に追加
DESIGNING METHOD OF CHARGED-PARTICLE-BEAM EXPOSURE APPARATUS, THE SELFSAME APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
連続してこの前駆体をより高温（反応温度）のフラスコ８内に導入することで、粒子サイズの揃った半導体微粒子を作成する。例文帳に追加
By continuously introducing the precursor into a flask 8 of a higher temperature (reaction temperature), semiconductor fine particles with uniform particle sizes are produced. - 特許庁
半導体層と電荷保持担体の間には、微粒子体である直径２ｎｍのシリコン微粒子５０１３が設けられている。例文帳に追加
Fine silicon particles 5013 having a diameter of 2 nm are provided between the semiconductor layer and the charge holder/carrier. - 特許庁
荷電粒子線用標準マーク、それを有する荷電粒子線露光装置及び半導体デバイス製造方法例文帳に追加
STANDARD MARK FOR CHARGED PARTICLE BEAM, AND MANUFACTURE OF CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE STANDARD MARK - 特許庁
電波吸収材用球状複合体粒子粉末及びその製造方法、該複合体粒子粉末を含む半導体封止用樹脂組成物例文帳に追加
SPHERICAL COMPOSITE PARTICLE POWDER FOR RADIO WAVE ABSORBING MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, RESIN COMPOSITION FOR SEALIGN SEMICONDUCTOR INCLUDING COMPOSITE PARTICLE POWDER - 特許庁
荷電粒子線露光装置における露光方法、半導体デバイスの製造方法及び荷電粒子線露光装置例文帳に追加
EXPOSING METHOD IN CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE DEVICE - 特許庁
パッド６の表面には導電粒子７が載置され、パッド６以外の半導体表面領域には導電粒子７が載置されない。例文帳に追加
Conductive grains 7 are mounted on the surfaces of pads 6 but not on semiconductor surface regions other than the pads 6. - 特許庁
無機半導体材料の微粒子１０１と高分子材料１０２とを混練して微粒子１００を形成する。例文帳に追加
Fine particles 101 of an inorganic semiconductor material and a polymer material 102 are kneaded to produce fine particles 100. - 特許庁
半導体ナノ粒子をはじめとする蛍光微粒子を安定かつ均一に分散させた蛍光体を提供する。例文帳に追加
To provide a phosphor wherein phosphor particulates such as semiconductor nanoparticles are stably and uniformly dispersed. - 特許庁
半導体基板洗浄用粒子および該洗浄用粒子を含む洗浄材ならびに該洗浄材を用いた基材の洗浄方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR SUBSTRATE CLEANING PARTICLE, CLEANING MATERIAL CONTAINING THE SAME AND METHOD FOR CLEANING SUBSTRATE USING THE SAME - 特許庁
荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光装置の調整方法及び半導体デバイスの製造方法例文帳に追加
CHARGE PARTICLE BEAM EXPOSURE DEVICE, METHOD FOR ADJUSTING CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
半導体超微粒子の波長変換効率の低下を抑制した蛍光体粒子および波長変換器ならびに発光装置を提供する。例文帳に追加
To provide a fluorescent particle, a wavelength converter, and a light emitting device by which degrading of a wavelength conversion efficiency of semiconductor ultra-fine particles is controlled. - 特許庁
荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法、データ変換方法、半導体装置の製造方法及びそれに用いるマスク例文帳に追加
METHOD AND SYSTEM OF CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE, DATA CONVERSION METHOD, MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND MASK - 特許庁
表面封止シリカ系粒子、その製造方法および該粒子を混合してなる半導体封止用樹脂組成物の提供。例文帳に追加
To provide a surface sealed silica particles, a method of producing thereof, and a resin composition for encapsulating a semiconductor constituted by mixing the particles. - 特許庁
また、単層固定された微粒子表面に遷移金属、金属または半導体を蒸着させて修飾微粒子を形成する。例文帳に追加
On the surface of the single layer of the fixed minute particle, transition metal, metal or semiconductor is vapor-deposited for forming the modified particles. - 特許庁
荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画装置のアパーチャマスク交換判定方法及び半導体装置の製造方法例文帳に追加
CHARGED PARTICLE BEAM LITHOGRAPHY, METHOD OF DETERMINING APERTURE MASK REPLACEMENT THEREOF, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
Ｓｅ原子を含む化合物粒子、及びＳｅ粒子を有機溶媒に分散させてなることを特徴とする化合物半導体薄膜形成用インク。例文帳に追加
In the ink for producing a compound semiconductor thin film, compound particles including Se atoms and Se particles are dispersed in an organic solvent. - 特許庁
あるいは、前記粒子を熱プラズマ中に供給し、前記粒子を熱プラズマとともに前記被処理半導体薄膜の表面に噴出する。例文帳に追加
Alternatively, the particles are supplied into the heat plasma so that the particles together with the plasma are jetted onto the surface of the semiconductor thin film to be treated. - 特許庁
荷電粒子写像投影光学系、該光学系を備える荷電粒子線欠陥検査装置及び該装置により製造された半導体デバイス例文帳に追加
CHARGED PARTICLE MAPPING/PROJECTING OPTICAL SYSTEM, CHARGED PARTICLE RAY DEFECT INSPECTING DEVICE COMPRISING IT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY THE SAME - 特許庁
荷電粒子ビーム露光装置、荷電粒子ビームのシャープネス測定方法、及び半導体素子製造方法例文帳に追加
ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE DEVICE, SHARPNESS MEASURING METHOD FOR ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLE BEAM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
割断により発生した破砕微粒子を除去して、破砕微粒子が半導体基板の上面に散らばることを防止する。例文帳に追加
To prevent scattering of crushed minute particles on the upper surface of a semiconductor substrate by removing the crushed minute particles which are generated by dividing. - 特許庁
化粧料に、少なくとも光半導体粒子と金属粒子とを構成要素とする光触媒機能体を含有する。例文帳に追加
This cosmetic contains a photocatalytic functional material which contains at least optical semiconductor particles and metallic particles as constituents. - 特許庁
パターン転写型荷電粒子線露光装置、パターン転写型荷電粒子線露光方法及び半導体素子の製造方法例文帳に追加
PATTERN TRANSFER TYPE CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE DEVICE, EXPOSING METHOD OF PATTERN TRANSFER TYPE CHARGED PARTICLAE BEAM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
導電性支持体上に、半導体層、電荷輸送層及び対向電極を有する光電変換素子において、前記半導体層は、色素を吸着した酸化物半導体粒子がｐ型半導体高分子化合物中に分散されており、かつ前記半導体層はｎ型半導体化合物を含有することを特徴とする光電変換素子。例文帳に追加
In the photoelectric conversion element provided with a semiconductor layer, a charge transport layer, and counter electrodes on a conductive support body, the semiconductor layer has oxide semiconductor particles having absorbed dyes dispersed in a p-type semiconductor polymer compound, and the semiconductor layer contains an n-type semiconductor compound. - 特許庁
下地基板１１の上に３−５族窒化物半導体結晶１４より結晶性の低い半導体層１２を形成し、半導体層１２上に無機粒子１３を形成してから選択成長によって３−５族窒化物半導体結晶１４を形成した後、半導体層１２において下地基板１１を分離することにより、３−５族窒化物半導体自立基板を製造することができる。例文帳に追加
The group III-V nitride semiconductor free-standing substrate can be manufactured by forming the semiconductor layer 12 having a crystallinity lower than the group III-V nitride semiconductor crystal 14 on the ground substrate 11, after forming the inorganic particles 13 on the semiconductor layer 12, forming the group III-V nitride semiconductor crystal 14 by selective growth, and separating the ground substrate 11 at the semiconductor layer 12. - 特許庁
半導体基板などの洗浄に用いられるドライアイス粒子を製造するに際し、所定の粒径を有する粒子の中に、半導体基板表面に損傷を与えるような巨大粒子の混入を防止する洗浄用粒子の製造装置を提供する。例文帳に追加
To provide a producing device of particles for washing capable of preventing the inclusion of large particles giving damage to the surface of a semiconductor substrate in the particles having a prescribed particle size at the time of producing dry ice particles used for washing a semiconductor substrate. - 特許庁
本発明の波長変換部材は、酸化亜鉛半導体粒子とＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯとが複合してなる第１粒子と、前記酸化亜鉛半導体粒子および前記Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯと組成の異なる無機化合物の第２粒子とを含むことを特徴とする。例文帳に追加
A wavelength conversion material according to the present invention includes first particles composed of zinc oxide semiconductor particles and Mg_xZn_1-xO, and second particles of an inorganic compound with a different composition from the above-mentioned zinc oxide semiconductor particles and above-mentioned Mg_xZn_1-xO. - 特許庁
光半導体粒子２ａを備えた光触媒粒子２を低温溶射法にて基材１表面に溶射して、前記光触媒粒子２の皮膜を形成した光触媒機能体であって、前記光半導体粒子２ａの粒径を２５〜５０μｍとする。例文帳に追加
In a photocatalytic function element wherein a film of photocatalyst particles 2 having photo-semiconductor particles 2a is formed to the surface of a base material 1 by a low temp. flame spraying method, the particle size of photo-semiconductor particles 2a is set to 25-50 μm. - 特許庁
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