「半導体粒子」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

導電性基板および色素増感された半導体微粒子層を含む光電極部材、電解液層、導電性基板を含む対向電極部材からなる色素増感型太陽電池作製キットにおいて、該電解液層の溶媒が、少なくともエタノールおよびポリエチレングリコールからなる溶媒であるなることを特徴とする色素増感型太陽電池作製キット。例文帳に追加

In the dye-sensitized solar cell fabrication kit consisting of an optical electrode member including a conductive board and a dye-sensitized semiconductor minute particle layer, an electrolyte layer, and an opposed electrode member including the conductive board, a solvent of the electrolyte layer is a solvent made of at least ethanol and polyethylene glycol. - 特許庁

波長変換部材１０Ａは、励起光１００が入射する入射面１１および波長変換光２００が出射する出射面１２を含む光透過性部材１３と、この光透過性部材１３の内部に分散配置され、励起光１００を吸収して波長変換して発光する半導体微粒子蛍光体１４とを備える。例文帳に追加

The wavelength converting member 10A includes an optically transparent material 13 comprising an incidence plane 11 which an excited light 100 enters in and an exit plane 12 which a wavelength converted light 200 outgoes from; and a semiconductor particulate phosphor 14, which is dispersed and located inside this optically transparent member 13 and absorbs and wavelength-converts the excited light 100 to emit light. - 特許庁

半導体ナノ粒子からなるコア部１２と該コア部１２の表面にポリマーが結合してなるシェル部１４とを備え、かつ表面に反応活性基を備える量子ドット１０と、該量子ドット１０の表面の反応活性基に結合された生体関連分子２０とを備える量子ドット複合体１よりなる。例文帳に追加

There is provided a quantum dot complex 1 which includes a quantum dot 10 having a core 12 composed of semiconductor nanoparticles and a shell 14 provided by bonding a polymer on the surface of the core 12 and having reactive groups on the surface, and an organism-relating molecules 20 bonded to the reactive groups of the surface of the quantum dot 10. - 特許庁

発電に寄与する成分量を減少させることなく、また接触抵抗が低く、酸化チタン等の金属酸化物微粒子同士のネッキング形成が阻害されない、光電変換率の高い新規な色素増感型太陽電池、及びその太陽電池における半導体層を形成するためのインキ、並びに色素増感型太陽電池モジュールを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a new kind of dye-sensitized solar cell of high photoelectric conversion rate, in which component amount that contributes to power generation is not decreased, contact resistance is low, necking formation between metal oxide particulates such as titanium oxide or the like is not hindered, and an ink in order to form a semiconductor layer in the solar cell, and the dye-sensitized solar cell module. - 特許庁

本発明の研磨方法は、研磨剤を研磨パッドに供給し、半導体集積回路装置の単結晶シリコンを含む被研磨面と研磨パッドとを接触させて相対運動により研磨する方法であって、酸化セリウム粒子と水溶性ポリアミンと水をそれぞれ含有しｐＨが８〜１３の範囲にある研磨剤を使用して研磨を行なう。例文帳に追加

In the polishing method, the abrasive is supplied to a polishing pad and the surface to be polished, containing the single-crystal silicon, of the semiconductor integrated circuit device is brought into contact with the polishing pad to perform polishing by relative movement, and the surface to be polished is polished using the abrasive which contains the cerium oxide particles and water-soluble polyamine and has the pH of 8 to 13. - 特許庁

この半導体ウエハ研磨用組成物のシリカ／尿素のモル比は４０〜３００であることが好ましく、また、尿素が固定化された非球状の異形シリカ粒子の透過型電子顕微鏡観察による平均短径が７〜３０ｎｍであり、長径／短径比が１．２〜１０であり、かつ長径／短径比の平均値が１．２〜５であることが好ましい。例文帳に追加

The composition for polishing the semiconductor wafer preferably has a 40 to 300 mol ratio of silica/urea, an average short diameter of the aspherical heteromorphic silica particles having urea fixed through a transmission electron microscope is 7 to 30 nm, and a long diameter/short diameter ratio is 1.2 to 10, an average value of the long diameter/short diameter ratio being preferably 1.2 to 5. - 特許庁

これにより、温度が約４６０Ｋ付近において非磁性半導体と常磁性金属とに相転移する従来におけるバルク体とは異なり、室温で相転移せずに、全ての温度領域において、Ｔｉ_３Ｏ_５粒子本体が常磁性金属の特性を常に維持することができるという従来にない新規な物性を発現し得る酸化チタン薄膜３を提供できる。例文帳に追加

In this manner, it becomes possible to provide the titanium oxide thin film 3 which does not undergo phase transition at room temperature unlike conventional bulk materials that undergo the phase transition between a non-magnetic semiconductor and a paramagnetic metal at about 460K, and therefore has such a new and non-conventional property that the Ti_3O_5 particles themselves can keep the properties of a paramagnetic metal at any time in any temperature range. - 特許庁

両面電極構造をもつ無線認識用半導体チップを用いて、その上下を異方導電性接着剤でアンテナ導体で接続する構造のトランスポンダでは、異方導電性接着剤の中にある導電性粒子によって、表面の電極とシリコン基板がショートして、トランスポンダが動作不能となってしまう。例文帳に追加

To solve the following problem that the operation of a transponder having a structure of an antenna conductor connecting the both sides of a radio recognizing semiconductor chip having a double-sided electrode structures by an anisotropic conductive adhesive agent fails by a short-circuit between the surface of the electrode and a silicon substrate caused by conductive particles in the anisotropic conductive adhesive agent. - 特許庁

静電吸着電極１０１においては、ウエハが載置される側の面に近づくにつれて段階的に粒径が小さくなる粒子からなるガス分散層１０２を用いることにより、電極１０５上に伝熱ガス分散用の凹凸部を設けることなく、ガス分散層１０２と半導体ウエハ１５０とが接する面のほぼ全面において伝熱媒体を均一な圧力で分散させることができる。例文帳に追加

Since a gas dispersion layer 102 composed of such particles as the particle size decreases stepwise toward the surface on the wafer mounting side is employed in an electrostatic chuck device 101, heat transfer medium can be distributed with uniform pressure over the substantially entire contact surface of the gas dispersion layer 102 and a semiconductor wafer 150 without providing irregularities for dispersing heat transfer gas on an electrode 105. - 特許庁

層間絶縁膜平坦化、シャロートレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属埋め込み膜等へ研磨傷を発生させずに短時間でＣＭＰが実施できる微粒子、研磨材、それを用いた基板の研磨方法、半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide microparticles capable of performing CMP in a short time without causing grinding defects on a silicon oxide membrane, a metal embedded membrane and the like in CMP technologies such as interlayer insulating film planarization, shallow trench separation forming and metal embedding wiring forming, to provide an abrasive, and to provide a method for grinding substrates and a method for producing the semiconductor devices by using the abrasive. - 特許庁

フッ酸と有機酸との混合液中のフッ酸濃度および有機酸濃度の双方をそれぞれ別々に測定する方法を提供し、フッ酸と有機酸との混合液を用いて複数枚の半導体ウェーハに対し洗浄処理を行った場合におけるウェーハ表面等への微粒子や金属不純物の残留を安定して抑制する。例文帳に追加

To provide a method for separately measuring a hydrofluoric acid concentration and an organic acid concentration in a mixed fluid of a hydrofluoric acid and an organic acid to prevent fine particles or metal impurity from remaining on a wafer surface or the like when cleaning a plurality of semiconductor wafers using the mixed fluid of the hydrofluoric acid and the organic acid. - 特許庁

研磨対象物をアルミニウムディスク、シリカを表面に有する基板のシリカ、並びに半導体多層配線基板のアルミニウム又は銅配線とする、水、砥粒、表面改質材、及び研磨促進剤を含む研磨用組成物において、表面改質材が、０．１〜５μｍの平均粒子径を有する、ノイブルグ珪土又はカオリン族粘土鉱物であることを特徴とする研磨用組成物を調製すること。例文帳に追加

A polishing composition containing water, abrasive grains, surface reforming material, and a polishing promoting agent is designed to polish an aluminum disc, a board having silica at the surface, and aluminum or copper wirings of a semiconductor multi-layer wiring board, wherein the surface reforming material consists of Neuburg silica or kaolin series clay mineral having a mean particle size of 0.1-5 μm. - 特許庁

耐熱基材(1)の一方の面に、第一金属酸化物層(2)と第二金属酸化物層(3)と、透明電極層(4)とを順次積層してなる半導体電極製造用転写体であって、前記第一金属酸化物層が絶縁体の金属酸化物微粒子からなることを特徴とする金属酸化物電極製造用転写体。例文帳に追加

This transfer body for manufacturing a metal oxide electrode is a transfer body for manufacturing a semiconductor electrode layered sequentially with the first metal oxide layer 2, the second metal oxide layer 3 and a transparent electrode layer 4, on one face of a heat-resistant base material 1, and the first metal oxide layer comprises a metal oxide fine particle of an insulator. - 特許庁

熱処理の後に半導体基板上に設けられた層間絶縁膜および反射防止膜を有する構造を形成し、その構造を研磨した後に行う洗浄方法において、パーティクル粒子および金属汚染物質のような異物が洗浄面に付着することを抑制することが可能な洗浄方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a cleaning method which forms a structure having an interlayer insulating film and a reflection preventing film provided on a semiconductor substrate after a heat treatment, and polishes the structure then to clean, wherein foreign matters such as particle grains and metal contaminants can be suppressed from adhering to a cleaning surface. - 特許庁

化合物半導体結晶層２の一方の主表面に形成された第１金属層５１と、導電性基板６の一方の主表面に形成された第２金属層５３とを、液状またはペースト状の物質中に分散された酸化銀粒子を還元処理することにより得られる銀系接合層５２を介して接合する。例文帳に追加

A first metal layer 51 formed on one main surface of a compound semiconductor crystal layer 2 and a second metal layer 53 formed on one main surface of a conductive substrate 6 are junctioned through a silver-based junction layer 52 obtained by reduction processing of silver oxide particle dispersed in a liquid-like or paste-like substance. - 特許庁

有機感光体上に発振波長が３５０〜５００ｎｍの半導体レーザ又は発光ダイオードを像露光光源として照射する画像形成装置に用いられる有機感光体において、平均一次粒径が０．０２μｍ以上、０．２０μｍ未満の含フッ素樹脂微粒子を含有する表面層を有することを特徴とする有機感光体。例文帳に追加

The organophotoreceptor used in the image forming apparatus in which an organophotoreceptor is irradiated using a semiconductor laser or a light-emitting diode having an oscillation wavelength of 350-500 nm as an image exposure light source has a surface layer containing fluorine-containing resin fine particles having an average primary particle diameter of 0.02 to <0.20 μm. - 特許庁

貫通孔が形成された金属基板と、上記金属基板上に、上記貫通孔を覆うように形成され、金属酸化物半導体微粒子を含む多孔質層と、上記多孔質層上に透明樹脂からなる封止層と、を有することを特徴とする色素増感型太陽電池用積層体を提供することにより上記課題を解決する。例文帳に追加

The laminate for a dye-sensitized solar cell has a metal base plate with through-holes formed, a porous layer formed on the metal base plate SO AS to cover the through-holes and containing metal oxide semiconductor particulates, and a sealing layer composed of a transparent resin AND arranged on the porous layer. - 特許庁

光半導体装置用ダイボンド材は、下記式（１）で表され、かつアリール基と珪素原子に結合した水素原子とを有する第１のシリコーン樹脂と、下記式（５１）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基及びアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子とを含む。例文帳に追加

The die-bonding material for optical semiconductor devices includes: a first silicone resin represented by formula (1) and having an aryl group and a hydrogen atom bonded to silicon atom; a second silicone resin represented by formula (51), having no hydrogen atom bonded to silicon atom and having an aryl group and alkenyl group; a catalyst for hydrosilylation reaction; and silicon oxide particles. - 特許庁

硬化性樹脂に添加して半導体用封止材とした際に、耐久性の高い硬化物を形成することができ、しかも硬化性樹脂に対して優れた分散性を有し良好な流動性を確保して高密度実装などのアンダーフィル実装にも好適に使用することができる非晶質シリカ粒子を提供する。例文帳に追加

To provide amorphous silica particle capable of forming highly durable solidified articles when making a sealing material for a semiconductor by adding the same into curable resin, having excellent dispersibility to the curable resin, and capable of being properly used for in under filling mounting such as high density mounting while securing good flowability. - 特許庁

耐熱基板１上に、金属からなる触媒層２と、絶縁物質からなる多孔質絶縁層３と、酸化粒半導体微粒子を含む多孔質層４とがこの順で積層された多孔質積層体を形成する多孔質積層体形成工程と、上記多孔質積層体の上記多孔質層上に、金属酸化物からなる透明電極層５を形成する透明電極層形成工程と、を有する。例文帳に追加

The method of manufacturing the substrate includes a porous layer laminate forming process forming a porous laminate by laminating a catalyst layer 2 made of metal, a porous insulating layer 3 made of an insulating substance, a porous layer 4 containing oxide semiconductor fine particles in this order on a heat resistant substrate 1; and a transparent electrode layer forming process forming a transparent electrode layer 5 made of metal oxides on the porous layer of the porous laminate. - 特許庁

導電性高分子の有する導電性や吸発光能といった特性と、超微粒子の有する電気特性（金属性、半導体性、あるいは電気絶縁性）や吸発光能といった特性との複合効果により、バルク状態での導電性や吸発光能といった多様な電磁気学的特性を発揮する新規組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a novel composition exhibiting various electromagnetic characteristics, such as conductivity in the bulk state and absorption/emission capability, by complex effects between characteristics such as conductivity and light absorption/emission capability both of which conductive polymers possess and characteristics such as electrical properties (metallic quality, semiconductivity, or insulating property) and light absorption/emission capability all of which an ultrafine particulate possesses. - 特許庁

半導体の検査および計測に使用される電子顕微鏡等の荷電粒子ビーム装置用の「撮像装置」（収差補正装置に準ずる装置）であって、ＥＤＸ分析、ＷＤＸ分析、欠陥検査等の分解能およびスループットを向上させるために高プローブ電流で分散の小さいビームを形成できるようにする。例文帳に追加

To provide an imaging device (a device according to an aberration correction device) for a charge particle beam device as an electron microscope or the like used for the inspection and measurement of a semiconductor, in which a small deviation beam with a high probe current is formed to improve the resolution and throughput in EDX analysis, WDX analysis, or defect inspection. - 特許庁

本発明の熱伝導材は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる基材１１Ｓと、該基材１１Ｓの表面に形成された、微細孔１１ｈを備えた多孔質の陽極酸化被膜１１Ｐと、該陽極酸化被膜１１Ｐの前記微細孔１１ｈの内部に配置されたｎ型半導体の微粒子１１ｓｅと、を具備することを特徴とする。例文帳に追加

The heat conductive material includes: the base material 11S composed of aluminum or the aluminum alloy; a porous anodic oxide film 11P formed on the surface of the base material 11S and provided with fine pores 11h; and n-type semiconductor fine particles 11se arranged inside the fine pores of the anodic oxide film. - 特許庁

炭化ケイ素物品を、ウェハ処理中に半導体ウェハ上に１ｄｍ２あたり１６０個以下の粒子を生じさせるように、該炭化ケイ素物品の１以上の表面を融解塩基によりエッチング、レーザアブレーション、表面ブラスト、コーティング、酸化、研磨、機械加工、超臨界二酸化炭素で処理またはそれらの組み合わせによって改変する。例文帳に追加

One or more surfaces of a silicon carbide article are altered so that at most 160 pieces of particles per 1 dm^2 can be generated on a semiconductor wafer during wafer processing by carrying out etching based on a fused salt group, laser abrasion, surface blast, coating, oxidization, polishing, machining, and processing based on super-critical carbon dioxide or their combination. - 特許庁

パッケージ内に備えた半導体レーザや外部変調器チップ等の光素子と、該光素子に電気信号を入出力するための外部配線用リードとを備えた光素子モジュールであって、該光素子モジュールの内部にＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の化合物を実質的に含まない熱硬化性樹脂と磁性体粒子からなる電磁波吸収体を備える。例文帳に追加

An optical element module comprises an optical element such as a semiconductor laser, an external modulator chip or the like provided in a package, external wiring leads for inputting/outputting an electric signal to/from the element, and an electromagnetic wave absorber made of a compound selected from the group consisting of Br, Cl and S and magnetic particles. - 特許庁

半導体チップ２として、端子４の最上層４ｃが金、銀、銅、スズ、インジウムのうちのいずれか一種からなり、配線６が、金、銀、銅のうちのいずれか一種からなる金属微粒子の焼結体によって形成され、配線６と端子４との間の接続部の少なくとも一部が、エピタキシャル成長している。例文帳に追加

In the semiconductor chip 2, uppermost layer 4c of the terminal 4 is composed of any one kind of gold, silver, copper, tin or indium, the wiring 6 is formed of sintered body of fine metal particles composed of any one kind of gold, silver or copper, and at least a part of joint between the wiring 6 and the terminal 4 is grown epitaxially. - 特許庁

浮遊体リングを浮かべたり断熱性粒子で覆う必要なしに、つまりルツボそれ自体の構造を改善することにより、結晶成長方向の温度勾配を大きくして固液界面を凸化させることを可能とした化合物半導体単結晶の製造装置及び製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, whereby a temperature gradient in the direction of crystal growth is increased to enable shaping of a solid-liquid interface into a convex form, by improving the structure of a crucible itself to eliminate need for floating a floating ring or covering with a heat-insulating particle. - 特許庁

波長変換部材１０Ａは、励起光１００が入射する入射面１１および波長変換光２００が出射する出射面１２を含む光透過性部材１３と、この光透過性部材１３の内部に分散配置され、励起光１００を吸収して波長変換して発光する複数の半導体微粒子蛍光体１４とを備える。例文帳に追加

A wavelength conversion member 10A has a light transmissible member 13 having an incident face 11 to which excitation light 100 is incident and an emission face 12 from which wavelength-converted light 200 is emitted, and plural semiconductor phosphor particulates 14 which are dispersively arranged in the light transmissible member 13, absorb and wavelength-convert the excitation light 100 and emit wavelength-converted light. - 特許庁

エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填剤、並びに着色剤を必須成分として含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、着色剤として、平均粒子径５０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲のカーボンブラックと、ホワイトカーボンを含む明色系顔料が含有されていることとする。例文帳に追加

The epoxy resin composition for sealing a semiconductor comprises an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, an inorganic filler, and a coloring agent as an essential ingredient, wherein carbon black having an average particle diameter in a 50-100 nm range and a bright-colored pigment including white carbon are contained as the coloring agent. - 特許庁

ケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）によりシリコンウエハを研磨する工程において、水を主成分とし酸化セリウム粒子を０．５重量％以上、有機化合物を０．５重量％以上含有する研磨材を用い、少なくとも２つの研磨工程からなる研磨を行うことを特徴とする半導体用基板の研磨方法。例文帳に追加

In a process for polishing silicon wafer using chemical mechanical polishing(CMP), an abrasive containing water as a main component, 0.5 wt.% or more of cerium oxide, and 0.5 wt.% or more of organic compounds is used, and the process for polishing comprises at least two polishing processes. - 特許庁

貫通孔が形成された金属基板と、上記金属基板上に、上記貫通孔を覆うように形成され、金属酸化物半導体微粒子を含む多孔質層と、を有する色素増感型太陽電池用積層体であって、上記金属基板の貫通孔内には、上記多孔質層が形成されていないことを特徴とする色素増感型太陽電池用積層体を提供する。例文帳に追加

The laminate for a dye-sensitized solar cell is provided with a metal base plate with through-holes formed and a porous layer formed on the metal base plate so as to cover the through-holes and containing metal oxide semiconductor particulates, and the porous layer is not formed inside the through-holes of the metal base plate. - 特許庁

少なくとも透明導電膜付き基板からなる表示電極と導電膜付き基板からなる対向電極、導電性または半導体性微粒子に有機エレクトロクロミック化合物を担持したエレクトロクロミック組成物を有するエレクトロクロミック表示素子において、有機エレクトロクロミック化合物とともにステロイド類を共吸着させてなることを特徴とするエレクトロクロミック表示素子。例文帳に追加

Disclosed is the electrochromic display element which has at least a display electrode made of a substrate with a transparent conductive film, a counter electrode made of a substrate with a conductive film, and an electrochromic composition carrying an organic electrochromic compound in conductive or semiconductor particulates, wherein the electrochromic display element is formed by adsorbing steroids etc., together with the organic electrochromic compound. - 特許庁

導電性基板、光増感色素を吸着させた半導体微粒子、電荷移動層及び対極を含む積層体を、封止剤で封止してなる光電気化学電池において、光電気化学電池に設けられた穴に管が装着されており、管の先端及び/又は内部がガラスフリットを用いて封止されていることを特徴とする光電気化学電池。例文帳に追加

A conductive substrate, semiconductor particulates in which a photosensitized colorant is occluded, a lamination body including a charge transfer layer and a counter electrode are sealed with a sealing agent to compose the photo-electrochemical battery, and a tube is mounted in a hole provided in the photo-electrochemical battery and a top end and/or an inner portion of the tube is sealed by using glass frit. - 特許庁

金属ナノ薄膜周期構造表面に発生する表面プラズモン共鳴と、ナノメートルレベルで厚み制御された高分子超薄膜中に半導体ナノ粒子を閉じ込めた集積構造とを利用することで、半値幅６ｎｍ以下の発光スペクトル挟帯化、および入力光に対ししきい値のない発光挙動を得ることができる。例文帳に追加

By utilizing surface Plasmon resonance generated on a metal nano thin film periodic structure surface and an integrated structure for which the semiconductor nanoparticles are confined in a polymer ultrathin film whose thickness is controlled at a nanometer level, the emission spectrum is narrowed to be equal to or less than a half-value width 6 nm, and an emission behavior without a threshold to input light is obtained. - 特許庁

光電変換モジュールは、車両の曲面状の外板の外面に形成された凹部にその凹部の曲面に沿って設置された、光電変換作用を有する多数の球状の結晶半導体粒子を用いた光電変換装置１と、その光電変換装置１上にその曲面に沿って設けられた透光板３とを具備している。例文帳に追加

A photoelectric conversion module includes: the photoelectric conversion device 1 which is arranged along the curved surface of a concave formed on the outer surface of the curved outer board in the vehicle, and where multiple spherical crystal semiconductor grains are used with a photoelectric conversion action; and a translucent plate 3 which is arranged on the photoelectric conversion device 1 along the curved surface. - 特許庁

その内部に導体２，３，５が形成されたセラミック基板１であって、導体およびその近傍を含むセラミック層、および、導体より下のセラミック層は、破壊時に粒界破壊の性状を呈し、その他のセラミック層は、破壊時に粒子内破壊の性状を呈することを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。例文帳に追加

The ceramic substrate for the semiconductor fabrication/ inspection equipment comprises a ceramic substrate 1 having conductors 2, 3 and 5 formed therein, and a ceramic layer including the conductors and neighbors thereof, and a ceramic layer lower than the conductor that shows the property of an intragrain fracture when they are fractured, and other ceramic layers those show property of inter grain fracture when they are fractured. - 特許庁

（ａ）数平均分子量が８００以上の非環式炭化水素基を含有する、多官能（メタ）アクリル酸エステル：１５〜８０質量％、及び、（ｂ）波長３５０ｎｍでの紫外線透過率が５０％以上の材質からなる中空粒子：２０〜６０質量％を含む、熱又は光重合性組成物を重合して得られる光半導体用反射材。例文帳に追加

The reflector for an optical semiconductor is obtained by polymerizing thermal or optical polymerizing composition, containing (a) multi organic function (meta) acrylic ester 15-80 mass%, containing non-cyclic hydrocarbon radical of numerical average molecular weight 800 or more, and (b) hollow particles 20-60 mass%, comprising such material as ultraviolet ray transmission rate at wavelength 350 nm being 50% or more. - 特許庁

量子井戸などの半導体微細構造内に閉じ込められた電子及び正孔からなる励起子の量子準位の演算において、荷電粒子間の多体相互作用効果が考慮された電子及び正孔のそれぞれの波動関数ψ_ｅ、ψ_ｈ、及びそのエネルギーＥ_ｅ、Ｅ_ｈを演算する（ステップＳ１０１）。例文帳に追加

In computing a quantum level of an exciton made up of an electron and a hole confined within a semiconductor microstructure such as a quantum well, respective wave functions ψ_e and ψ_h for an electron and hole about which a many-body mutual effect among charged-particles is taken into consideration, and their energy E_e and E_h are computed (Step S101). - 特許庁

８０℃で測定される粘度が１００００Ｐａ・ｓ以下であり、（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、ならびに（Ｃ）平均粒径ｄｍａｘが３〜５０ｎｍでかつ半値幅が平均粒径ｄｍａｘの１．５倍以下であるシリカ粒子を含有してなるシート状半導体封止用樹脂組成物。例文帳に追加

This sheet semiconductor sealing resin composition has a viscosity measured at 80°C of ≤10,000 Pa s and comprises (A) an epoxy resin having at least two epoxy groups in the molecule, (B) a curing agent, and (C) silica particles having an average particle diameter dmax of 3-50 nm and a half width of ≤1.5 times the average particle diameter dmax. - 特許庁

金属酸化物透明導電層と半導体粒子層の間に、モノカルボン酸と周期律表のＩＩ〜Ｖ族に属する金属との塩であるモノカルボン酸金属塩溶液を塗布し、溶媒を除去した後に焼成し、金属酸化物膜の下引き層を形成することを特徴とする色素増感型太陽電池用電極の製造方法を提供すること。例文帳に追加

Monocarboxylic acid metal salt solution as salt of monocarboxylic acid and metal belonging to a II to V group in the periodic table is coated between a metal oxide transparent conductive layer and a semiconductor particle layer, is baked after a solvent is removed, and an under-coat layer of a metal oxide film is formed, in the manufacturing method of the electrode for a dye-sensitized solar cell. - 特許庁

被処理基板１２に対して対向して配置された、開口部を有するステンシルマスク１１を介して、前記被処理基板１２に荷電粒子１３を照射する工程において、前記被処理基板１２とグランドの間を流れる電流値に応じて、前記ステンシルマスク１１と前記被処理基板１２との電位差を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法である。例文帳に追加

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for irradiating a substrate 12 being processed with charged particles 13 through a stencil mask 11 having an opening disposed oppositely to the substrate 12 being processed, wherein the potential difference between the stencil mask 11 and the substrate 12 being processed is regulated depending on the level of a current flowing between the substrate 12 being processed and the ground. - 特許庁

酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む半導体用CMP研磨剤並びに研磨する膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押し当て、前記CMP研磨剤を研磨膜と研磨布との間に供給しながら基板と研磨定盤を相対的に移動させて研磨する膜を研磨する基板の研磨方法。例文帳に追加

In this polishing method of the substrate, a CMP abrasive for semiconductors comprising cerium oxide particles, a dispersant and water and the substrate on which a film to be polished is formed are pressed onto a polishing cloth of a polishing platen, and feeding the CMP abrasive to the clearance between the polished film and the polishing cloth, the film to be polished is polished by moving the substrate and the polishing platen relatively. - 特許庁

ＣＯＧ蛍光表示管は、気密外囲器１１の一部をなす透光性を有する基板１上に気密外囲器１１内から外部に延出して配線された配線導体４と、底面部に金属バンプ１２ａを有する半導体素子１２との間が、接着材中に導電粒子が均一に分散された異方性導電材１３により気密外囲器１１外で導通接続される。例文帳に追加

The COG fluorescent display tube is subjected to conductive connection in exterior of an airtight envelope 11 on a translucent substrate 1, forming a part of the airtight envelope 11 by means of anisotropic conductive materials 13, dispersed uniformly with electroconductive particles in an adhesive between wiring conductors 4 wired, by extending outward from the airtight envelope 11 and a semiconductor element 12 having a metal vamp 12a at the bottom face. - 特許庁

接着シートと基材層を備える接着部材であって、前記接着シートが、（Ａ）架橋性官能基を有する高分子量成分、（Ｂ）多官能エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール樹脂、（Ｄ）無機微粒子を含有し、且つ１２０℃２時間でフルキュアする接着剤組成物からなる半導体用接着部材。例文帳に追加

This adhesion member for semiconductors is provided with an adhesion sheet and a substrate layer, where the adhesion sheet comprises the adhesive composition comprising (A) a high molecular weight component having a curable functional group; (B) a multi-functional epoxy resin; (C) a phenol resin; and (D) inorganic fine particles, and the composition reaches a fully cured state at 120°C for 2 hours. - 特許庁

開示されている薄膜トランジスタは、レーザ結晶化により形成された多結晶シリコン薄膜から成る半導体薄膜３（３Ａ、３Ｂ）を構成している結晶粒子サイズの長さ方向は、インバータを構成しているＣＭＯＳトランジスタ２５のＰ型ＭＯＳトランジスタ２３及びＮ型ＭＯＳトランジスタ２４のチャネル領域４を走行するキャリアの走行方向に沿って揃えられている。例文帳に追加

In the thin-film transistor, the length direction of a crystal particle size that composes semiconductor thin films 3 (3A and 3B) comprising a polycrystalline silicon thin film formed by laser crystallization is aligned along the running direction of a carrier that runs in a channel region 4 of a P- and N-type MOS transistors 23 and 24 of a CMOS transistor 25 composing an inverter. - 特許庁