「半導体粒子」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目)

スパッタ法により形成された半導体ナノ粒子含有膜であって、膜厚が０．５〜１０μｍであり、当該膜内に、結晶化した半導体ナノ粒子が、５．０×１０^６〜１．０×１０^８個／μｍ^３含有されていることを特徴とする半導体ナノ粒子含有膜及びそれから分取り出された半導体ナノ粒子。例文帳に追加

The semiconductor nanoparticles are taken out from the film. - 特許庁

例文

球状半導体粒子を、簡単な操作で、大量生産すること。例文帳に追加

To provide a device for mass production of globular semiconductor which enables mass production of globular semiconductor particles with a simple operation. - 特許庁

半導体装置等に付着したプラチナ粒子を除去する。例文帳に追加

To remove platinum particle adhered to a semiconductor device or the like. - 特許庁

金属超微粒子使用接合材及びそれを用いた半導体装置例文帳に追加

METALLIC ULTRA-FINE PARTICLE USING BONDING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME - 特許庁

荷電粒子線露光装置、露光方法及び半導体デバイス製造方法例文帳に追加

CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE SYSTEM, EXPOSING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

第１および第２導電型部を有する複数の半導体粒子２と、該半導体粒子２間に配置された絶縁体４と、前記半導体粒子２と絶縁体４との間に、半導体粒子２および絶縁体４と接した第１の反射防止膜３と、を備えた。例文帳に追加

The photoelectric conversion device includes: a plurality of semiconductor particles 2 each of which has first and second conductivity type portions; an insulator 4 arranged among the semiconductor particles 2; and a first antireflection film 3 formed between the semiconductor particles 2 and the insulator 4 and contacting with the semiconductor particles 2 and the insulator 4. - 特許庁

半導体発光層２３は微粒子焼結体により構成されている。例文帳に追加

The semiconductor light emitting layer 23 is constituted of a fine grain sintered body. - 特許庁

半導体超微粒子及びそれを含有してなる薄膜状成形体例文帳に追加

SEMICONDUCTOR ULTRAFINE PARTICLE AND FILMY MOLDED PRODUCT CONTAINING THE SAME - 特許庁

半導体層２３は、半導体微粒子２３Ａと、この半導体微粒子２３Ａより粒子径の大きな散乱粒子２３Ｂとからなり、散乱粒子２３Ｂの配合割合が、その前後における散乱粒子２３Ｂの配合割合より小さい部分を有する。例文帳に追加

The semiconductor layer 23 is comprised of semiconductor fine particles 23A and scattered particles 23B having larger particle size than the semiconductor fine particles 23A, and has a part where the blending ratio of the scattered particles 23B is smaller than that in the front and the rear of the part. - 特許庁

高い空隙率及び膜強度を有する半導体微粒子層を作製する方法、この方法で作製された半導体微粒子層、並びに該半導体微粒子層を用いた光電変換素子及び光電池を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor fine particle layer having high porosity and film intensity, a semiconductor fine particle layer manufactured by the method, a photoelectric converter using the semiconductor fine particle layer and a photocell. - 特許庁

半導体ナノ粒子の核形成反応を行う連続式反応装置４０と、半導体ナノ粒子の成長反応を行う回分式反応装置７０、を備えた半導体ナノ粒子製造装置１。例文帳に追加

The apparatus 1 for producing semiconductor nanoparticles comprises a continuous reactor 40 for carrying out a nucleus-forming reaction of semiconductor nanoparticles and a batchwise reactor 70 for carrying out a growth reaction of semiconductor nanoparticles. - 特許庁

化合物半導体微粒子の粒径分布が広がることがなく、所望の粒径の化合物半導体微粒子を製造することが可能な化合物半導体微粒子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a compound semiconductor fine particle whose particle diameter distribution does not spread and capable of producing a compound semiconductor fine particle having a desired particle diameter. - 特許庁

フラーレンの他に、更に金属微粒子や金属酸化物半導体微粒子を含有させても良い。例文帳に追加

The above complex may contain besides fullerenes furthermore a metal particulate or a metal oxide semiconductor particulate. - 特許庁

この場合において、無機物半導体微粒子は、酸化チタンナノ粒子であることが好ましい。例文帳に追加

In such a case, the inorganic substance semiconductor fine particle is preferably titanium oxide nano-particle. - 特許庁

荷電粒子線露光方法、荷電粒子線露光装置、レチクル及び半導体デバイスの製造方法例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE, RETICLE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

荷電粒子線装置のビーム調整装置、荷電粒子線装置及び半導体デバイスの製造方法例文帳に追加

BEAM ADJUSTMENT DEVICE FOR CHARGED PARTICLE BEAM APPARATUS, CHARGED PARTICLE BEAM APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

微粒子含有体及び微粒子含有体の製造方法並びに記憶素子、半導体装置及び電子機器例文帳に追加

MATERIAL INCLUDING FINE PARTICLES, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND STORAGE ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

荷電粒子線露光方法、荷電粒子線露光装置及び半導体デバイスの製造方法例文帳に追加

METHOD AND EQUIPMENT FOR CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD - 特許庁

荷電粒子線露光装置用ステージ、荷電粒子線露光装置、及び半導体デバイスの製造方法例文帳に追加

CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE SYSTEM AND STAGE THEREFOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

荷電粒子ビーム露光方法、荷電粒子ビーム露光装置及び半導体デバイス製造方法例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR CHARGED PARTICLE BEAM ALIGNMENT AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

荷電粒子線照射系、荷電粒子線露光装置及び半導体デバイス製造方法例文帳に追加

CHARGED PARTICLE BEAM IRRADIATING SYSTEM, CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE DEVICE AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置の調整方法及び半導体デバイスの製造方法例文帳に追加

CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE, ADJUSTMENT METHOD OF CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

荷電粒子線投影露光方法、荷電粒子線投影露光装置及び半導体デバイス製造方法例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR PROJECTING CHARGED-PARTICLE BEAM FOR EXPOSURE, AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

分散安定化機能性金族微粒子及び半導体微粒子およびその製造方法例文帳に追加

FUNCTIONAL METALLIC FINE PARTICLE WITH STABILIZED DISPERSION AND SEMICONDUCTOR FINE PARTICLE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び半導体デバイスの製造方法例文帳に追加

CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSING SYSTEM, METHOD THEREFOR AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

荷電粒子線光学系及び荷電粒子線転写装置及び半導体デバイスの製造方法例文帳に追加

CHARGED PARTICLE BEAM OPTICAL SYSTEM, CHARGED PARTICLE BEAM TRANSFER DEVICE, AND MANUFACTURE OF SEMI- CONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体上の微粒子の分散状態を良好に制御する微粒子形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a fine particle which controls fine particles on a semiconductor in a good dispersion state. - 特許庁

荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光装置の調整方法及び半導体デバイスの製造方法例文帳に追加

CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE SYSTEM, ITS ADJUSTING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

結晶性が良好で粒子サイズバラツキの少ない半導体微粒子集合体を製造する。例文帳に追加

To manufacture a semiconductor fine grain aggregate, which is satisfactory in crystallinity and has little variations in the size of semiconductor fine grains. - 特許庁

酸化チタン微粒子などの半導体微粒子と高分子化合物からなるバインダーとを混合したペーストを透明導電性基板１上に塗布し、焼成を行うことにより半導体微粒子からなる半導体層２を形成した後、半導体層２に紫外光を照射し、半導体微粒子の光触媒作用を利用することによって半導体層２中に残存する有機物を除去する。例文帳に追加

The semiconductor layer 2 composed of semiconductor fine particles is formed by applying and baking a paste of a mixture of semiconductor fine particles of titanium oxide fine particles or the like and a binder composed of polymeric compound on a transparent conductive substrate 1, and then, residual organic substance remaining in the semiconductor layer 2 is removed by irradiating ultraviolet rays on the semiconductor layer 2 and utilizing the photocatalytic activity of the semiconductor fine particles. - 特許庁

微粒子３は金属単体微粒子，合金微粒子および酸化物半導体微粒子から選択される少なくとも一種である。例文帳に追加

The fine particles 3 are at least one kind selected from single metal fine particles, alloy fine particles and oxide semiconductor fine particles. - 特許庁

樹脂中に２種以上のナノ粒子が分散した透明な樹脂組成物で、好ましくは、ナノ粒子の平均１次粒子径が１〜６０ｎｍであり、ナノ粒子が、半導体微粒子、希土類イオンをドープした酸化物微粒子、及びシリカ微粒子から選ばれた少なくとも２種以上の微粒子であり、半導体微粒子が酸化亜鉛半導体微粒子である樹脂組成物。例文帳に追加

In this transparent resin composition with two or more kinds of nanoparticles dispersed in a resin, the average diameter of primary particles of the nanoparticles is preferably 1-60 nm; the nanoparticles are two or more kinds of particulates selected from semiconductor particulates, oxide particulates with rare-earth ions doped therein and silica particulates; and each semiconductor particulate is a zinc oxide semiconductor particulate. - 特許庁

半導体基板１上に半導体層２を介して、磁性混晶半導体３をエピタキシャル成長させ、前記エピタキシャル成長中または成長後に熱処理することにより、半導体中に強磁性微粒子が埋め込まれた磁性体微粒子／半導体複合材料４を形成する。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 1, a magnetic mixed crystal semiconductor 3 is formed through epitaxial growth across a semiconductor layer 2, and a heat treatment is carried out in or after the epitaxial growth to form a magnetic body particulate/semiconductor compound material 4, having ferromagnetic particulates embedded in the semiconductor. - 特許庁

上面に多数個の半導体粒子101を載置した台板102を加熱炉内に導入し、半導体粒子101を加熱して溶融させる工程と、この溶融した半導体粒子101を台板102側から上方に向けて固化させる工程とを、２回以上繰り返すことによって結晶半導体粒子101とする結晶半導体粒子の製造方法である。例文帳に追加

A crystal semiconductor particle 101 can be produced by repeating a step for introducing a base plate 102 mounting a large number of semiconductor particles 101 on the upper surface into a heating furnace and thermally fusing the semiconductor particles 101, and a step for solidifying the fused semiconductor particles 101 while directing upward from the base plate 102 side two times or more. - 特許庁

半導体基板上に成膜された半導体ナノ粒子含有膜において、成膜された膜の化学的処理の前後におけるｎｄ値（半導体ナノ粒子含有膜の膜厚をｄ、屈折率をｎ）の変化率が０．３〜２０．０％であることを特徴とする半導体ナノ粒子含有膜。例文帳に追加

A semiconductor nanoparticle-containing film deposited on a semiconductor substrate has a changing ratio of 0.3 to 20.0% of nd values (d represents the film thickness of the semiconductor nanoparticle-containing film; and n represents the refractive index thereof) before and after a chemical treatment of a deposited film. - 特許庁

半導体粒子を電気的に絶縁体である担持体に担持さたときに生じる荷電粒子の効率を向上し、半導体粒子の配合量を減らしながら励起時に赤外線、磁力線及び荷電粒子の相乗効果を発揮する。例文帳に追加

To exert synergistic effect of infrared ray, magnetic filed line and charged particles while reducing the combined amount of semiconductor particles by improving efficiency of charged particle generation when the semiconductor particles are carried by an electrically insulating carrier. - 特許庁

本願発明においては、活性層がｐ型有機半導体により構成される薄膜トランジスタにあって、その有機半導体の溶液中に、該半導体よりも仕事関数が小さい微粒子を分散させることで、活性層用の半導体材料とした。例文帳に追加

In the solution of the organic semiconductor, fine particles having a work function smaller than that of the semiconductor are dispersed. - 特許庁

半導体電極２は増感色素と酸化物半導体粒子とを含む複数の層から構成されており、その中で透明電極に対して最も近い位置に配置される最内部の層２１の層厚が１〜５μｍであり、この層の酸化物半導体粒子の平均粒子径が７０ｎｍ以下であり、該酸化物半導体粒子中、粒子径が１００ｎｍ以上である粒子の割合が５質量％以下である。例文帳に追加

The semiconductor electrode 2 consists of a plurality of layers containing the sensitized dye and oxide semiconductor particles, wherein the innermost one 21 of these layers located nearest the transparent electrode has a thickness of 1-5 μm, and the mean particle size of the oxide semiconductor particles of this layer is below 70 nm, and the share of those particles among them which have particle size over 100 nm is below 5 wt.%. - 特許庁