「半導体粒子」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

続いて、エッチング後の微粒子１８’を覆う保護膜１７と有機半導体分子２０とを置換して有機半導体分子２０を微粒子１８’と結合させることで、微粒子１８’が有機半導体分子２０によって連結されたチャネル層２１を形成する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法である。例文帳に追加

Then, the protection film 17 covering the etched particulate 18' is displaced with an organic semiconductor molecule 20 so as to couple the organic semiconductor molecule 20 with the particulate 18', and a channel layer 21 combined with the particulate 18' through the organic semiconductor molecule 20 is formed as a result. - 特許庁

半導体母材中にドープ剤を含有する半導体ナノ粒子であって、粒子の平均粒径が０．１〜２０．０ｎｍであり、波長２８５ｎｍの励起光により該ドープ剤が発光し、かつ波長３６５ｎｍの励起光により該半導体母材が量子サイズ効果により発光することを特徴とする半導体ナノ粒子。例文帳に追加

In the semiconductor nanoparticles including a doping agent in a semiconductor base material, the mean particle size of the particles is 0.1-20.0 nm, and the doping agent emits light by excitation light having the wavelength of 285 nm, and the semiconductor base material emits light by excitation light having the wavelength of 365 nm by a quantum size effect. - 特許庁

ゲルマニウムなどの半導体微粒子を好適に生成することが可能な製造方法、製造装置、及び半導体微粒子を用いた装身具、繊維、布地、衣類を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for manufacturing semiconductor particulates that can suitably form the semiconductor particulates such as germanium, and accessories, fiber, cloth, clothing using the semiconductor particulates. - 特許庁

ナノ構造ネットワーク３には、金属微粒子、半導体微粒子、フラーレン、金属ナノワイヤ、半導体ナノワイヤ、及び／又はカーボンナノチューブ等の複数の微細なナノ構造体が含まれている。例文帳に追加

The nanostructure network 3 includes metal fine particles, semiconductor fine particles, fullerenes, metal nanowires, semiconductor nanowires, and/or a plurality of fine nanostructures such as carbon nanotubes etc. - 特許庁

少なくとも一種の色素を吸着させた半導体微粒子層を有する光電変換素子において、前記半導体微粒子に少なくとも一種のカチオンポリマーを含有せしめる。例文帳に追加

The photoelectric conversion element having a semiconductor particulate layer to which at least one type of the coloring matter is adsorbed has semiconductor particulates containing at least one type of cationic polymer. - 特許庁

本発明にかかる窒素固定材料は、光触媒機能を有する無機物半導体微粒子と、前記無機物半導体微粒子を覆う導電性ポリマーと、を有する。例文帳に追加

The nitrogen fixation material has an inorganic substance semiconductor fine particle having a photocatalytic function and a conductive polymer covering the inorganic substance semiconductor fine particle. - 特許庁

処理金属酸化物半導体粒子の製造方法、該方法で製造される処理金属酸化物半導体粒子を用いた光電変換電極の製造方法および光電変換セル例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF TREATED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR PARTICLE, MANUFACTURING METHOD OF PHOTOELECTRIC CONVERSION ELECTRODE USING THE TREATED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR PARTICLE MANUFACTURED BY THE METHOD, AND PHOTOELECTRIC CONVERSION CELL - 特許庁

光触媒半導体微粒子とシランカップリング剤を含む水溶液に繊維布帛を浸漬し、過剰な液を除去した後、熱処理して該光触媒半導体微粒子を繊維表面に固定することで得る。例文帳に追加

The antifouling fiber fabric is obtained by soaking the fiber fabric in an aqueous solution containing the photocatalyst semiconductor particles and the silane coupling agent and, after removing the excess liquid, fixing the photocatalyst semiconductor particles on the fiber surface by heat treatment. - 特許庁

気相法による半導体ナノ粒子蛍光体の製造方法において、連続した工程で、且つ脱酸素雰囲気下で製造されることを特徴とする半導体ナノ粒子蛍光体の製造方法。例文帳に追加

The method for producing semiconductor nanoparticle fluorescent substance is characterized by producing the semiconductor nanoparticle fluorescent substance in an oxygen-free atmosphere by a continuous process in gas-phase. - 特許庁

また本発明に係る窒素固定化方法は、光触媒機能を有する無機物半導体微粒子と無機物半導体微粒子を覆う導電性ポリマーを窒素を含む雰囲気中に配置して光を照射する。例文帳に追加

The nitrogen fixation method is carried out by arranging the inorganic substance semiconductor fine particle having the photocatalytic function and the conductive polymer covering the inorganic substance semiconductor fine particle in an atmosphere containing nitrogen and irradiating them with light. - 特許庁

輝度の高いミクロンサイズの無機半導体または蛍光体一次粒子、および液相中でこの無機半導体または蛍光体一次粒子を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide an inorganic semiconductor- or phosphor-primary particle having high luminance and a method of producing the inorganic semiconductor- or the phosphor-primary particle in a liquid phase. - 特許庁

前記金属酸化物半導体微粒子層は、金属酸化物半導体微粒子からなる塗膜を、前記下塗り層の表面エネルギーが５０ｍＮ／ｍ未満であるときに、前記下塗り層上に積層する。例文帳に追加

The metal oxide semiconductor fine particle layer is formed by laminating a coating film comprising a metal oxide semiconductor fine particle on the undercoat layer when a surface energy of the undercoat layer is less than 50 mN/m. - 特許庁

試料保持機，半導体製造装置，半導体検査装置，回路パタ—ン検査装置，荷電粒子線応用装置，校正用基板，試料の保持方法，回路パタ—ン検査方法、および、荷電粒子線応用方法例文帳に追加

SAMPLE HOLDER, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE, SEMICONDUCTOR INSPECTION DEVICE, CIRCUIT PATTERN INSPECTION DEVICE, CHARGED PARTICLE BEAM APPLICATION DEVICE, CALIBRATING BOARD, SAMPLE HOLDING METHOD, CIRCUIT PATTERN INSPECTION METHOD AND CHARGED PARTICLE BEAM APPLICATION METHOD - 特許庁

低毒性であり、且つより高い発光量子収率を有する半導体ナノ粒子の製造方法、並びに当該製造方法により得られる半導体ナノ粒子を実現する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of semiconductor nanoparticles having low toxicity and higher light emission quantum yield and to provide the semiconductor nanoparticles obtained by the manufacturing method. - 特許庁

10以上のラフネスファクターを有する多孔質半導体微粒子層上に、カソード電析によって金属酸化物層を形成する工程を含む半導体微粒子膜の作製方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the fine semiconductor particle film comprises the step of forming a metal oxide layer by cathordicelectrodeposition on a porous fine semiconductor particle film with 10 of roughness factor or more. - 特許庁

相分離系における特定の相への相溶性が増強された半導体超微粒子を該相分離系に共存せしめ、共焦点顕微鏡により該半導体超微粒子を検出する。例文帳に追加

Semiconductor ultrafine particles having reinforced compatibility with the specific phase in a phase separation system are allowed to coexist in the phase separation system, and the semiconductor ultrafine particles are detected by a confocal microscope. - 特許庁

本発明に係る半導体装置は、ＦｅＲＡＭ型若しくはMFMIS-FET型の半導体装置において、下部電極を構成する貴金属結晶粒子の粒内に金属酸化物結晶粒子を分散して析出させたことを特徴とする。例文帳に追加

In the FeRAM type or MFMIS-FET type semiconductor device, the metal oxide crystal grains are distributedly precipitated in the noble metal crystal grains which constitute the bottom electrode. - 特許庁

第１電極１０２上に、一導電型結晶性半導体粒子密に分散させ、レーザビームの照射等により隣接するもの同士が融着している一導電型の結晶性半導体粒子１０７を形成する。例文帳に追加

On a first electrode 102, a single conductive type crystalline semiconductor particles are thickly dispersed, and single conductive type crystalline semiconductor particles 107 wherein adjoining particles are fusion-bonded by irradiation, etc. of a laser beam are formed. - 特許庁

導電性粒子、封止剤、半導体モジュール、電子機器、導電性粒子の製造方法、封止剤の製造方法および半導体モジュールの製造方法例文帳に追加

CONDUCTIVE PARTICLE, SEALANT, SEMICONDUCTOR MODULE, ELECTRONIC EQUIPMENT, METHOD OF MANUFACTURING CONDUCTIVE PARTICLE, METHOD OF MANUFACTURING SEALANT, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULE - 特許庁

半導体超微粒子が樹脂マトリクスに分散してなる組成物であり、該半導体超微粒子が該樹脂マトリクスを構成する高分子鎖に共重合されたリン原子含有配位子を有するものである樹脂組成物。例文帳に追加

This resin composition comprising a resin matrix and superfine semiconductor particles dispersed in the resin matrix, characterized in that the superfine semiconductor powder has a phosphorus atom-containing ligand copolymerized with the polymer chain. - 特許庁

優れた変換効率を示す光電変換素子を得るために使用できる色素吸着半導体微粒子、並びにこの半導体微粒子を用いた光電変換素子及び光電池を提供する。例文帳に追加

To provide dye adsorbing semiconductor fine particles which can be used to obtain a photoelectric sensing element which shows outstanding conversion efficiency, the photoelectric sensing element and a photoelectric cell using the semiconductor fine particles. - 特許庁

表面に複数の凹凸構造を含む基板と、前記基板の表面に配置された、半導体ナノ粒子からなる半導体ナノ粒子層と、を含むことを特徴とする、３次元構造の発光素子。例文帳に追加

The light emitting element of three-dimensional structure comprises a substrate including a plurality of irregular structures on a surface, and a semiconductor nanoparticle layer disposed on the surface of the substrate and composed of semiconductor nanoparticles. - 特許庁

化合物半導体粒子に捕捉された電子は化合物半導体粒子の列に沿って短距離で負極２の電極に到達し、変換効率が向上する。例文帳に追加

Since the electrons caught by the compound semiconductor particles reach the negative electrode 2 in a short range along the row of the compound semiconductor particles, the photoelectric conversion efficiency of this organic solar battery cell is improved. - 特許庁

成長用基板１上に無機粒子２を配置した後に３−５族窒化物半導体を成長し、これにより無機粒子２が配された３−５族窒化物半導体３を成長基板１上に形成する。例文帳に追加

The group III-V nitride semiconductor is grown after inorganic particles 2 are arranged on a substrate 1 for growth, forming a group III-V nitride semiconductor 3 with the inorganic particles 2 arranged on the substrate 1 for growth. - 特許庁

溶融滴下法による半導体粒子の製造過程において発生する不純物成分を効果的に溶融装置の外部に排出することにより、高純度の半導体粒子を高速で製造する方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for producing high purity semiconductor particles at a high speed by effectively exhausting impurity components generated in the process of producing semiconductor particles by a melt dropping method. - 特許庁

半導体ナノ結晶コアと導電体シェルとからなる数平均粒径が２〜５０ｎｍのコアシェル型粒子表面に表面修飾分子が結合してなるコアシェル型半導体ナノ粒子。例文帳に追加

The core-shell semiconductor nano-particles include core-shell particles having a number average particle size of 2-50 nm comprised of semiconductor nano-crystal cores and conductor shells with surface-modifying molecules bonded to the surface thereof. - 特許庁

半導体微粒子の粒径および形状精度などを高め、さらに高密度にかつ簡易な工程で半導体微粒子の集合体を作製することを可能にする。例文帳に追加

To manufacture an aggregate of semiconductor fine particles in a simple process which is capable of increasing the density and improving the grain size and shape accuracy of the semiconductor fine particles. - 特許庁

少なくとも１種の色素が吸着した半導体微粒子の層と導電性支持体とを有する本発明の光電変換素子は、色素を吸着させる前に半導体微粒子を酸化処理することにより作製する。例文帳に追加

The photoelectric conversion element having a layer of semiconductor fine particles to which at least one kind of dye is adsorbed and a conductive support is manufactured by oxidizing semiconductor fine particles before the dye is adsorbed. - 特許庁

この際、微粒子２にＳｉなどの半導体粒子を、その周囲の材料３を半導体層とすることで、量子ドット様の構造として使用することができる。例文帳に追加

In this case, the fine particles 2 are formed of semiconductor material such as Si and the like, and by using a semiconductor layer 3 for a material around the fine particle they can be utilized as a quantum-dot structure. - 特許庁

このコロイド状粒子Ａの粒径は、複合光半導体Ｂの粒径の１倍以上とし、複合光半導体粒子のコーティング剤全体における重量比は０．１〜１０％とする。例文帳に追加

The particle diameter of the colloid-like particle A is larger than the particle diameters of the composite photosemiconductor particles B, and the composite photosemiconductor particles are contained in an amount of 0.1 to 10 wt.% based on the total amount of the coating. - 特許庁

数平均粒径０．５〜３０ｎｍの半導体結晶粒子とポリ（４−ビニルピリジン）とを含有してなる組成物であって、該半導体結晶粒子の含有量が該組成物中１０〜６０体積％である高分子組成物。例文帳に追加

The high molecular weight composition consists of 10-60 wt.% semiconductor crystal particles the number-average particle size of which is 0.5-30 nm and of poly(4-vinylpyridine). - 特許庁

導電性、放熱性に優れた導電性粒子およびその導電性粒子を端子の接続に用いた半導体素子、半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide conductive particles which have superior electric conductivity and heat dissipation, and to provide a semiconductor element and a semiconductor device that use the conductive particles to connect a terminal. - 特許庁

付活元素が非常に効率的に添加されたナノメートルサイズの化合物半導体超微粒子を、容易かつ安価に製造することが可能な化合物半導体超微粒子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing compound semiconductor ultra fine particles, by which the compound semiconductor ultra fine particles having a nano meter size and containing an activated element highly efficiently added thereto can easily be produced at a low cost. - 特許庁

半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜からなる高性能な光検出器、および、それに用いる安定性かつ信頼性のある半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high performance photodetector comprising semiconductor nanoparticles embedded Si insulating film, and to provide a method for manufacturing the semiconductor nanoparticles embedded Si insulating film with stability and reliability, which is used for the photodetector. - 特許庁

少なくとも半導体微粒子含有層と電荷移動層を有する光電変換素子および光電気化学電池において、該半導体微粒子を酸化亜鉛および酸化スズとし、かつ、該電荷移動層を溶融塩電解質とする。例文帳に追加

In the photoelectric transducer and a photoelectrochemical cell which at least has a layer containing semiconductor fine particles and a charge-transfer layer, the semiconductor fine particles are made of zinc oxide and tin oxide, and further, the charge-transfer layer is made from a fused salt electrolyte. - 特許庁

電極に用いる半導体粒子の膜が均一な半導体粒子積層膜、色素増感太陽電池、電気化学発光素子および電子放出素子の各製造方法ならびに色素増感太陽電を提供する。例文帳に追加

To provide respective manufacturing methods of a semiconductor particle laminate film in which the film of semiconductor particle used for an electrode is uniform, a dye-sensitized solar cell, an electrochemical light emission element, and an electron emitting element, and a dye-sensitized solar cell. - 特許庁

金属ナノ粒子１２と、半導体光触媒１６と、前記金属ナノ粒子１２と前記半導体光触媒１６との間に介在する、前記半導体光触媒１６を励起する波長の光に対して透明な材料１４と、を含むことを特徴とする光触媒構造体。例文帳に追加

The photocatalyst structure contains metal nanometer particles 12, a semiconductor photocatalyst 16 and a material 14 which intervenes between the metal nanometer particles 12 and the semiconductor photocatalyst 16 and which is translucent with respect to light of a wavelength for exciting the semiconductor photocatalyst 16. - 特許庁

所定量の半導体粉末を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、質量と寸法形状のばらつきが小さく、良質な球状の半導体粒子の効率的な製造を可能とする。例文帳に追加

To enable efficient production of high quality spherical semiconductor particles having a small dispersion of mass and dimension in a method of producing semiconductor particles by melting a predetermined amount of semiconductor powder to form spherical melt particles and cooling these to solidify. - 特許庁

酸化物光半導体微粒子が分散した水分散液を作製し、次いで、前記水分散液を両親媒性溶剤であるジオール系の溶剤と溶媒置換し、前記酸化物半導体微粒子が前記ジオール系の溶剤に分散した酸化物光半導体ペーストを作製する。例文帳に追加

An aqueous dispersion with oxide optical semiconductor fine particles dispersed therein is manufactured, then the aqueous dispersion is replaced with a diol-based solvent being an amphiphilic solvent, and thus this oxide optical semiconductor paste with the oxide optical semiconductor fine particles dispersed in the diol-based solvent is manufactured. - 特許庁

ランタン酸化物または化合物と、コバルト酸化物とを含む半導体材料を焼結させてなる半導体セラミックであって、前記半導体材料の比表面積が３ｍ^2／ｇ以上であり、一次粒子の平均粒径が２．０μｍ以下、かつ二次粒子の平均粒径が１０μｍ以下であることを特徴とする。例文帳に追加

This semiconductor ceramic obtained by sintering a semiconductor material comprising a lanthanum oxide or compound, and a cobalt oxide is characterized by ≥3 m2/g specific surface area, ≤2.0 μm average particle diameter of primary particles and ≤10 μm average particle diameter of secondary particles of the semiconductor material. - 特許庁

熱プラズマによって被処理半導体薄膜を熱処理する際に、前記被処理半導体薄膜の表面に予め前記被処理半導体薄膜の成分以外の物質からなる粒子を付着させ、該粒子の付着箇所に熱プラズマを照射する。例文帳に追加

When a semiconductor thin film to be treated to be treated is subjected to heat treatment by heat plasma, particles consisting of a material other than the components of the semiconductor thin film to be treated are caused to adhere on a surface of the semiconductor thin film to be treated and heat plasma is applied to the portions where the particles adhere. - 特許庁

所定量の半導体粉末を含む小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、所定濃度のドーパントが均一にドープされた球状のｐ型またはｎ型の半導体粒子を安価に製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing spherical p-type or n-type semiconductor particles, doped uniformly with dopant having a prescribed concentration, inexpensively in a method of producing semiconductor particles by melting a small lump, containing a specified quantity of semiconductor powder, to form spherical melt and then cooling and solidifying the melt. - 特許庁

このように構成したことにより、半導体をプリント配線基板に実装する際に、半導体に直接接触するのは、大きな粒子成分が存在しない絶縁性接着層１０になるため、実装時の加圧で半導体表面に絶縁粒子４が接触することがなくなる。例文帳に追加

Since the insulating adhesive layer 10 containing no large particle component comes into direct contact with the semiconductor when it is mounted on the printed wiring board, insulating particles 4 do not touch the surface of the semiconductor when a pressure is applied in order to mount the semiconductor. - 特許庁

所定量の半導体粉末を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却固化する半導体粒子の製造方法を改良し、質量と寸法形状のバラツキが小さい球状の半導体粒子を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a spherical semiconductor particles having a small variation in mass and size-shape by improving a method for producing a semiconductor particle by melting a prescribed amount of a semiconductor powder, forming a spherical molten body and solidifying this by cooling. - 特許庁

多孔質半導体微粒子層と電荷輸送層および対極を含む積層構造からなり、該多孔質半導体微粒子層が、半導体微粒子と分散溶媒を除く添加剤の含量が分散液の１質量％以下の粒子分散液を塗布し加熱する工程によって製造されることを特徴とする光電変換素子の製造方法。例文帳に追加

In a manufacturing method for a photoelectric conversion element, the photoelectric conversion element consists of a laminated structure, including a porous semiconductor fine particle layer, a charge transport layer and an opposite electrode, and the porous semiconductor fine particle layer is manufactured with a process of applying and heating a particle dispersion liquid, wherein the content of an additive excluding semiconductor fine particles and a dispersion solvent is 1 mass% or lower of the dispersion liquid. - 特許庁