「磁気抵抗係数」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

感磁センサー素子と固定抵抗素子の電気抵抗率と電気抵抗の温度係数を合わせることができ、周囲温度変化に対しても安定した出力特性が得られる磁気センサーと磁気エンコーダーが実現できた。例文帳に追加

The electric resistance rate and the temperature coefficient of both the magneto-sensitive sensor element and the fixed resistance element are made to match with each other, and the magnetic sensor and the magnetic encoder obtaining the stable output characteristics are provided. - 特許庁

材料スタック５０の電気抵抗は、抵抗分圧器またはホイートストンブリッジ装置で使用される、磁気抵抗効果素子と通常同じ温度係数を有する。例文帳に追加

The electrical resistance of the material stack 50 generally has the same value as that of a magnetoresistance effect element used in a resistance-type potential divider or a wheatstone bridge device. - 特許庁

巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子の温度係数と同じかまたは類似の温度係数を有する抵抗器を形成する材料スタックを提供する。例文帳に追加

To provide a material stack which forms a resistor, having such a temperature coefficient as to be identical with or similar to the temperature coefficient of a giant magnetoresistance (GMR) element. - 特許庁

酸化物材料、光磁気デバイス、ファラデー回転係数制御方法、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ素子、残留磁化制御方法及び保持力制御方法例文帳に追加

OXIDE MATERIAL, MAGNETOOPTICAL DEVICE, FARADAY ROTATION COEFFICIENT CONTROLLING METHOD, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY ELEMENT, RESIDUAL MAGNETIZATION CONTROLLING METHOD, AND COERCIVE FORCE CONTROLLING METHOD - 特許庁

薄膜磁気素子の磁性層１１，１３を形成するための磁性材料の比抵抗を１０００μΩ・ｃｍ以上とすることにより、薄膜磁気素子の性能係数Ｑを向上させることができる。例文帳に追加

The resistivity of magnetic materials for forming magnetic layers 11 and 13 of a thin magnetic element is set so as to be 1000 μΩ.cm or more so that performance coefficient Q of the thin magnetic element can be improved. - 特許庁

このとき、シールド層を構成する低熱膨張非磁性材料としては、磁気抵抗センサ膜の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する材料を選択する。例文帳に追加

In this case, as the low thermal expansion nonmagnetic material of the shield layer, a material having a thermal expansion factor smaller than that of a magneto-resistive sensor film is selected. - 特許庁

表面が平滑であって、より小さい光透過率とより低い表面電気抵抗値とを有しており、しかも、摩擦係数が小さく、走行耐久性が優れている磁気記録媒体を得るために用いられる針状磁性粒子粉末を得る。例文帳に追加

To obtain acicular magnetic particle powder used for obtaining a magnetic recording medium having a smooth surface, a lower light transmissivity, a lower surface electric resistance value, a low frictional coefficient and excellent running durability. - 特許庁

ＣｏＭｎＧｅＣｕは、ＣｏＭｎＧｅに比べてバルク散乱係数β等を大きくできると考えられ、この結果、磁気抵抗変化量ΔＲと素子面積Ａの積ΔＲＡを高くできる。例文帳に追加

Since it is expected that CoMnGeCu can increase a bulk scattering coefficient β and the like as compared with CoMnGe, the product ΔRA of a variation in reluctance ΔR and the area A of an element can be increased. - 特許庁

磁気記録面に傷を付けにくくするバックコートを提供し、かつ繰り返し摺動しても摩擦係数の上昇が少ないこと、さらにバックコートとしてのもう一つの役割である電気抵抗を低く抑えるという点も備えた磁気記録媒体を得る。例文帳に追加

To provide a back coat preventing a magnetic recording surface from being damaged and reducing increase of a frictional coefficient even in repetitive sliding and reduces electrical resistance which is an another role of the back coat. - 特許庁

互いに抵抗温度係数異なる材料によって形成された複数の機能素子の間で、磁界検出時の温度変動による出力信号の変化を抑制し、正確に印加磁界を検出できると共に、小型、薄型化、低コスト化が可能な磁気デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a magnetic device, capable of suppressing change of output signal due to a temperature change in magnetic field detection between a plurality of functional elements formed of materials having different resistor temperature coefficients to perform accurate detection of an applied magnetic field while reducing the size, thickness and cost thereof. - 特許庁

摩擦係数が低く、曲げ剛性が所定範囲の摺動性樹脂組成物及びそれを用いたテープの走行抵抗が小さく、走行安定性に優れ、且つ、経済的な、磁気テ−プガイド用の傾斜ポ−ルベ−ス一体化成形体の提供。例文帳に追加

To obtain a sliding resin composition having a low coefficient of friction and a flexural rigidity within a prescribed range and to provide an economical integrally molded product of inclined pole bases for a magnetic tape guide using the resin composition, having a low running resistance of a tape and excellent in running stability. - 特許庁

フリー磁性層１６中に存在するＮｉＦｅ合金中のＮｉの原子％がこの範囲であるとスピン依存バルク散乱係数βが増加し、従来よりも磁気検出素子の抵抗変化量と素子面積の積ΔＲＡを大きくできる。例文帳に追加

When the atom% of Ni in the NiFe alloy existing in the free magnetic layer 16 falls within this range, a spin parasitic bulk scattering coefficient β increases and the product ΔRA of a variation in resistance and an element area of the magnetic sensing element can be increased as compared with a prior art. - 特許庁

同時に、第２固定磁性層１４ｃ及びフリー磁性層１６内部の非磁性材料層１５から離れた領域で、前記元素Ｚの原子％を大きくしてスピン依存性バルク散乱係数βを高くし、磁気検出素子の磁気抵抗変化量ΔＲと素子面積Ａの積ΔＲＡを高く維持することができる。例文帳に追加

Simultaneously, in the region distant from the nonmagnetic substance layer 15 of the second fixed magnetic layer 14c and the free magnetic layer 16 interior, the atomic% of the above element Z is enlarged, and a spin dependency bulk scattering coefficient β is made high, and the product ΔRA of the magnetic reluctance variation ΔR of the magnetic sensing element and the element area A are highly maintained. - 特許庁