| 例文 (10件) |
超高速光デバイスの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 10件
高速演算素子のピンボトルネックを解決し、超高速演算や超並列処理に適用可能な光電融合デバイスを提供することにある。例文帳に追加
To solve the pin bottleneck of a high-speed arithmetic element and to provide a photoelectric fusion device applicable to ultrahigh speed computation and ultraparallel processings. - 特許庁
入力光信号の偏光方向に無依存で、かつ、電子デバイスの上限速度を超える高速光クロック信号の抽出が可能である。例文帳に追加
To enable to extract a high-speed optical clock signal exceeding the upper limit speed of an electronic device, not depending on the polarization direction of an input optical signal. - 特許庁
低雑音の半導体光増幅器や、超高速でかつスイッチング・エネルギーの低い非線形半導体光デバイスを実現する。例文帳に追加
To realize a low-noise semiconductor optical amplifier, and a super high-speed and low switching energy non-linear semiconductor optical device. - 特許庁
アモルファスシリコン光導波路の高い非線形を用いた超高速全光型信号処理デバイスを提供する。例文帳に追加
To provide an ultrahigh-speed entire light type signal processing device using high nonlinearity of an amorphous silicon optical waveguide. - 特許庁
逆バイアスされる半導体光素子と順（又はゼロ）バイアスされる半導体光素子の活性層どうしを突合せ接合している光集積デバイスにおいて、大きな逆バイアス動作や超高速変調をしても、高速なデバイス動作速度を確保する。例文帳に追加
To ensure a device working speed at a high speed, even by a large reverse bias operation and an ultra-high speed modulation in an optical integrated device, in which the active layers of a reverse biased semiconductor optical element and the positive (or zero) biased semiconductor optical element are abutted and jointed mutually. - 特許庁
入力光信号の偏波面依存性がなく、波長の変動や環境温度の変化に対しても、安定して電子デバイスの上限動作速度を超える高速入力光信号から光クロック信号を抽出できる。例文帳に追加
To extract an optical clock signal from a high-speed input light signal that does not cause dependence on the plane of polarization of an input light signal and exceeds the upper-limit operation speed of an electronic device stably, even to fluctuation in wavelengths and a change in environmental temperature. - 特許庁
高速動作するフリップフロップ回路などの電子デバイスを用いなくても、高速光伝送が可能となり、通常のフリップフロップ回路の動作速度限界をも超えた光伝送速度を可能とし、低コストかつ小型化にも寄与すること。例文帳に追加
To provide a multiplex device capable of realizing high speed optical transmission without using any electronic device such as a quickly operating flip-flop circuit, realizing an optical transmitting speed beyond the operating speed limit of a normal flip-flop circuit, and contributing to both cost reduction and miniaturization. - 特許庁
量子井戸サブバンド間遷移には、赤外線イメージセンサ、量子カスケードレーザや超高速光変調素子への応用があり、従来のＴＭモードのみの光との相互作用に加え、ＴＥモード光との相互作用を可能にし、これらのデバイスの高効率、高性能化を実現する。例文帳に追加
To achieve a mutual operation with TE mode light in addition to a mutual operation with light of a conventional TM mode; and to achieve high efficiency and high performance of devices since quantum well intersubband transition is applied to an infrared image sensor, a quantum cascade laser, and an ultra high-speed light modulation element. - 特許庁
位相変調パルス１０は、ある時点で位相がそろったフェムト秒パルス５０に対して、各々の周波数の光に位相変化を与える（位相変調）書き込みパルス６０とを、超高速光位相デバイス（波長時間多重伝送装置）１００に入力することにより得られる。例文帳に追加
The phase modulation pulse 10 is obtained by inputting a femto-second pulse 50 whose phase is arranged at a certain point of time and a (phase modulation) wiring pulse 60 giving phase change to the light of each frequency to a ultra-high speed optical phase device (wavelength time multiple transmitter) 100. - 特許庁
自然超格子でありながら局所的なドメインをほとんど形成せず、基板全体に亘って均一な自然超格子構造を有する化合物半導体、化合物半導体結晶及びそれらの製造方法、並びに良好な温度特性、電気伝導性、発光特性、高速変調特性を有する前記半導体結晶を用いた半導体デバイス及び半導体レーザの提供。例文帳に追加
To provide a compound semiconductor and compound semiconductor crystal having a natural superlattice structure which is a natural superlattice, however, a local domain is hardly formed, and is uniform over the whole substrate, those manufacturing method, and a semiconductor device and semiconductor laser using a semiconductor crystal which has a good temperature characteristic, electric conductivity, emission characteristic, and high speed modulation characteristic. - 特許庁
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