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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Al junctionに関連した英語例文

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Al junctionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 15



例文

The first junction electrode 24 and the second junction electrode 26 are formed from an Al wiring layer and a solder layer.例文帳に追加

第1接合電極24及び第2接合電極26は、Al配線層とはんだ層とから形成されている。 - 特許庁

For an N-type ZnO, Al doped is used to form a p-n junction, thus obtaining a light-emitting element.例文帳に追加

N型ZnOとしてはAlをドープしたものを用いてPN接合を形成し発光素子を得る。 - 特許庁

To provide an Au-alloy bonding wire improved in junction reliability owing to low electric resistance to an Al electrode for a semiconductor device, and the semiconductor device joined with an Al-electrode pad by the wire.例文帳に追加

半導体装置のAl電極に対する低電気抵抗で接合信頼性を向上したAu合金ボンディングワイヤ及び該ワイヤによりAl電極パッドに接合した半導体装置。 - 特許庁

GOLD ALLOY WIRE FOR BONDING WIRE HAVING HIGH JUNCTION RELIABILITY AND HIGH ROUNDNESS OF COMPRESSING BALL, AND HAVING AL PAD HARDLY DAMAGED AT ITS LOWER PART例文帳に追加

高い接合信頼性および圧着ボールの高い真円性を有し、さらにAlパッドとその下部が損傷しにくいボンディングワイヤ用金合金線 - 特許庁

例文

GOLD ALLOY WIRE FOR BONDING WIRE HAVING HIGH JUNCTION RELIABILITY AND HIGH CIRCULARITY OF COMPRESSION BONDING BALL, PREVENTING EASY DAMAGE OF Al PAD AND ITS LOWER PORTION, AND HAVING STILL HIGHER RESIN FLOW PERFORMANCE例文帳に追加

高い接合信頼性および圧着ボールの高い真円性を有し、さらにAlパッドとその下部が損傷しにくくかつ一層高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線 - 特許庁


例文

A Schottky diode 22 includes a silicon-containing semiconductor layer 23 and an electrode 28 of Al-Si, where the semiconductor layer 23 and the electrode 28 are joined together to form a Schottky junction.例文帳に追加

ショットキーダイオード22は、シリコンを含む半導体材料から成る半導体層23と、Al−Siから成る電極28とを含み、半導体層23と電極28とがショットキー接合している。 - 特許庁

At this time, the roughened surface 3a of the copper bump 3 is directly brought into contact with the electrode terminal 4a by breaking the oxide Al film formed on the electrode terminal 4a, and an electrically excellent junction part is formed.例文帳に追加

このとき銅バンプ3の粗面3aが、電極端子4a上に形成された酸化Al膜を破壊して電極端子4aと直接接触し、電気的に良好な接合部が形成されている。 - 特許庁

To provide a junction structure that is low in material cost, superior in long-term reliability of a joint part to an Al electrode, and applicable to an in-vehicle LSI use, or a copper bonding wire for a semiconductor.例文帳に追加

本発明は、材料費が安価で、Al電極との接合部の長期信頼性に優れ、車載用LSI用途にも適用できる接合構造、または半導体用銅ボンディングワイヤを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a gold alloy wire for a bonding wire having high junction reliability and high circularity of a compression bonding ball, preventing easy damage of an Al pad and its lower portion and having still higher resin flow performance.例文帳に追加

高い接合信頼性および圧着ボールの高い真円性を有し、さらにAlパッドとその下部が損傷しにくくかつ一層高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線を提供する。 - 特許庁

例文

Thermoelectric elements 2 and 3 are configured to provide, in a junction between it and an electrode 4 in a thermoelectric material 8 consisting of alloy containing Sb, a diffusion prevention layer 9 formed of a sintered material of mixed powder which consists of Ti powder and/or Ti alloy powder and Al powder, and in which the content of the Al powder is 10-20 wt.%.例文帳に追加

熱電素子2,3は、Sbを含む合金からなる熱電材料8における電極9との接合部に、Ti粉末および/またはTi合金粉末とAl粉末とからなり、かつAl粉末の含有量が10〜20wt%である混合粉末の焼結体で形成された拡散防止層9を設けたものである。 - 特許庁

例文

The translucent pixel electrodes 662 and second upper electrodes 64b consisting of an Al film are electrically connected across first junction electrodes 68 consisting of Ta, by which the connection resistance of the pixel electrodes 66 and the second upper electrodes 64b is reduced.例文帳に追加

また、Taからなる第1の中継電極68を介して透光性画素電極662と、Al膜からなる第2の上電極64bを電気的に接続させて、画素電極66と第2の上電極64bとの接続抵抗を低減する。 - 特許庁

Then second mesa junction B extending the boundary between the first Al-containing compound semiconductor layer 20 and substrate 2 or to the surface of the substrate 2 are formed from the contact layer 4 toward the lower layers, and the semiconductor layer 20 is converted into an insulating layer 20a by oxidizing the layer 20.例文帳に追加

コンタクト層4から下層に向かって、第1の含Al化合物半導体層20と基板2の界面または基板2の表層に至る第2のメサBを形成し、第1の含Al化合物半導体層20を酸化させて絶縁層20aに転化する。 - 特許庁

To provide an element structure of a display device with which an element having excellent junction characteristics and a small contact resistance value can be realized as an element having a wiring circuit which is connected directly to a transparent electrode layer and a semiconductor layer and formed of an Al-based alloy film.例文帳に追加

透明電極層や半導体層と直接接合する、Al系合金膜により形成された配線回路を備えた素子において、その接合特性が良好で、コンタクト抵抗値の低い素子を実現できる表示デバイスの素子構造を提案する。 - 特許庁

In a gate electrode 103 that is formed on a compound semiconductor layer 100 composed of GaN, an Ni layer 41 formed by Schottky junction, a low-resistance metal layer 42 that is composed of one metal selected from the group consisting of Au, Cu, and Al, and a Pd layer 44 formed between the Ni layer 41 and the low-resistance metal layer 42 are provided on the compound semiconductor layer 100 composed of GaN.例文帳に追加

GaNからなる化合物半導体層100上に形成されたゲート電極103において、GaNからなる化合物半導体層100上でショットキー接合してなるNi層41と、Au、Cu及びAlからなる群から選択された1種の金属からなる低抵抗金属層42と、Ni層41と低抵抗金属層42との間に形成されたPd層44を設けるようにする。 - 特許庁

例文

The solar battery further includes a junction reinforcing layer 13 including an Al which contacts with both the conductive layer 12 and the light absorbing layer 14 between the conductive layer 12 and the light absorbing layer 14.例文帳に追加

太陽電池の構成を、基体11と、基体11上に形成された導電層12と、導電層12上に形成されたIb族元素、IIIb族元素及びVIb族元素を含有する化合物半導体を含む光吸収層14と、光吸収層14上に形成された透明導電層17とを含み、導電層12と光吸収層14との間に、導電層12と光吸収層14との双方に接触したAlを含有する接合強化層13を更に含む構成とする。 - 特許庁




  
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