「Cadmium telluride」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The detecting element is made of a single crystal of one of cadmium telluride, cadmium zinc telluride, gallium arsenide, and thallous bromide.例文帳に追加

前記検出素子を、テルル化カドミウム、テルル化カドミウム亜鉛、ガリウム砒素、臭化タリウムのうちの一つの単結晶で構成する。 - 特許庁

PLATE MATERIAL FOR HEATING SUBSTRATE, AND METHOD OF MANUFACTURING CADMIUM TELLURIDE FILM例文帳に追加

基板加熱用板材、およびテルル化カドミウム膜の製造方法 - 特許庁

METHOD OF PROCESSING CADMIUM TELLURIDE FOR SOLAR BATTERY AND PROCESSOR例文帳に追加

太陽電池用テルル化カドミウム膜の処理方法と処理装置 - 特許庁

vii. Scanning arrays which use mercury cadmium telluride and which fall under any of the following 例文帳に追加

７　テルル化水銀カドミウムを用いたスキャニングアレーであって、次のいずれかに該当するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

viii. Steering arrays which use mercury cadmium telluride with less than 256 elements 例文帳に追加

８　テルル化水銀カドミウムを用いたステアリングアレーであって、素子の数が二五六未満のもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

METHOD AND APPARATUS FOR SCRIBING THIN FILM LAYER OF CADMIUM TELLURIDE SOLAR CELL例文帳に追加

テルル化カドミウム太陽電池の薄膜層をスクライブする方法及び装置 - 特許庁

An FPD constituting the X-ray diagnostic apparatus is equipped with a supporting substrate having electrical conductivity and a sensitive semiconductor film composed of either of a CdTe (cadmium telluride), ZnTe (zinc telluride) and mixed crystal of these.例文帳に追加

Ｘ線診断装置を構成するＦＰＤは、導電性を有する支持基板と、ＣｄＴｅ（テルル化カドミウム）、ＺｎＴｅ（テルル化亜鉛）、および、これらの混合結晶のいずれかからなる感応半導体膜とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor radiation detector is constituted, such that the platy element 211 of cadmium telluride and metallic conductive members 22 and 23 are adhered with a conductive adhesive 21A, and laminated the plate-like element 211 of cadmium telluride with the conductive members 22 and 23, while alternating the conductive members 22 and 23.例文帳に追加

半導体放射線検出器は、テルル化カドミウムの板状素子２１１と、金属製の導電部材２２，２３とを導電性接着剤２１Ａにより接着し、テルル化カドミウムの板状素子２１１と導電部材２２，２３とを交互に積層した構造を有する。 - 特許庁

The cadmium sulfide layer may be deposited preferably by a high-frequency sputtering method at an ambient temperature, and the cadmium telluride layer may be deposited preferably by a closed-space sublimation method at a so efficient increased temperature as to convert an amorphous cadmium stannate into a polycrystal cadmium stannate having a single spinel structure.例文帳に追加

好ましくは、硫化カドミウム層は周囲温度で高周波スパッタ法で堆積させ、テルル化カドミウム層は、非晶スズ酸カドミウムを単一スピネル構造を有する多結晶スズ酸カドミウムに変換させるのに効果的な昇温温度で、クローズスペース昇華法によって堆積する。 - 特許庁

To provide a solar cell excellent in output characteristics by forming a transparent conductive film, a CdS(cadmium sulfide) film and a CdTe(cadmium telluride) film sequentially on a translucent insulating substrate and suppressing thermal damage of an underlying translucent conductive film at the time of patterning the CdTe film by laser scribing.例文帳に追加

透光性絶縁基板上に、透明導電膜、ＣｄＳ膜およびＣｄＴｅ膜順次形成し、レーザスクライブ法によりＣｄＴｅ膜をパターニングする際、下地の透明導電膜が熱的なダメージを受けることを抑止し、優れた出力特性の太陽電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

The conductive members are selected from among Fe-Ni alloy, Fe-Ni-Co alloy, Cr and Te, and are respectively arranged between the electrodes of the same kind of the facing plate-like elements 211 of cadmium telluride.例文帳に追加

導電部材は鉄ーニッケル合金、鉄ーニッケルーコバルト合金、クロム、タンタルの内から選択し、向かい合うテルル化カドミウムの板状素子２１１の同種の電極間に配置している。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-quality CdTe (cadmium telluride) crystal, which is useful as a raw material of a CdTe solar cell or the like, safely at a low cost without using a special heating unit.例文帳に追加

ＣｄＴｅ太陽電池などの原料として有用な高品位なＣｄＴｅ結晶を、特殊な加熱装置を用いることなく、安全且つ安価に製造する方法を提供する。 - 特許庁

In one embodiment, the compositions are used to deposit Germanium Tellurium (GeTe), Antimony Tellurium (SbTe), Antimony Germanium (SbGe), Germanium Antimony Tellurium (GST), Indium Antimony Tellurium (IST), Silver Indium Antimony Tellurium (AIST), Cadmium Telluride (CdTe), Cadmium Selenide (CdSe), Zinc Telluride (ZnTe), Zinc Selenide (ZnSe), Copper indium gallium selenide (CIGS) films or other tellurium and selenium based metal compounds for phase change memory and photovoltaic devices.例文帳に追加

一実施態様において、組成物は、相変化メモリ及び光起電デバイス向けの、ゲルマニウムテルル（ＧｅＴｅ）、アンチモンテルル（ＳｂＴｅ）、アンチモンゲルマニウム（ＳｂＧｅ）、ゲルマニウムアンチモンテルル（ＧＳＴ）、インジウムアンチモンテルル（ＩＳＴ）、銀インジウムアンチモンテルル（ＡＩＳＴ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、セレン化銅インジウムガリウム（ＣＩＧＳ）又は他のテルル及びセレン系の金属化合物を堆積させるために用いられる。 - 特許庁