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D-MOSの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 61



例文

An N-type MOS Tr 112A is connected between the node 106A of the signal line and a ground voltage Vss, the S is connected to the node 106A of the signal line, and the D is connected to the Vss together with the G electrode and the substrate.例文帳に追加

信号線のノード106Aと接地電圧Vssの間にはN型MOSTr112Aが接続され、そのSは信号線のノード106Aに、DはG電極及び基板と共にVssに接続されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can reduce the resistance of an S/D layer of a MOS transistor formed on an SOI substrate and reduce its parasitic capacity, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

SOI基板に形成されるMOSトランジスタのS/D層について、その抵抗を小さくすることができ、且つ、その寄生容量を低減できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

Two P-type MOS Trs are serially connected between a node 106A of the signal line and the Vcc, a source S is connected to the Vcc together with a gate G electrode and a substrate, and a drain D is connected to D of a Tr 111B in a Tr 111A and S of the Tr 111B is connected to the signal line, together with the G electrode and the substrate.例文帳に追加

信号線のノード106AとVcc間には2つのP型MOSTrが直列に接続され、Tr111AではソースSがゲートG電極や基板と共にVccに、ドレインDがTr111BのDに接続され、Tr111BのSはG電極及び基板と共に信号線に接続されている。 - 特許庁

Alternatively, the threshold voltage degradation (ΔVth) after the application of bidirectional stress is obtained by adding a threshold voltage degradation (ΔVth)D due to degradation of the drain end of the MOS transistor and a threshold voltage degradation (ΔVth)S caused by degradation of the source end.例文帳に追加

またはさらに双方向ストレス後のしきい値電圧劣化ΔVthをMOSトランジスタのドレイン端劣化によるしきい値電圧劣化(ΔVth)Dとソース端劣化によるしきい値電圧劣化(ΔVth)Sの和により表す。 - 特許庁

例文

In addition, the charge pump circuit uses negative boosting voltage -VDD generated in a node d of the initial stage as gate voltage to turn on a MOS transistor which outputs high levels of second and fifth clock drivers 42, 52 in a negative boosting charge pump circuit 200A.例文帳に追加

また、マイナス昇圧チャージポンプ回路200Aにおいて、初段のノードdに生成された負の昇圧電圧−VDDを用いて、第2及び第5のクロックドライバー42,52の高レベルを出力するMOSトランジスタをオンさせるためのゲート電圧として用いる。 - 特許庁


例文

Also, the switching circuit of the power circuit is composed of a pair of reverse conductive MOS transistors, thereby improving the frequency characteristics of the power source circuit, and the class D amplifier having excellent audio characteristics can be realized when amplifying signals in an audio band.例文帳に追加

また、前記電源回路のスイッチング回路を、逆導通の一対のMOSトランジスタで構成する事により、前記電源回路の周波数特性を良くすることができ、オーディオ帯域の信号を増幅する場合において、オーディオ特性の良いD級増幅器を実現できる。 - 特許庁

Thus, the D-MOS transistor of the output stage circuit is operated in the first front stage circuit in the normal operation state.例文帳に追加

本発明は出力端子に制限抵抗が接続されない第2前段回路で出力段回路のD−MOSトランジスタの動作開始させ、動作の開始が遅延されることがないようにし、正常動作状態では第1前段回路で出力段回路のD−MOSトランジスタの動作させる。 - 特許庁

When an intensity modulated light enters an optical sensor 9, a photodiode D of each picture element 90 photoelectrically converts the incident light to a signal current, an MOS transistor MC samples the signal current with a specified period, and signal charge corresponding to the sampled signal current is stored in a capacitor C.例文帳に追加

強度変調光が光センサ9に入射すると、各画素90のフォトダイオードDは入射光を信号電流に光電変換し、MOSトランジスタMCはその信号電流を所定の周期でサンプリングし、キャパシタCにそのサンプリングされた信号電流に対応する信号電荷が蓄積される。 - 特許庁

A clamp voltage control circuit 40 controls a voltage applied to each back gate of n-channel MOS transistors(TRs) MN13 and MN14 being clamp means of differential amplifiers 30a-30c through a negative feedback loop employing an operational amplifier 20 on the basis of a constant voltage signal D not affected by fluctuation of the power supply voltage so as to keep the clamp voltage constant.例文帳に追加

クランプ電圧制御回路40が、差動増幅器30a〜30cのクランプ手段であるnチャネルMOSトランジスタMN13およびMN14の各バックゲートに印加する電圧を、オペアンプ20を用いた負帰還ループにより、電源電圧の変動に影響しない定電圧信号Dに基づいて制御することでクランプ電圧を一定に保持する。 - 特許庁

例文

There is provided a MOS transistor Tr having plural stripe shaped transistor cells in which drains D and sources S are arranged at both sides of extending gates G, characterized by arranging a back gate BG which includes the plural transistor cells and has plural transistor cell blocks CB to whose both ends the sources S are arranged and extends outside the sources S at both ends of the transistor cell block CB.例文帳に追加

延在するゲートGの両側にドレインD及びソースSが配置されたストライプ状のトランジスタセルを複数有するMOSトランジスタTrであって、 前記トランジスタセルを複数含み、ソースSが両端に配置されたトランジスタセルブロックCBを複数有し、 該トランジスタセルブロックCBの両端の前記ソースSの外側に、延在するバックゲートBGが配置されたことを特徴とする。 - 特許庁

例文

The D flip-flop consists of series connection of two clocked CMOS inverters and 2-input 2-output clocked CMOS inverters in place of two clocked CMOS static latch circuits each consisting of a MOS inverter, which is simultaneously turned on/off synchronously with biphase clock pulses that are inverted from each other.例文帳に追加

Dフリップフロップは、2つのクロックドCMOSインバータと1つのMOSインバータとによりなるクロックドCMOSスタティックラッチ回路を2つ直列に接続したDフリップフロップにおいて、互いに逆相関係にある2相クロックパルスに同期して同時にON/OFFするクロックドCMOSインバータどうしを、それぞれ、2入力2出力クロックドCMOSインバータと置換してなるものである。 - 特許庁




  
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